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在校园网用户基本实现IPv6接入和主要应用系统完成IPv6升级的情况下,本文提出了基于IPv6和J2EE技术框架的校园网用户管理系统设计方案,对与IPv6相关的开发技术如地址识别、地址访问控制和Socket编程等进行了重点研究,实现了校园网用户和业务的有效管理,并通过基于IPv6协议的Socket、HTTP和Telnet方式与其他应用系统进行对接. 相似文献
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上海软X射线自由电子激光装置(Soft X-ray Free-Electron Laser facility,SXFEL)是我国第一台X射线相干光源,为了对其波荡器线束流损失进行监测,设计安装了一套基于切伦科夫辐射理论的石英光纤束损监测系统。由于石英光纤对高能γ射线不敏感,适应在SXFEL高辐射场环境中安装使用。该束损监测系统响应速度极快,覆盖整个波荡器线约180 m长区域,能够对整个波荡器沿线束流损失进行实时连续监测。本文介绍了该光纤束损监测系统原理与组成,按应用需求进行了系统位置标定与光纤衰减系数测量等实验,并在实际调束过程中考察了该系统的应用情况。结果表明:该系统具有良好的位置分辨能力,在上游位置分辨能力约为0.2 m,能够满足工作人员调束需求。 相似文献
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含硼铁精矿粉/环氧树脂复合材料射线屏蔽性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以我国特有的含硼矿物经选矿后得到的含硼铁精矿粉作为中子吸收体与低粘度环氧树脂E51相复合,制备了一种低成本含硼铁精矿粉/环氧树脂复合屏蔽材料。测试了这种复合材料对慢中子和60Coγ射线的屏蔽性能,确定了满足射线屏蔽性能的含硼铁精矿粉与树脂的最佳配比范围。证明了以含硼铁精矿粉作为原料制备复合射线屏蔽材料是可行的。结果表明,3种配比的复合屏蔽材料其慢中子宏观截面均超过了宏观截面为Σ=0.158cm-1,以B4C为中子吸收体的铅硼聚乙烯屏蔽材料B201。此复合屏蔽材料的宏观截面最大值为Σ=0.1882cm-1,具备较好的慢中子屏蔽能力;对60Coγ射线的线性减弱系数最大值为μ=0.0772cm-1,屏蔽性能介于水和混凝土之间。 相似文献
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提出以我国辽东地区硼铁矿经高炉分离后的含硼生铁为原料直接冶炼硼钢。针对含硼铁水中硅、硫含量较高的特点,以及有价元素硼的进一步提取利用,首先研究了铁水中主要元素硼的氧化行为。再利用中频感应炉、石墨坩埚或刚玉坩埚,以Fe2O3为氧化剂,研究了温度、Fe2O3与CaO添加量、熔体成分等因素对Si、B氧化的影响。结果表明,Si、B氧化几乎是同步的,在1 400 ℃下氧化率均可达到90%;实验结果和有关热力学计算表明,适宜的脱硅温度应在1 400 ℃以下;增加氧化剂Fe2O3有利于脱硅和硼的氧化,本实验条件下CaO添加量对脱硅和硼氧化影响不大。 相似文献
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以我国辽宁东部地区特有的含硼矿物、含硼废弃物和环氧树脂为对象,理论计算了原矿、含硼铁精矿粉、富硼渣、普通硼泥和环氧树脂等5种材料对1keV~100GeV能量范围的光子质量衰减系数,为放射性同位素源、反应堆和粒子加速器外围建筑材料的屏蔽设计提供依据。结果表明:含硼矿物的添加显著改变了基体环氧树脂对光子的质量衰减系数,矿物在1keV~0.1MeV以光电效应为主的能量范围内对光子的质量衰减系数变化较大,所含元素的K层特征吸收限使得矿物对光子的质量衰减系数突变增加;在0.1~10MeV以康普顿效应为主的能量范围内矿物对光子的质量衰减系数缓慢变化,其中环氧树脂的质量衰减系数较矿物的稍高;在以共轭电子对效应为主的10MeV~100GeV光子能量范围内矿物对光子的质量衰减系数先减少后增加,含硼铁精矿粉是该能量范围内最佳的光子吸收体。 相似文献
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含硼矿物及环氧树脂复合材料的中子屏蔽性能 总被引:1,自引:1,他引:0
以我国特有的含硼原矿经选矿和高炉分离后分别得到的含硼铁精矿粉和富硼渣为研究对象,用蒙特卡罗方法研究了二者及其环氧树脂复合材料的中子屏蔽性能,讨论了影响材料屏蔽性能的因素,确定了含硼矿物/环氧树脂复合材料合适的配比范围;得到了材料的快中子分出截面和热中子衰减系数,并与常用的混凝土屏蔽材料进行对比。结果表明:复合材料对14.1MeV快中子的屏蔽性能主要与屏蔽材料中低原子序数元素的含量有关,含硼矿物复合材料对热中子的屏蔽性能与硼元素的浓度有关,伴生γ射线光子的衰减主要与矿物材料中高原子序数元素的含量和材料的密度有关。含硼矿物复合材料中含硼矿物的最优体积比为0.4~0.6;最佳配比对14.1MeV快中子的屏蔽性能与混凝土的接近,对热中子的屏蔽性能强于混凝土的,有望作为辐射场周围混凝土屏蔽层的裂缝灌注及不规则孔洞的填补或直接制备复合屏蔽材料。 相似文献
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采用高温固相法制备硼酸镁晶须的最佳工艺条件为:焙烧温度大于900℃,焙烧时间为8.0h.制得的晶须粗细均匀,晶型完美,直径约为1.5μm,长度约35μm,长径比约为24.经XRD、SEM和FT-IR分析确定为硼酸镁晶须.以酚醛树脂为基体,添加硼酸镁晶须制备硼酸镁晶须/酚醛树脂复合材料,探讨了硼酸镁晶须添加量和材料厚度对热中子屏蔽率的影响;当硼酸镁晶须添加量为40份时,热中子屏蔽率为73.64%,继续增加添加量,热中子屏蔽率增幅不大;材料厚度为1.0 cm时,热中子屏蔽率为85.01%,继续增加厚度,热中子屏蔽率增加不明显.实验结果表明,以硼酸镁晶须制备聚合物中子屏蔽材料不仅可行,而且对热中子辐射具有较好的屏蔽性能. 相似文献
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以高钛渣为主要原料制备的TiN/O′-Sialon导电陶瓷为研究对象,研究TiN/O′-Sialon材料在1200~1300℃下的抗空气氧化行为。采用DTA-TG法研究材料的恒温和变温氧化过程,利用X射线衍射、扫描电镜和能谱分析检测方法对氧化产物的相组成和显微结构进行表征。结果表明:TiN和O′-Sialon的氧化分别从500℃和1050℃左右开始进行。在1200~1300℃下氧化后的材料表面可形成由Fe2MgTi3O10、SiO2和TiO2组成的较致密的保护膜,其形成主要与材料中TiN含量、氧化产物中SiO2和非晶相数量以及材料显气孔率有关。材料氧化前期遵循直线规律,中后期遵循抛物线规律,其表观活化能分别为1.574×105J/mol和2.693×105J/mol。增加材料中TiN的含量从而导致材料单位面积氧化质量显著增加。 相似文献