微型顶管施工研究与试验

对狭窄空间微型顶管施工技术进行了理论研究,并研制了一种微型顶管施工设备.在试验基地进行工艺与设备试验,并在沪昆高铁嘉兴南站路基线间排水修复工程中进行了实际试验,确认微型顶管施工效果良好.微型顶管施工可以解决高速铁路无砟轨道路基线间排水不畅,以及车站改扩建过程中电力电缆管线穿越既有运营线的问题.     

基于不同阻挡层材料的铜互连热应力有限元分析

本文利用ANSYS有限元软件分别对用TaN和ZrN作为扩散阻挡层的Cu/barrier/SiO2/Si结构中铜线的热应力分布进行仿真。研究热载荷350℃到20℃不同阻挡层材料单大马士革和双大马士革两种结构铜互连线的热应力。通过仿真结果得到:单大马士革结构中,在阻挡层材料为ZrN时铜线中等效应力(700MPa)比阻挡层材料为TaN时等效应力(800MPa)小;双大马士革结构中,用ZrN作为阻挡层铜线中各个方向的热应力σx、σy和σz分别比TaN作为阻挡层时小100MPa、300MPa和200MPa。本文还研究阻挡层材料分别为ZrN和TaN时,改变阻挡层的厚度对铜线热应力的影响。结果表明,热应力随着阻挡层厚度的增加而增加。各种厚度ZrN作为扩散阻挡层时的应力都比TaN作为扩散阻挡层的应力小,x、y和z方向的应力SX(ZrN)、SY(ZrN)和SZ(ZrN)分别减少了50MPa、200MPa和50MPa。     

低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究

横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0 V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.     

四角布置直流燃烧器的燃烧浅析

结合电厂锅炉的燃烧调整试验,分析了燃烧时炉膛内部的动力工况,对燃烧切圆的半径变化及沿切圆径向的静压分布等进行了简单分析,以供锅炉燃烧调整时参考。     

一种改进的核脉冲峰值甄别器

为了避免以往峰值甄别器在输入信号脉宽、峰值均随机的情况下因ADC转换速度造成后端处理器的错记、漏记现象,利用微分过零比较器设计了一种应用于核脉冲峰值探测器的CMOS峰值甄别电路,完成了峰值时刻触发ADC进行峰值模数转换和峰谷时刻进行复位触发的功能.通过Hspice软件进行仿真,证明了采用该峰值甄别电路可以使峰值探测系统完成对输入信号峰值信息的准确检测,同时消除了对转换速度较快ADC的限制,减小了整个系统的死时间.     

点压渐进成形工具头运动轨迹形成方法研究

在普通渐进成形工艺的基础上,结合CNC成形锤渐进成形工艺特点,通过改变成形时的刀路轨迹,将二维等高线层上的点离散为正弦曲线上的插值点,使工具头在每一层上有规律地进行跳跃式运动,从而形成新的点压式渐进成形工艺。在数控渐进成形机床上,使用点压渐进成形工艺成形出65°定角度圆形口锥杯以及方形口锥杯。结果表明,使用这种方法修改后的运动轨迹能在数控渐进成形机床上实现加工,验证了点压式渐进成形工艺的可行性,并且可以用于不同形状的刀路轨迹。     

CMOS峰值检测电路

采用差动运算放大器加电流镜的方法,设计了一种CMOS峰值检测电路,包括峰值电压检测及输入信号过峰时刻甄别两部分.该电路设计基于0.5μm CMOS工艺,实现对峰值电压范围为0～5V,脉冲宽度1～5μs的准高斯信号的精确检测,误差小于6mV。另外,改进了过峰时刻甄别电路,采用了先微分再过零比较的办法,避免了一个准高斯信号输出多个峰值电压.     

微量TiO2对Ni/SiO2催化剂催化顺酐加氢制γ-丁内酯的促进作用

 采用等体积浸渍法分别制备了Ni/SiO₂和含TiO₂的Ni/SiO₂催化剂,采用XRD、TPR、XPS、N₂吸附-脱附技术对催化剂进行了表征,并将催化剂应用于顺酐液相加氢制γ-丁内酯反应中,考察了Ni含量、TiO₂添加量、催化剂还原温度对催化剂活性的影响。结果表明,Ni/SiO₂催化剂对顺酐液相加氢制γ-丁内酯反应具有很高的催化活性, γ-丁内酯选择性很高;Ni/SiO₂添加微量助剂TiO₂,可以提高该反应的γ-丁内酯选择性。推测可能是由于TiO₂促进了催化剂的还原,产生更多的活性中心,并且在400℃还原时,Ni和TiO₂之间产生了强金属-载体相互作用（SMSI效应）,TiO₂富集到Ni的表面,将电子转移到Ni上,产生了更多有利于吸附羰基的活性中心,从而提高了γ-丁内酯选择性。