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采用CVD方法制备了Ir/Re复合材料。研究了Ir层中Ir晶粒的形貌和生长特点,计算得到Ir晶粒生长动力学方程:(x2-x02)/t=4.31×103exp(-2.65eV/kT)(μm2·s-1)。研究了CVD过程中Re层表面晶粒生长和V,W型浸蚀纹的关系。对靠近Ir层的细晶粒区和Re层中部的柱状晶粒区中Re晶粒的再结晶长大进行了研究,计算得到柱状晶区中Re晶粒的生长动力学方程:(x2-x02)/t=2.55×103exp(-1.52eV/kT)(μm2·s-1),研究了Ir/Re扩散、Re扩散对细晶区中Re晶粒生长动力学的影响。 相似文献
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在铸态情况下,研究了添加微量Ni对MgNi合金的微观组织、力学性能、硬度及断裂方式的影响.结果表明,纯Mg的组织主要为α相,MgNi系列合金MgNi0.28,MgNi0.99,MgNi1.54合金除了α固溶体外,还存在γ相和Ni相.纯Mg的晶粒粗大,加入Ni后,晶粒得到细化,大小趋向均匀.当添加少量Ni时,合金的抗拉强度显著增加;但当Ni含量超过0.28%时,抗拉强度增加不明显.随Ni含量的增加,MgNi合金的延伸率、硬度先增大后减小;MgNi合金的断裂方式由解理断裂向沿晶断裂方向发展. 相似文献
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以乙酰丙酮铱为沉积源物质,采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜,研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响。发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式,当Tsub低于750℃时,Dr随Tsub的上升而直线增加;而当Tsub高于750℃,Dr则随Tsub的上升而呈直线降低,Dr值在750℃时达到最大。SEM研究表明,铱薄膜以约0.1μm的颗粒沉积生长,表面形貌与钼基体表面加工痕迹相对应,铱薄膜中的氧含量与沉积过程通入的氧气流量有关。 相似文献
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铱薄膜的MOCVD沉积效果研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在Mo基体上制备Ir薄膜。研究Ir的沉积效果与沉积温度及反应气体(O2)间的关系。Ir薄膜的沉积速率与沉积温度之间的关系不符合Arrhenius方程,沉积速率与沉积温度绝对温度的倒数呈抛物线关系,当温度为750℃时,Ir的沉积速率达到最大值,沉积温度对Ir薄膜的显微形貌有显著影响;O2的流量对薄膜的成分、形貌及结构等均有显著影响。 相似文献
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研究了Ir/Re喷管制备过程中的Ir/Mo互扩散问题。在电子探针测量的基础上,根据扩散理论和Ir-Mo相图数据,建立并推导Ir/Mo扩散模型和解。计算得到Ir3Mo相中的互扩散系数为:D=9.0×10-9exp(-1.46eV/kT)(cm2/s),Ir基固溶体中的互扩散系数为:D=5.0×10-10exp(-1.1eV/kT)(cm2/s)。确定喷管中Ir/Mo互扩散的特点,给出估算Ir3Mo相层厚的方法。确定Re在Ir3Mo相中的扩散主要是受Ir控制。 相似文献
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设计合成了一种新的离子型铱配合物[Ir(dmpmq)2(dtbpy)]PF6,该配合物以2-(3,5-二甲基苯基)-4-甲基喹啉为主配体,4,4''-二叔丁基-2,2''-联吡啶为辅助配体,六氟磷酸根为阴离子。通过核磁共振谱(1H-NMR,13C-NMR)、质谱(MS)、单晶X射线衍射(XRD)确认了配合物的化学结构,采用光致发光光谱(PL)和紫外可见光谱(UV-Vis)对其光物理性能进行了研究。结果表明,该配合物为单斜晶系,空间群为C2/c;配合物在二氯甲烷溶液中的最大发射波长为579 nm,为典型的黄光发射离子型铱磷光配合物。 相似文献