500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化

介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压V_gs=10 V时导通压降为0.2 V,特征导通电阻为123.6 mΩ.cm².     

低导通电阻沟槽栅极LIGBT的模拟研究

横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)采用少数载流子的注入来降低导通电阻,完成了5μm外延层上普通LIGBT(C-LIGBT)、3μm外延层上的Trench Gate LIGBT(TG-LIGBT)设计及仿真.研究了利用沟槽结构改善LIGBT的正向特性和利用RESURF技术改善TG-LIGBT的反向特性.通过Silvaco TCAD软件验证了了击穿电压大于500 V的两种结构LIGBT设计,实现了导通压降为1.0 V,薄外延层上小元胞尺寸,且有低导通电阻、大饱和电流的TG-LIGBT器件.     

基于Contourlet变换在图像去噪中的应用

Contourlet变换是小波变换的新发展,能更有效地捕捉图像中的几何结构。本文提出一种基于Contourlet变换的图像去噪方法。该方法通过对阈值去噪中的统一阈值和阈值函数进行分析,构造出一个新的阈值函数,新阈值函数在一定程度上改进了统一阈值"过扼杀"Con-tourlet系数的缺点,同时也使硬阈值去噪中出现的伪吉布斯现象得到解决。实验结果表明,本文采用的方法提高了去噪后图像的PSNR值,同时有效地保留了图像纹理信息,使视觉效果更好。