全文获取类型
收费全文 | 74篇 |
免费 | 7篇 |
国内免费 | 10篇 |
学科分类
工业技术 | 91篇 |
出版年
2023年 | 4篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 4篇 |
2013年 | 1篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 3篇 |
2010年 | 6篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 3篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 2篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 1篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 1篇 |
1995年 | 10篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 2篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 3篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有91条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
探讨了单相合金高温形变再结晶后连续冷却条件下正常晶粒长大问题。结合传热学及晶界迁移理论证明,在连续冷却条件下晶粒的长大满足关系。进一步的理论分析表明,在连续冷却条件下,晶粒的长大存在因温度连续变化而形成的极限尺寸d_m,以及相应的临界时间τ_c。试验结果与上述理论吻合较好。 相似文献
2.
TiAl合金PST晶体断裂过程原位TEM观察 总被引:1,自引:0,他引:1
利用TEM原位应变观察技术研究了TiAl合金PST晶体中裂纹扩展过程。发现界面与裂纹的交互作用与界面类型有关,不对称的伪孪晶界面(γ/γP)对裂纹扩展的阻碍最强烈。片层界面以及二次裂纹导致的裂纹分叉是层状组织韧化TiAl合金的重要原因。当裂纹与片层界面的夹角不同时,γ相所表现的两种截然不同的断裂方式表明在TiAl合金的脆性本质中包含有位错动力学的因素。 相似文献
4.
采用先驱体浸渍-裂解工艺结合三种基体改性方式制备了SiC/SiC复合材料,通过形貌分析和力学性能测试,分析了基体改性对Si C/SiC复合材料高温抗氧化性能的影响。研究表明,经1200℃静态空气氧化100h后,三种基体改性的复合材料弯曲强度几乎没有下降,氧化200h后,弯曲强度保留率均可达到80%;氧化300h后,复合材料内部结构没有氧化现象,表面区域界面层的氧化程度降低。改性基体中的B元素氧化生成液相封填SiC涂层表面,延缓了SiC涂层的氧化进程,并阻止氧化介质进入复合材料内部,保护纤维和界面层,从而使SiC/SiC复合材料的长时静态高温抗氧化性能明显提高。 相似文献
5.
随着西部大开发和振兴东北战略进一步深化,各种寒区工程得以大规模修建。为了保证建、构筑物的寿命,使其在服役期内能够保持正常的工作状态,要求冻土和结构物具有良好的冻结强度和稳定性,冻土-结构接触面特性是冻土力学特性最直接的反映,而接触面粗糙度是影响这一特性的重要因素。因此主要从粗糙度出发,根据国内外现有冻土-结构接触面剪切试验研究成果,从粗糙度的评定、粗糙度对力学特性的影响及其微观机理等方面进行了系统的分析;最后基于Gompertz模型构建了可考虑粗糙度影响的接触面剪应力-剪切位移本构模型,验证表明,该模型能够较好地描述接触面的剪应力-剪切位移发展规律。 相似文献
6.
云南鹤庆炉坪铅多金属矿床是新发现的—个大型隐伏矿床,位于北衙超大型金多金属矿床北部,属北衙金多金属矿田斑岩—热液成矿体系的组成部分,是该成矿体系中的新类型矿床.对比北衙矿区的成矿特点,认为在北衙向斜构造的轴部应该存在构造薄弱地带,能够为万硐山正长斑岩成矿体系中的成矿流体运移提供通道和赋存空间,同时结合良好的Pb-Au-Ag-Zn-Cu-As-Sb组合异常显示,通过钻探验证而发现的铅多金属隐伏矿床.矿体沿中三叠统北衙组灰岩与下三叠统青天堡组砂泥岩层间及中三叠统北衙组灰岩内层间破碎带产出,已探获铅金属量大于80万t,金金属量近20 t,银金属量大于1000 t、锌金属量大于11万t.文章在总结矿区地质特征的基础上,指出了新的找矿方向. 相似文献
7.
8.
9.
大面积混凝土地面平整度控制是施工难点,国家规范仅对3m靠尺实测要求平整度≤5mm作了明确,目前这个规定已不能满足特殊地面对平整度的要求。我们在施工中有效地制定了控制措施和采取激光控制技术,达到大面积混凝土地面平整度极差不超2mm/3m的合同目标,从而解决了地面空鼓、起壳、开裂、不平等问题,达到了大面积超平地坪质量要求。 相似文献
10.
为研究三氯环硼氮烷(TCB)对聚碳硅烷(PCS)性能及陶瓷转化的影响,将一定量的TCB加入PCS中制备TCB改性PCS聚合物,分析了TCB与PCS的反应性及TCB用量对改性PCS结构、陶瓷收率、可加工性和SiC产物微结构的影响,并采用红外光谱、热重、X射线衍射等测试技术对相应产物进行表征.结果表明,PCS中的Si-H键可部分地与TCB中的-Cl反应生成HCl;随着TCB质量分数的增加,PCS中Si—H键相对于Si-CH3的浓度比呈下降趋势.TCB的加入可显著提高PCS的陶瓷收率,TCB质量分数大于8%时,陶瓷收率质量分数约增加10%.TCB质量分数为5%~8%时,可在提高PCS收率的同时使其保持较好的可加工性能,TCB质量分数大于8%时,可加工性能变差.B、N的引入对SiC的微结构有影响:在氩气保护下,经1000℃热处理时,TCB的加入促进SiC晶粒的生长;经1400℃热处理时,TCB的加入抑制SiC晶粒的长大. 相似文献