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Thereisanurgentneedonopticalstoragemateri alswiththedevelopmentoflaserandopticalstoragetechnologyinrecentyears .Electrontrappingopticalstoragematerials (ETM )isanewtypeofopticalstor agematerials .Theybasicallyarewide band gapⅡ Ⅵsemi conductorcompoundsdopedwithtwotypesofselectedrareearthelementsthathavegroundstatesandexcitedstateswithinthewidebandgapoftheⅡ Ⅵsemiconductorcompoundhostmaterials .Lighten ergyisstoredinthiskindofmaterialbyexposingittoultravioletorvisiblelightandisreleasedthro… 相似文献
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采用射频磁控溅射法在Al_2O_3(001)衬底上制备了高Mg含量的Mg_xZn_(1-x)O薄膜,研究了Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构和光学性能。结果表明:Al_2O_3(001)衬底上Mg_xZn_(1-x)O薄膜的组分为Mg_(0.47)Zn_(0.53)O,薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c轴方向取向生长,且c轴方向晶格增大0.0029 nm。薄膜的吸收边峰值位于292nm,对应的禁带宽度为4.24ev。薄膜平均粒径约为10~20nm,在深紫外-可见光激发下的荧光发射峰分别位于320nm和400nm附近。 相似文献
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LaPO_4∶Ce~(3+),Tb~(3+)荧光屏的制备及表征 总被引:1,自引:0,他引:1
采用重力沉积法在石英基片上涂敷LaPO4∶Ce3+,Tb3+荧光粉制备了LaPO4∶Ce3+,Tb3+荧光屏。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜(SEM)和荧光分光光度计对荧光屏进行表征,研究了黏结剂、电解质、荧光粉的用量对荧光屏性能的影响。结果表明:调整黏结剂、电解质的用量可制备荧光粉和基片结合良好的荧光屏,荧光屏的主晶相仍为LaPO4。SEM分析表明荧光涂层致密、均匀,厚度约为40μm。荧光光谱分析表明,在200~300nm紫外光激发下可发射主发射峰为543nm的绿色荧光。随黏结剂用量的增加,发光强度先增大后减小,性能最佳的黏结剂体积浓度为3%;随电解质用量的增加,发射光强度先增高后降低,当其质量分数为0.01%时,发光强度最大;随着荧光粉用量的增加,透过荧光屏的发射光强度降低。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备BaTiO3纳米粉体 总被引:4,自引:0,他引:4
阐述了用溶胶-凝胶工艺的半醇盐法制备BaTiO3纳米粉体的基本原理和工艺流程,讨论了溶剂、pH值、Ti/Ba摩尔比以及热处理工艺对BaTiO3纳米粉体性能的影响,并分析了目前以该法制备BaTiO3纳米粉体存在的问题。 相似文献
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Mg0.66Zn0.34O薄膜的微观结构及光学性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Mg0.66Zn0.34O薄膜,研究了Mg0.66Zn0.34O薄膜的结构和光学性能,结果表明:石英玻璃衬底上Mg0.66Zn0.34O薄膜呈面心立方岩盐结构,晶格常数为0.42338nm,比MgO的晶格常数(0.0021nm)大。扫描电镜分析显示:薄膜均匀且平均粒径约为10nm。吸收光谱表明:薄膜的吸收带边位于276nm,相应的禁带宽度为4.49eV,该薄膜的吸收边位于日盲区;发光光谱由3个发射峰组成,峰值分别位于384.8nm(3.22eV)、443.7nm(2.79eV)和532.9nm(2.33eV),激发光谱峰值位于379nm(3.28eV)。 相似文献