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工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。 相似文献
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通过分析常见的单螺杆泵、双螺杆泵的结构特点,阐述这两种螺杆泵的工作原理,并将单螺杆泵、双螺杆泵这两种泵进行对比,总结出两种螺杆泵各自不同的特点和优越性。同时针对单螺杆泵在应用中产生振动的问题,分析其产生振动的原因,提出了防止单螺杆泵振动应采取的几种方法与措施;并针对双螺杆泵在应用中对含沙量比较敏感提出一定的防治措施,为以后在油田中的应用中合理选择螺杆泵提供一定的依据。 相似文献
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分析了灞桥热电有限责任公司12号主变低压侧电压互感器三相对地电压不平衡的原因,并提出了相应的改进措施。 相似文献