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在顶色辅助的人工色(TC2)理论模型中,研究了树图下中性top—pion(πt^0)的衰变过程πt^0→bb^-,tt^-,tc^-和圈图下中性top—pion(πt^0)的衰变过程πt^0→gg,γγ,γz,通过对这些衰变过程的衰变分支比的计算,可以得到πt^0在树图下的主要衰变过程为πt^0→tt^-,tc^-,在圈图下的主要衰变过程为πt^0→gg.对于小质量的中性top-pion(πt^0),可以用πt^0→tc^-来探测;对于大质量的中性top—pion(πt^0),可以用πt^0→tt^-来探测.中性top—pion(πt^0)是TC2模型中的特征粒子,通过对这些过程的研究可为在将来的直线对撞机上探测top—pion(πt^0)的存在提供理论依据。以此来检验TC2理论的正确性. 相似文献
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实用半导体激光电源的研制 总被引:4,自引:0,他引:4
分析了半导体激光器的特性及损坏的各种原因,介绍了一种实用的半导体激光电源,该电源已成功地应用于我们研制的光纤测温仪中。 相似文献
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研究了具有庞磁电阻(CMR)效应的锰基钙钛矿氧化物La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)与Al复合体系的电磁输运性质.根据X射线衍射分析及电阻率与温度的关系可知,在(1-x)LCMO+xAl(x代表物质的量)复合样品中,发现了新相Al2O3,且LCMO晶格常数和晶胞体积随Al掺量的增加而减小,同时在复合样品中出现了除对应LCMO本征金属-绝缘体转变峰TP1之外,在较低温度区域出现了另外一个转变峰TP2的现象,且复合样品转变峰TP2比LCMO本征金属-绝缘体转变峰TP1处于较宽的温度区域.经研究认为,在合成复合样品的实验过程中,既有Al被氧化为Al3+替代Mn3+的替代反应,也有Al经过高温与空气发生反应生成Al2O3,进而填隙在LCMO晶界处影响母体的电磁输运性质.本系列复合物中较宽温度区域CMR的发现为今后同类问题的研究提供了很好的实验基础. 相似文献
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研究了具有庞磁电阻(CMR)效应的锰基钙钛矿氧化物La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)与Al复合体系的电磁输运性质.根据X射线衍射分析及电阻率与温度的关系可知,在(1-x)LCMO+xAl(x代表物质的量)复合样品中,发现了新相Al2O3,且LCMO晶格常数和晶胞体积随Al掺量的增加而减小,同时在复合样品中出现了除对应LCMO本征金属-绝缘体转变峰TP,之外,在较低温度区域出现了另外一个转变峰TP2的现象,且复合样品转变峰T阳比LCMO本征金属-绝缘体转变峰TP1处于较宽的温度区域.经研究认为,在合成复合样品的实验过程中,既有Al被氧化为Al^3+替代Mn^3+的替代反应,也有Al经过高温与空气发生反应生成Al2O3,进而填隙在LCM0晶界处影响母体的电磁输运性质.本系列复合物中较宽温度区域CMR的发现为今后同类问题的研究提供了很好的实验基础. 相似文献
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SOI压力传感器封装工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
针对高温环境下各种气体和液体压力的测量要求,应用微机电系统技术研制了一种新型的SOI(Silicon on Insulator)压力传感器,并设计了一种耐高温的封装结构.采用有限元方法详细地分析了贴片材料对传感器灵敏度、应力分布及可靠性的影响.分析数据表明,贴片材料的杨氏模量和厚度对传感器的灵敏度和可靠性有较大影响,合理选择贴片材料可优化传感器性能.在分析的几种焊接材料中,AuSn焊料是一种性能优良的焊接材料,比较适合用于SOI耐高温压力传感器的封装工艺中.通过对研制压力传感器样品性能的测试,结果表明:该传感器测量精度达0.5%,测量压力量程为30MPa,测量介质温度为200℃. 相似文献
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本文探讨了利用晶体的Pockels效应来测量高电压的技术,该技术传统的各种高电压测量技术相比,具有测量系统体积小,造价低,与被测电压之间可实现安全全隔高等优点。因此,该技术对术于工矿企业具有广阔的应用前景。 相似文献
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(Ti40Zr25Cu9Ni8Be18)100-xNbx(x=0,1,3,4,5 at%)钛基大块金属玻璃由铜模铸制得,制得的金属玻璃由直径大于6 mm的全非晶相构成。铌添加对非晶形成能力和热稳定性的影响由X射线衍射仪,透射电子显微镜和示差扫描热量计分析研究,机械特性由MTS810型力学特性测试仪在室温下以压缩模式测量,应变速率为2×10-4 s-1。实验发现:铌的添加对非晶形成能力几乎没有影响,但使得热稳定性有所提高。随着铌含量的增加,合金表现出很高的抗断强度,当x=4时,合金表现出最高的耐压强度1945 MPa和塑性延伸7%,塑性有明显提高。扫描电子显微镜分析表明,(Ti40Zr25Cu9Ni8Be18)96Nb4的高延展性是由于形成了高密度的剪切带的原因。 相似文献
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