首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   9篇
  免费   3篇
  国内免费   2篇
数理化   14篇
  2020年   2篇
  2016年   1篇
  2014年   1篇
  2010年   1篇
  2009年   2篇
  2006年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   2篇
  2002年   2篇
  2000年   1篇
排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 156 毫秒
1.
圆周运动和(类)平抛运动是高中物理中两种典型的曲线运动;前者为变速曲线运动,后者为匀变速曲线运动.在考题中往往把两种运动综合在一起形成较为复杂运动问题,以下举例分析,以便共同探讨.  相似文献   
2.
灯盏花和多舌飞蓬为菊科飞蓬属植物,由于其形态上非常相似,因此在藏医药均被叫着"美多罗米"用于清热解毒、瘟病时疫.然而,它们在现代监床应用方面存在明显的差异.为了能简便快速的鉴别灯盏花和多舌飞蓬,借助于傅里叶变换红外光谱分析,采用主成分分析法(PCA)对来自13个不同产地的灯盏花和多舌飞蓬样品在植化组成上的相似性进行了聚类分析.比较了灯盏花和多舌飞蓬之间的差异程度,结果表明FTIR结合主成分分析在反映同属不同种及不同产地的同种植物化学组成差异程度上具有重要意义.所建立的方法可以快速、简便、直观地对灯盏花和多舌飞蓬进行聚类分析和质量鉴别,也可以为其他中药材和民族药材的鉴别研究提供参考.  相似文献   
3.
HG-ICP-MS同时测定生物样品中痕量As,Se,Hg   总被引:7,自引:0,他引:7  
以HNO3为介质,采用自行研制的二级气液分离器代替易消耗的膜分离器,在优化的实验条件下,采用HG-ICP-MS实现了As,Se,Hg的同时测定,分别获得了0.022,0.016,0.009 ngmL的检出限。实验研究了二级气液分离器中的气液分离行为、样品酸度、NaBH4质量浓度和引入方式等因素对测定灵敏度和精密度的影响。实验的结果表明,HG-ICP-MS同时测定As,Se,Hg的主要干扰来自于Fe,cu等过渡金属离子,样品溶液中抗坏血酸-硫脲的加入可以掩蔽这些离子的干扰。利用所建立的方法测定了人发、灌木叶和大米粉标样中痕量的As,Se,Hg,结果与标准参考值相符。  相似文献   
4.
从5个方面举例说明等效电源模型在解题中的应用。  相似文献   
5.
流动注射 ( FI)在线分离预富集方法与原子光谱技术的联用已成为原子光谱分析的主要发展方向之一[1] .方肇伦等 [2 ] 首先提出利用 PTFE管编织反应器 ( KR)吸附金属螯合物进行在线预浓集 -火焰原子吸收 ( FAAS)测定的联用技术 ,随后多种有机硫试剂被用作 KR体系的螯合剂 [2~ 6 ] .本文研究了双硫腙 ,APDC和 Na DDC用于 FI- KR- FAAS体系的在线预浓集 ,结果表明 ,双硫腙螯合体系具有更好的分析性能 .1 实验部分1 .1 仪器与试剂 PE- 31 0 0原子吸收分光光谱仪 .测定波长均为各元素最灵敏线 ;狭缝宽度 0 .7nm;提升量 4.0 m L/…  相似文献   
6.
该文主要综述了基于智能手机生化检测的光学和电化学检测技术,及其在生化传感分析中强大的通信手段。重点介绍了智能手机集成的生化传感器技术的性能、优点,及其在生化检测中的应用,讨论了目前智能手机在生化传感分析方面存在的局限性和面临的挑战,并展望了未来的发展方向和潜在的机遇。  相似文献   
7.
多孔金属片载杂多化合物膜的催化性能   总被引:4,自引:0,他引:4  
用组合化学法合成了Cu1.3As0.3PVMo11高元杂多化合物,并用红外和差热-热重分析技术进行了表征;将高元杂多化合物制成高分子催化膜,用于几种醇的选择性催化氧化反应,结果表明,高元杂多化合物膜具有优异的催化性能,更坦 步探索了多孔金属片载杂多化合物膜催化技术的应用。  相似文献   
8.
加速器是用来使带电粒子加速的装置,可把带电粒子加速到一定的能量,提供给一定装置或不同的实验使用.随着科学技术的发展,各种粒子加速器不断产生.本文拟对近年高考中的加速器问题进行分析和小结,以对加速原理为背景的问题作一比较.……  相似文献   
9.
在探究做功与速度变化关系的实验中,通过倍增法得到合外力对物体做的功,通过数字化实验系统测出对应的速度,结合WPS软件处理数据并描绘系列图像,得出做功与速度改变关系的结论.  相似文献   
10.
在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si 沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系. 分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大. 该模型为应变Si 器件阈值电压设计 关键词: 应变硅 阈值电压 电势分布 反型层  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号