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1.
2.
3.
1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
提出具有p埋层的1200V多区双RESURF(MR D-RESURF) LDMOS, 在单RESURF(S-RESURF)结构的n漂移区表面引入多个p掺杂区,并在源区下引入p埋层,二者的附加场调制器件原来的场,以改善其场分布;同时由于电荷补偿,提高了漂移区n型杂质的浓度,降低了导通电阻.开发1200V高压BCD(BJT,CMOS,DMOS)兼容工艺,在标准CMOS工艺的基础上增加pn结对通隔离,用于形成DMOS器件D-RESURF的p-top注入两步工序,实现了BJT,CMOS与高压DMOS器件的单片集成.应用此工艺研制出一种BCD单片集成的功率半桥驱动电路,其中LDMOS,nMOS,pMOS,npn的耐压分别为1210,43.8,-27和76V.结果表明,此兼容工艺适用于高压领域的电路设计中. 相似文献
4.
硅化镍(NiSi)因具备低硅耗、低电阻率、低热预算、没有明显线宽效应等特性,被广泛应用于源漏极接触部分和栅极与金属的接触部分中。工艺中,加热条件的变化会导致生成不同的Ni基硅化物,均一性也会根据加热方式产生变化,影响器件的性能。对先导工艺中Ni基硅化物在不同工艺流程里不同的固相反应进行了对比分析,研究了低温浸入式退火加高温尖峰退火以及低温浸入式退火加高温激光退火这两种方法对生成Ni基硅化物的影响,发现硅化物电阻值主要取决于低温浸入式退火的温度,硅化物均一性主要取决于高温退火方式。该研究结果对实际工艺加工有参考作用。 相似文献
5.
6.
采用过氧化氢/凹凸棒土耦合体系对油茶皂素进行脱色,考察了过氧化氢用量、温度、时间和凹凸棒土用量对脱色率的影响,探究了皂素脱色的最佳条件,并比较了分光光度计法、分光辐射亮度计法、罗维朋比色计法、色阶比色法和直观拍照法等不同色泽评价方法对皂素颜色测定的优劣。研究结果显示:最佳脱色条件为H2O2用量6%,温度80℃,时间3 h,凹凸棒土用量3%,此条件下皂素呈现乳白色。5种色泽评价结果基本相近。分光光度计法可对茶皂素色泽精确定量分析;分光辐射亮度计法适用于较小色差情况下的颜色评价;罗维朋比色计法在需要对茶皂素溶液进行较广泛的色泽分析场景中具有优势;色阶比色法操作简便,可行性强;直观拍照能对以上方法佐证。 相似文献
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8.
肖志强 《电力系统保护与控制》1983,11(2):8-18
<正> 一、前言 凤凰山变电站是我国目前最大的500KV变电站,其容量是150万千伏安,一、二次设备几乎全为国外引进。其中500KV开关、220KV部分开关和35KV开关是法国生产的,全站500KV采用了一个半开关结线。 相似文献
9.
面板堆石坝垫层斜坡面修整是一项非常重要的工作,采用激光导向反铲修坡,能保证坡面的平整度与准确性.激光导向反铲操作简单,使用方便,工作效率高,在天生桥一级水电站得到了成功应用. 相似文献
10.