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为了研究不同沉积条件下TiCxN1-x(0≤x≤1)薄膜的相结构、显微硬度及摩擦性能的影响因素,用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪分析薄膜的形貌和相结构,用HXD-1000数字式显微硬度计、MCMS-1摩擦磨损仪测试薄膜的硬度和摩擦系数.研究结果表明:TiN,TiC薄膜显示出〈111〉择优取向生长趋势,Ti(C,N)有较强的〈200〉取向,Ti(C,N)衍射峰涵盖了TiN峰和TiC峰,薄膜存在TiN和TiC两相共存.与TiN,TiC相比,Ti(C,N)薄膜具有更高硬度,当C原子含量x=0.582时,Ti(C,N)薄膜硬度达到最大值为33.6 GPa,且表现出更低的摩擦系数和更好的耐磨性能. 相似文献
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大面积应用的RF-PECVD技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文探讨采用小电极与大面积基片相对移动的方法来制造大面积薄膜的可行性,提出了采用小电极等离子体源在大面积基片上移动工作的新方法,可用于沉积(或刻蚀)均匀大面积薄膜或根据需求设计的大面积上非均匀膜厚分布的薄膜,从原理上避免大电极带来的不均匀性.介绍了这种方法中由两个电极构成的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统.分析了当电极移动时,电极与真空室壁相对位置发生变化时对等离子体参数的影响.我们发现当两个射频电极之间的相位差为定值时,等离子体的分布随电极与真空室壁的距离(极-地距)变化而变化.当极-地距小于80mm时,随极-地距的增加,等离子体的悬浮电位和基片的自偏压下降,离子密度变化不明显.当极-地距大于80mm时,等离子体的分布呈稳定状态,各参数变化不明显.采用PECVD方法镀制了大面积薄膜厚度呈均匀分布和非均匀分布的两种薄膜,提供了膜厚呈线性渐变和抛物线变化的两种薄膜样片,显示了该方法的灵活性和可行性. 相似文献
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宽束冷阴极离子源离子能量及能量分布的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的新型宽束冷阴极离子源,详细叙述了该源的结构和工作过程.采用五栅网离子能量测试装置研究了离子源的离子能量及能量分布.结果表明,探针接收的离子最低能量随着引出电压和真空度的升高而升高.离子能量分布概率密度函数为单峰函数,其峰值位置随着真空度的降低向低能量方向移动,随着引出电压的升高向高能量方向移动.当引出电压为200~1200V时,离子平均能量为600~1600eV,呈线性规律变化.这种离子源的离子平均初始动能约为430~480eV.了解和掌握离子源的这些特性和参数,可以有效的对镀膜过程的微观环境(离子密度、离子能量等)进行控制,促进薄膜制备工艺更好地进行. 相似文献
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为探究电弧等离子体对熔融石英的热去除加工方法的可行性,采用有限元数值模拟分析方法建立电弧等离子体作用下熔融石英的表面温度与热应力模型,分析电弧加工参数变化对熔融石英表面温度以及热应力分布的影响。仿真分析结果表明:电弧等离子体炬产生的热量能够使得熔融石英表面温度在0.2~0.35 s内达到2 100 K至2 450 K之间,可保证被加工材料表面温度处于熔融区间,形成微流动填补质量缺陷。在工件表面驻留时间小于0.3 s时,可避免气化损伤,保证材料处于熔融态,产生的拉应力最大值为42.25 MPa,压应力最大值约为781.65 MPa,均小于损伤强度阈值。该方法可实现对熔融石英无热应力损伤的热去除加工。 相似文献
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对实际渐变折射率薄膜的折射率轮廓进行测量评价.从线性渐变折射率薄膜的折射率轮廓和反射率光谱之间的关系出发,采用反演技术结合梯度薄膜与渐变折射率薄膜的等效原理,对渐变折射率薄膜的折射率轮廓进行模拟测量,得到了实际镀制的渐变折射率薄膜的折射率轮廓.结果表明,使用该方法得到的折射轮廓对应的反射率曲线和实测反射率曲线直接的误差不超过0.4%. 相似文献
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介绍了一种应用于脉冲多弧离子源镀膜过程控制的电子监控装置.用该装置定量检测脉冲多弧离子源的引弧效率,克服了因停弧带来的膜厚误差的缺点.本文主要叙述了该装置的工作原理及有关电路. 相似文献