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2.
3.
国内微电子产业迅猛发展,支持在低端产品的基础技术人员的储备已经达到相当规模,但自主研发高端产品的专业人才匮乏。目前高等学校微电子专业改革中,在通才和专才培养模式之间很难找到平衡点。本文通过对比中美的微电子人才培养模式,讨论微电子专业通才和专才的培养模式。 相似文献
4.
从表层定量解读描绘的街路景观——《清明上河图》的成分分析 总被引:1,自引:0,他引:1
作为定量解读描绘的街路景观的继续,以《清明上河图》为分析对象,应用成分分析的方法,通过对共通成分和示差成分的分析,得出了《清明上河图》中所绘表层的一般型和示差成分的结构,以此解释《清明上河图》中所绘表层的统一性和多样性的并存. 相似文献
5.
针对高精度集成电路系统,工艺条件导致的误差需要通过修调弥补。基于 0.18 μm CMOS 工艺设计了一种针对片上基准源的修调电路,通过调整数字输入信号,对电阻网络修调电路进行控制,通过重配置输出级电阻比例,从而达到对基准源电压的调整。基准源采用改进的 Neuteboom 带隙电路,在 5 V 电源电压的工艺条件下进行仿真测试,在-40~125 ℃温度范围内,实现了 2.98×10-6/℃的温度系数。通过电阻网络修调的基准电压变化范围为 2.3840~2.5154 V,电压修调步长为 2 m V。 相似文献
6.
7.
爆炸冲击波作用下建筑结构动力特性的数值模拟与试验 总被引:3,自引:0,他引:3
利用ALE算法和炸药爆轰产物JWL状态方程,采用动力分析有限元程序LS-DYNA3D,对2层框架结构建筑物在爆炸冲击波作用下的动力特性进行数值模拟,并通过结构模型的爆炸试验,得出不同位置处质点压力和加速度时程曲线.研究表明,数值模拟与现场试验结果基本吻合,汽车炸弹在近距离爆炸时对建筑物的破坏威胁较大. 相似文献
8.
9.
设计了一种改进的带隙基准电压源,通过采用分段电流补偿的方法,实现了低压高精度供电。研究基于TSMC 0.35μm CMOS 3V工艺基础,重点考虑主要工作温度区域输出电压随温度变化的精度问题。仿真结果表明,该电路可提供低至500mV的低压,实现了高阶电流补偿,在-40℃~+100℃温度范围内其温漂系数仅为3.7ppm/℃,在芯片主要工作温度范围内,输出基准电压最大偏差小于8μV,低频时电源抑制比为-70dB。 相似文献
10.
Fe—P非晶态合金电镀层性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在以氯气化亚铁和次磷酸钠为主盐的电解液中获得含P量Pp=10%~14%的Fe-P非晶态合金镀层,测量了镀层的差热分析同线和经不同热处理后镀层的显微硬度,据此分析了加热对镀层结构的影响,直流电镀所得Fe-P非晶合金镀层很脆,使用交直流迭加电流进行电镀可以使镀导脆性大小减小。 相似文献