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微波消解分光光度法测定水泥中的氧化镁 总被引:3,自引:0,他引:3
采用家用微波炉来消解普通硅酸盐水泥试样,在表面活性剂CTMAB存在下,研究了茜素红与镁离子的显色反应,在pH=9的氨-氯化铵缓冲介质中,茜素红与Mg(Ⅱ)生成了紫红色的配合物,其最大吸收波长为590 nm,Mg(Ⅱ)浓度在0.02~0.8(g·mL-1范国内呈线性关系,其线性方程为A=0.056 7 0.112 6C(C:μg·mL-1),相关系数为0.999 4;同时,还探讨了微波消解的最佳条件,并在最佳条件下,对水泥、熟料、生料中氧化镁的测定,获得比较满意的结果. 相似文献
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乙二胺改性氯球负载Pd(0)配合物催化剂对 Heck芳基化反应的催化性能 总被引:2,自引:1,他引:2
以乙二胺改性氯球为载体,在乙醇中与氯化钯反应和用KBH4还原,制备了乙二胺改性氯球负载Pd(0)配合物催化剂;考察了催化剂的制备条件、温度、溶剂、碱等因素对碘代苯和丙烯酸的Heck芳基化反应性能的影响。实验结果表明,乙二胺改性氯球负载Pd(0)配合物催化剂具有较高的催化活性和突出的重复使用性能;在Bu3N为缚酸剂、反应温度90℃、N-甲基吡咯烷酮为溶剂的条件下,各取代碘代苯(富电子或缺电子基团)能与丙烯酸或丙烯酸乙酯在1.0~5.0h内完成Heck芳基化反应;在碘代苯与丙烯酸的反应中,催化剂重复使用17次时还能保持较高的催化活性;采用吡啶为碱源时,催化剂对Heck芳基化反应无催化活性。 相似文献
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利用蒙特卡罗方法和~(252)Cf中子源研究了在准直热中子入射束下,15%~30%(质量分数)碳化硼含量的Al-B_4C复合材料的中子吸收系数和宏观截面。结果表明,Al-B_4C复合材料的中子吸收系数随碳化硼含量增加而增大,相同碳化硼含量的材料其中子吸收系数随厚度的增加按指数规律变化;~(252)Cf中子源测试得到的中子吸收系数比0.0253eV单能热中子计算得到的吸收系数低0.5%~4.3%;Al-B_4C复合材料的宏观截面随着碳化硼含量的增加呈线性递增的关系,而且理想热中子0.0253eV下的递增率(0.97925cm~(-1)/%)大于~(252)Cf中子源构建0~1eV中子下的递增率(0.58537cm~(-1)/%)。 相似文献
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无机盐对生物接触氧化处理法的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了无机盐分(NaCl和Na2SO4)对生物接触氧化处理法的影响,提出无机盐氯化钠和硫酸钠对生物接触氧化处理法的系统处理效率的影响,结果表明,在接触氧化法对NaCl和Na2SO4的忍受程度的研究中,发现当该生化系统驯化到一定时间时,水体会变成淡红色,这主要由于随着驯化的不断进行,生化池中的微生物不断更新演变,最后嗜盐细菌占了大多数,由于嗜盐细菌通体为淡红色,其游离在水中,故水体变为淡红色,同时,在接触氧化法处理系统中,系统耐Na2SO4的能力高于NaCl,这说明氯离子比硫酸根离子对微生物体更易致细胞壁破裂和原生质解体,从而降低了活性污泥的活性,削减了其处理能力。为生物接触氧化处理法在工程应用中提供了设计依据。 相似文献
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利用重金属工艺可提高器件可靠性,低能γ将使器件高Z/低Z界面附近产生剂量增强效应,影响器件抗辐射性能评估。介绍了一种强钴源低能散射γ成分评价方法,利用铝单层室壁/金铝双层室壁平板型电离室辐射电流比值对γ能量敏感的特性,通过比较电流比值实测与参考值的差异,估计散射γ(≤300 ke V)成分是否过多,典型钴源能谱计算结果表明:参考值可取为2.8。研制了量程为0.01~2.3 Gy·s~(-1)(Si)的电离室探头,搭建了长距离辐射电流测量系统。单板钴源实验结果表明:空场条件和铅铝容器(散射抑制)内辐射电流比值实测结果与预期相符,方法可行;能够检验能谱硬化技术的有效性;可从剂量角度关联不同辐射场或相同辐射场不同辐照工位。 相似文献
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通过实验室环境模拟沸水堆(BWR)和压水堆(PWR)乏燃料的贮存环境对不同表面处理试样开展全浸腐蚀实验。采用SEM和EDS观测腐蚀微观形貌和分析腐蚀产物,采用XRD测试腐蚀试样的物相,并通过测试试样干重得到腐蚀动力学曲线。结果表明,材料中的Al和微量元素Mg,Fe是引起腐蚀的主要因素;抛光处理试样在PWR贮存液中时,因Fe的影响出现4种微观腐蚀形貌,耐蚀性较差,而在BWR贮存液中时生成Al(OH)3保护膜,耐蚀性较好;阳极氧化处理试样在PWR和BWR贮存液中均腐蚀增重,腐蚀产物能封闭氧化膜孔洞,抗腐蚀性能最好。 相似文献
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中子与γ射线辐照对屏蔽材料性能的影响直接关系到了核设施的运行安全性。本研究以B4C/环氧树脂屏蔽材料作为研究对象,对比了在1 MGy γ射线及叠加1.19×1015cm-2中子辐照两种辐照环境下屏蔽材料力学性能、断口组织形貌、特征化学产物及热稳定性能的变化规律。结果表明:持续约11.6 d的γ射线辐照及叠加持续约3 h的中子辐照后屏蔽材料力学性能持续降低,但均未降低到辐照前的50%以下,屏蔽材料在此条件下产生了辐照降解,但未发生失效。与单独的γ射线辐照相比,叠加中子辐照后屏蔽材料1H-NMR图谱δ=7附近峰的强度没有明显变化,说明未继续发生苯环上C-H键的断裂。屏蔽材料热失重50%质量损失温度T50%由辐照前的526.3℃降低到了γ射线辐照后的453.2℃及γ射线叠加中子辐照后的463.9℃,屏蔽材料辐照后热稳定性降低。 相似文献
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Al-B4C复合材料在硼酸溶液中腐蚀机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用硼酸溶液模拟乏燃料贮存水池环境,研究Al-B4C复合材料在其中的腐蚀行为。用SEM、EDS观测腐蚀试样的微观形貌,用XRD测试腐蚀前后试样的物相,并测试腐蚀过程中试样的干重。结果表明:材料中的Al是引起腐蚀的主要因素;0~500 ppm硼酸溶液中,试样腐蚀增重,在表面生成斜晶结构的Al(OH)3氧化膜,对材料起一定保护作用;2 500 ppm硼酸溶液中,试样腐蚀增重,在表面沉积非晶结构的Al(OH)3絮状腐蚀产物;10 000~25 000 ppm硼酸溶液中,试样腐蚀失重,表面局部微小区域可观察到龟裂和腐蚀“坑”生成。材料抗腐蚀性能随溶液硼酸浓度的增加而降低,欲提高材料抗腐蚀性能,需对其进行表面保护处理。 相似文献