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应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3和俘获截面(10-16cm2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧 相似文献
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本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×1012—1×1020cm-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为1018—1019cm-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×1017—1×1018cm-3的p-Si及5×1017—4×1018cm-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT-a,其中A=2.1×109,α=2.7(对空穴);或A=1.2×108,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×1011—5×1020cm-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。 相似文献
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With the rapid development of terahertz technology, terahertz detectors are expected to play a key role in diverse areas such as homeland security and imaging, materials diagnostics, biology, medical sciences, and communication. Whereas self-powered, rapid response, and room temperature terahertz photodetectors are confronted with huge challenges. Here, we report a novel rapid response and self-powered terahertz photothermoelectronic (PTE) photodetector based on a low-dimensional material: palladium selenide (PdSe2). An order of magnitude performance enhancement was observed in photodetection based on PdSe2/graphene heterojunction that resulted from the integration of graphene and enhanced the Seebeck effect. Under 0.1-THz and 0.3-THz irradiations, the device displays a stable and repeatable photoresponse at room temperature without bias. Furthermore, rapid rise (5.0 μs) and decay (5.4 μs) times are recorded under 0.1-THz irradiation. Our results demonstrate the promising prospect of the detector based on PdSe2 in terms of air-stable, suitable sensitivity and speed, which may have great application in terahertz detection. 相似文献
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采用慢气体扩散法, 以十八烯酸为软模板, 在天然木浆-聚酯纤维复合膜(Jetspun ClothTM膜)上仿生矿化原位合成碳酸钙. 衰减全反射傅里叶变换红外光谱表征和扫描电镜结果表明, 溶液中的部分十八烯酸会富集到Jetspun ClothTM膜上, 同时, 由于十八烯酸的羧酸根对钙离子的结合作用, 钙离子也被富集到Jetspun ClothTM膜上. 碳酸钙在Jetspun ClothTM膜的纤维上生长, 并最终形成碳酸钙薄膜-高分子纤维膜复合结构. 相似文献
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为了研究NH3气体在紫外203~220 nm内吸收截面随温度的变化规律,采用高分辨率光栅单色仪、氘灯光源、闭式气样室和配气装置,测量NH3气体温度由308 K升高至397 K的吸收截面.NH3气体吸收截面由离散吸收和连续吸收两部分组成.结果表明,随着温度的升高,基态剩余量子旋转、振动迁移到激发态的概率减少,最终导致离散吸收截面峰值的降低.随着温度由308 K升高至397 K,在特征波长212.5 nm处,离散吸收截面峰值的最大相对减幅为46%.NH3气体在这个波段的吸收截面存在明显的等波长间隔分布特征,约为4 nm.随着温度升高,峰值位置未见变化.连续吸收截面整体上随温度升高而减小,且这种减小趋势随波长红移逐渐减弱.由于NH3气体吸收截面随温度的变化呈现较大的变化,实测时应对气体浓度在线测量结果进行温度补偿计算. 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs graded index separate confinement heterostructure single well(GRIN-SCH SQW)激光器的高温陷阱。样品的DLTS表明,在激光器的n-AlGaAs层里存在着高温(空穴、电子)陷阱,它直接影响着激光器的性能。高温空穴陷阱可能分布在xAl =0.2→0.43和xAl=0.43的n-AlGaAs层界面附近,而高温电子陷阱则可能分布在xAl=0.43的n-AlGaAs层里xAl值不连续的界面附近。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的O有关。
关键词: 相似文献
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制备一种壳核结构的Fe3O4@Ag磁性纳米粒子,将该纳米粒子通过壳聚糖(CS)修饰在玻碳电极(GCE)表面,制备了对杀螟硫磷有灵敏电化学传感的Fe3O4@Ag/CS/GCE。应用透射电镜(TEM)和紫外可见光谱(UV-VIS),对Fe3O4@Ag纳米粒子进行表征。运用电化学交流阻抗(EIS)、循环伏安法(CV)和时间电流法(I-T)来研究杀螟硫磷电化学特性。研究发现,在1.74×10-7~3.27×10–4 mol/L浓度范围内,该传感器可以实现对杀螟硫磷的快速检测,检测限为5.7×10-8 mol/L(S/N=3) 相似文献