2CK正向压降温度特性的研究

介绍一种改善2CK正向压降温度特性的方法。根据晶体管原理,利用了P-n结上的压降随温度升高而减少,体电阻上的压降随温度的升高而增加的特点,二者互相补偿,使整个二极管上的正向压降随温度的变化率减小。通过理论计算及工艺实验,证明了此理论的正确性,井已用于生产,其效果良好。     

气敏薄膜电导响应的扩散反应和传感理论（Ⅱ）──实验结果与讨论

本文通过实验结果证实了扩散反应模型，证实了Ｆｉｃｋ扩散定律可推广用于有表面反应的金属氧化物多孔材料中，支持了以兰缪－享希尔伍德机理和传感理论为基础建立起来的扩散反应电导气敏响应的理论．提出了一种通过气敏电导现象的观测和分析来研究表面化学物理有关问题的方法．还就密闭测试室的过冲驰豫现象进行了分析讨论．     

金属氧化物半导体电子亲合势的确定

电子亲合势是半导体能带结构中的重要参数,对研究光电池、异质结、衬底或电极对样品的影响有重要意义,然而这个参数目前尚无法直接测定。近年来,我们以SiO_2和Al_2O_3为衬底研究了多种不同结构、不同厚度、不同组分的金属氧化物薄膜。在查找SiO_2和Al_2O_3的电子亲合势中,发现它们目前尚无确定的参数,而     

开关二级管正向压降一致性的研究

本文给出了一个改善2CK正向压降一致性的方法。一方面,利用理想二极管原理,减小串连电阻,使伏——安特性曲线更加陡直,改进了正向压降的一致性;另一方面,应用扩散理论及正向压降(V_(?))与势垒电势差(V)的关系。在工艺上,通过控制扩散时间和温度,进而控制B掺杂浓度和梯度,以达到控制并改善V的目的。实验结果证明以上分析是正确的,成品率得到大大提高。     

金属氧化物气敏半导体表面受感性能的研究

本文提出了用化学反应动力学理论研究半导体统计分布的方法，并用此方法对在气敏材料表面可能产生吸附氧离子Ｏ２＾－，Ｏ＾－的几种历程进行了研究，导出了浓度比［Ｏ２＾－］／［Ｏ＾－］随温度的升高而下降的事实，通过对吸附氧离子麦德隆势的计算，得出了在完整离子晶体表面上不可能产生氧离子Ｏ＾－的结构，并讨论了可能产生离子Ｏ＾－的途径。     

气敏薄膜电导响应的扩散反应和传感理论（Ⅰ）基本理论

根据一些气敏材料显微结构的数据，提出了电导响应的扩散反应模型，并以此为依据建立了理论和薄膜样品的扩散反应方程；根据两类常用的气敏电导测试设备的不同边值条件，解出了还原气体的浓度在扩散反应过程的时空特征。为了使理论同实验相对照，又提出了多晶多孔结构晶粒联接电导的模型，并以此为根据建立了气敏电导的传感理论，导出了薄膜型样品可供与实验结果对照的电导响应的规律和特征。