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采用高H2稀释的SiH4等离子体放电, 特别是甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅薄膜的主流方法. 尽管在实验上取得了很大的突破, 但其沉积机理一直是研究的热点和难点. 本文通过建立二维时变的轴对称模型,在75 MHz放电频率下, 对与微晶硅沉积非常相关的甚高频电容耦合氢等离子体放电进行了数值模拟, 研究了沉积参数对等离子体特性的影响, 并与光发射谱(OES)在线监测结果进行了比较. 结果表明: 电子浓度 ne在等离子体体层中间区域最大, 而电子温度 Te及Hα与Hβ的数密度在体层和鞘层界面附近取极大值; 当气压从1 Torr (1 Torr=133.322 Pa)增大至5 Torr时, 等离子体电势单调降低, 在体层中间区域 ne先快速增大然后逐渐减小, Te先下降后趋于稳定; 随着放电功率从30 W增大到70 W, 电子浓度 ne及Hα与Hβ的数密度均线性增大, 而电子温度 Te基本保持不变; OES在线分析结果与模拟结果符合得很好. 相似文献
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采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池性能的影响.结果表明:随着Npt/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Npt/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降.通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述模拟结果进行了解释. 相似文献
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通过在WO3纳米片表面负载ZnFe2O4纳米颗粒,构建了一系列S型异质结光催化剂ZnFe2O4/WO3,并研究了其光催化CO2还原性能。在没有助催化剂和牺牲剂的条件下,所制备的ZnFe2O4/WO3复合材料可对CO2与水蒸汽进行光催化反应。优化后的材料光照5 h后CO2还原产物CO和CH4的产量分别为7.87和4.88 μmol·g-1。相对于单相组分,CO和CH4的产量明显提高。光催化活性的提高,归因于ZnFe2O4和WO3异质结的形成以及光生载流子的S型电荷传输模式。 相似文献
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通过在WO3纳米片表面负载ZnFe2O4纳米颗粒,构建了一系列S型异质结光催化剂ZnFe2O4/WO3,并研究了其光催化CO2还原性能。在没有助催化剂和牺牲剂的条件下,所制备的ZnFe2O4/WO3复合材料可对CO2与水蒸汽进行光催化反应。优化后的材料光照5 h后CO2还原产物CO和CH4的产量分别为7.87和4.88 μmol·g-1。相对于单相组分,CO和CH4的产量明显提高。光催化活性的提高,归因于ZnFe2O4和WO3异质结的形成以及光生载流子的S型电荷传输模式。 相似文献
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采用基于有限元的数值模拟方法,研究了VHF-PECVD法制备微晶硅薄膜的等离子体放电和气相反应过程,模拟了放电功率对等离子体特性及气相化学的影响,并与光发射谱(OES)在线监测结果进行了比较.模拟结果表明:当放电功率从30 W增大至70W时,等离子体中心区域的电子温度t基本保持不变,电子浓度ne和等离子体电势Φ线性增大;气相中H和SiH3等基元浓度逐渐增大,二者的浓度比nH/nSiH3亦随功率单调增大,模拟结果与OES测量结果吻合的很好.最后,根据数值模拟结果,对实验上不同放电功率下微晶硅薄膜的生长特性进行了解释. 相似文献
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