排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
金刚石具有一系列独特的力学、热学、声学、电学、光学和化学性能,在高科技领域具有广阔的应用前景。普通CVD金刚石膜是高度绝缘的,不能采用如电火花等加工导电聚晶金刚石(PCD)的方法和设备对其进行加工。本文通过掺硼实现了金刚石膜的导电。开展了电火花成型和线切割的实验研究,并通过SEM、Raman分析和粗糙度测量对加工后的表面进行了分析。 相似文献
2.
采用直流磁控溅射镀膜技术制备了纳米铝颗粒膜,并尝试通过两种方式获得纳米铝的表面等离激元共振吸收峰,一种是先在室温石英基底上沉积纳米铝,再进行真空退火;另一种是在热石英基底上沉积纳米铝。用透射电镜和扫描电子显微镜、X-射线光电子谱、紫外-可见吸收光谱表征了样品的形貌和晶态结构、成份和吸收特性。采用比对的方式,研究了基底温度、沉积时间对两种方法制备的纳米铝表面等离激元共振的影响。结果表明,先沉积纳米铝,再进行真空退火,不能获得表面等离激元共振吸收峰,而在热基底上沉积纳米铝,可以获得明显的表面等离激元共振吸收峰。通过调控沉积时间和沉积温度实现了纳米铝表面等离激元共振峰从紫外光区到可见光区的可控移动。而且,研究发现对于平均厚度大于3 nm的纳米铝薄膜,由于纳米铝氧化具有自限性,其表面等离激元共振特性在空气中稳定且主要取决于纳米铝颗粒的团聚度。本研究对理解纳米铝表面等离激元共振特性及其应用具有指导意义。 相似文献
3.
CVD参数数据采集系统 总被引:1,自引:0,他引:1
在CVD金刚石膜生长过程中,衬底温度、热丝电流、反应室真空度和气源流量等是其重要的工艺参数.针对CVD金刚石膜沉积生长中四个重要的工艺参数,本文设计了数据采集系统.选用片内集成模拟量采集模块的8098单片机为下位机,上位机采用工控机,通过RS232串口进行通信.该主从式数据采集系统,硬件配置简单,抗干扰能力强,软件编程方便,人机界面友好.该系统已通过调试,运行良好. 相似文献
4.
5.
6.
金刚石虽然具有极为优异的性能,如具有很大的能隙,高的电子迁移率、空穴迁移率和高热导率,以及负的电子亲和势,但要将它用于半导体材料时还不能直接使用,必须要先进行金刚石的P型和n型掺杂。因此,研究金刚石的P型和n型掺杂具有很重要的现实意义。在金刚石薄膜中掺杂时,一般是掺入硼原子以实现P型掺杂,掺入氮原子或磷原子以实现n型掺杂。然而,由于N和P在金刚石中的施主能级太深,现在n型掺杂金刚石薄膜制备尚不成功,这是金刚石实用化的障碍。本文介绍了金刚石膜掺硼目的、方法和制备,总结了掺硼金刚石膜在微电子、电化学、光电子、工具等领域应用状况以及存在问题。 相似文献
7.
8.
9.
10.
谷物干燥的模糊专家系统控制 总被引:1,自引:0,他引:1
针对目前谷物干燥机效率低、自动化程度不高、谷物干燥的速度和烘干品质较低等问题,设计了以知识库为基础的模糊专家系统.介绍计算机控制系统硬件组成和软件实现.实验结果表明,该控制系统运行可靠,使用方便,提高了干燥机自动化程度. 相似文献