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制备了柠檬酸钠保护的金和银纳米粒子,并用自组装法制备了金和银纳米粒子修饰的玻碳电极,在近中性的磷酸缓冲溶液中,比较研究对苯二酚在金和银纳米粒子修饰玻碳电极上的电化学响应情况。结果表明金和银纳米粒子均对对苯二酚的电氧化过程具有优越的电催化效果;与银纳米粒子修饰电极相比,金纳米粒子修饰电极表现出了良好的稳定性;对苯二酚在金纳米粒子修饰玻碳电极上的电化学反应是受扩散控制的。 相似文献
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采用水热法制备了一系列石墨相四氮化三碳-氧化锌(g-C3N4-ZnO)复合材料,并使用X射线衍射、高分辨透射电子显微镜、Fourier变换红外光谱和X射线光电子能谱对复合材料进行了表征,研究了g-C3N4-ZnO复合材料的气敏性能。结果表明:加入9%(质量分数,下同)g-C3N4所制备的g-C3N4-ZnO复合材料在300℃对乙酸具有较好的气敏选择性和较高的气敏灵敏度,对10-3乙酸气体灵敏度达到260.4,响应和恢复时间分别为6 s和5 s,对10-6乙酸气体灵敏度可达到1.8。 相似文献
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鉴于遥感影像和遥感技术共享应用程度低的现状,本文提出在国际互联网络上建立共享应用平台的构想。通过应用地理信息系统技术和网络技术,以网站的形式来实现图层叠加和影像的显示,采用专门开发的WebGIS软件,为用户提供影像上任意一点多元地理信息,以辅助用户对影像判读和解译,并进一步实现图斑勾绘和专题图制作。目的是推进遥感技术的普及应用。本文还对这一设想所引出的问题进行了探讨和分析。 相似文献
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利用自制的抛光液对高纯镍片进行化学机械抛光,研究化学机械抛光过程中抛光压力、pH值、H2O2浓度、络合剂种类及其浓度、SiO2浓度等参数对抛光速率的影响。结果表明在抛光压力为13.79kPa、H2O2浓度为0.5%,pH值为3.0,SiO2浓度为0.5%,络合剂EDTA及其浓度为1%时,得到最大抛光速率为312.3nm/min;在抛光压力为13.79kPa、pH值为4.0、SiO2浓度为1%、络合剂EDTA为1%、H2O2浓度为1%条件下抛光得到的镍片表面质量较好,表面粗糙度Ra达到5nm。并利用电化学手段研究了镍片在抛光液中的溶解与钝化行为。 相似文献
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研究了抛光液中H2O2和水杨酸浓度对钌的抛光速率的影响。采用电化学方法和X射线光电子能谱分析了H2O2和水杨酸对金属钌腐蚀效果的影响;采用原子力显微镜观察钌表面的微观形貌。结果表明:水杨酸浓度的增加有利于金属钌表面钝化膜的形成,抛光速率值随之增加;随着H2O2浓度的不断增加,抛光速率不断增加,当H2O2质量分数大于3%时,抛光速率值随浓度的增加而降低。抛光后的金属钌表面平均粗糙度Ra为7.2 nm。 相似文献
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我们知道,面粉灰分的测定是鉴定面粉品质优劣的重要指标之一。它对指导加工、提高面粉品质具有重要意义。过去我们常用550C灼烧法和850C灼烧法。前者适用于结果准确度高的灰分测定,操作方法简便,但测定时间长。850C法适用于快速灰分的测定,准确度差些。在面粉厂,为能及时指导生产,可采取减少试样,增大灼烧容器面积等办法,来加速灰分的测定。现将目前采用的一种快速方法介绍如下,仅供参考。1仪器用品1.140毫升平顶增朗盖(直径约为52毫米去掉盖环,磨平洗净,烘干备用);1.2小毛刷一把;1.3SDX80毫米描图纸一张;其它仪器与8… 相似文献
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为了全面做好粮食收购工作,认真贯彻落实以质论价政策,兼顾国家、企业和农户三者利益,堵塞各种漏洞,针对秋粮收购验质检斤这一矛盾的特点,我们在密码验质的基础上,从1998年开始,在一些收储企业尝试采用封闭式检验,通过实践验证效果良好。1何谓封闭式封闭式就是把检验室、抄票室、检厅室合并在一栋房内,各有各的工作间。除办公用品外,室内设有开水、餐桌和便所。从早开秤到晚停秤期间,室内的工作人员一律不准走出办公室,饭时由专人送饭,工作人员不准带传呼机和手机,由主管主任指挥室内工作,并没有电脑监控装置,通过微机全面… 相似文献
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通过高温煅烧法对粉煤灰进行活化,采用酸浸法浸取活化后粉煤灰中的镓。研究了煅烧条件(助剂种类、助剂含量、煅烧温度、煅烧时间)对粉煤灰中镓的浸出效果的影响。采用X射线衍射表征粉煤灰以及不同煅烧条件下所得产物的物相组成,用ICP测定了浸取液中的镓的含量。研究结果表明:在3种助剂(碳酸钠、碳酸钙和氧化钙)中,碳酸钠是粉煤灰活化的最优助剂;碳酸钠与粉煤灰的质量比为1.5∶1、煅烧温度为800 ℃、煅烧时间为120 min时,粉煤灰中镓的浸出量(质量分数)为5.262×10-5。 相似文献
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制备了一种纳米SiC抛光液,用透射电镜观察其粒子形貌,通过纳米粒度仪研究了分散剂种类对悬浮液中SiC的粒径分布和Zeta电位的影响,并用制备的抛光液对蓝宝石晶片进行化学机械抛光。使用原子力显微镜观察蓝宝石晶片抛光后的表面形貌。结果表明:SiC磨料在以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为分散剂的悬浮液中分散效果最好;在相同试验条件下,采用质量分数1%的SiC抛光材料的去除速率最大,为24.0 nm/min,获得蓝宝石晶片表面质量较好,表面粗糙度R a为2.2 nm。 相似文献