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1.
ECR微波等离子体源离子渗氮   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了一种新的低温渗氮方法--电子回旋共振微波等离子体源离子渗氮。对纯铁、45负和35CrMo钢试样在150 ̄350℃进行渗氮处理,测定了渗氮层的硬度和晶体结构,结果表明,纯铁在低于200℃的温度即可获得连续分布的表面氮化物层,35CrMo钢在低于250℃温度处理也可获得离好渗氮层。  相似文献   
2.
提出了基于T-S模糊神经网络的电晕放电模式识别方法,设计制作了三类电晕放电实验模型,并从采集的电晕放电信号中提取最大值、最小值、均值及其分形维数作为网络的输入特征向量,根据特征向量维数、隶属度函数类型及隶属度函数个数对T-S模糊神经网络的拓扑结构进行分析,将输入神经元个数为4、隶属度函数层为3个高斯型函数的网络确定为电...  相似文献   
3.
Zigbee技术在电力无线抄表系统中的应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
Zigbee是一种短距离、架构简单、低功耗与低传输速率的无线通讯技术,在工业、农业、军事等领域得到了广泛的应用,已成为近距离无线传输的一种优选方案。文中将嵌入式技术与Zigbee无线通信技术相结合,设计出低功耗、小体积且功能强大、操作方便灵活的无线读数实时测量仪。给出了系统的工作原理和软硬件设计方法。  相似文献   
4.
等离子体源离子渗氮合成硼碳氮薄膜的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用等离子体源离子渗氮,即低能,超大剂量氮离子注入-同步热扩散技术,在300-500℃处理碳化硼薄膜,合成了硼碳酸三元薄膜。俄歇电子能谱和漫反射富氏变换红外光谱分析表明,合成的硼碳氮薄膜是碳硼比固定,氮含量可控的非晶态薄膜。  相似文献   
5.
双频增强与调制技术为大气压介质阻挡放电提供了更多控制与优化关键等离子体参数的手段,特别是为其电子密度、气体温度独立调控提供了可能,是一种正处于探索发展中的创新技术。本文利用一维自洽流体模型并耦合半动力学方法,研究了双频增强与调制下的等离子体放电特性以及不同匹配方式对等离子体重要参数的影响规律,从耦合增益角度归纳了施加双频功率源频率选择的基本原则,通过考察电子、离子密度、电场以及电子碰撞激发的空间演化,分析了大气压介质阻挡放电双频调控机制,为充分了解并揭示双频调制机理,发挥这一新型等离子体源的优势奠定了理论基础。  相似文献   
6.
李绮  张仲麟 《真空》1991,(2):36-41
利用自制的ECR(电子回旋共振)微波等离子体溅射沉积装置,在氮气分压很低的条件下(2.6× 10-3~2.9 × 10-2Pa)成功地获得了透明绝缘的纯氨化铝膜。电阻率达1011 ·cm,折射率约为 2.05,膜的其他各项物理性能均达到了较好的指标.  相似文献   
7.
为深入理解电极介质覆盖窄空气隙放电过程的动力学行为,探索不同外施电场条件下带电粒子行为、覆盖介质特性及间隙尺度对气隙放电的影响,建立了一维自洽流体力学的气体放电模型并进行数学分析,获得了大气压下电极介质覆盖窄空气间隙电场、粒子行为和介质表面电荷积聚过程的时空分布,以及与外施电场之间的对应关系.结果显示,外施电压的幅值、频率的变化对放电电流的幅值以及半个周期内的放电脉冲个数都会产生影响.另外,介质层厚度及介电常数的变化对放电电流的幅值及脉冲个数也会产生影响,但影响不大.  相似文献   
8.
采用X射线光电子谱(XPS)分析300~500℃等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜。利用合成薄膜成分可控的特点,研究B、C、N对薄膜的XPS影响。结果表明,XPS分析合成氮化硼薄膜能够确定其化学组成,但不能确定sp^2和sp^3型键合结构特性;XPS分析硼碳氮薄膜能够确定其成分和结构特性。在较高的工艺温度下,等离子体源离子渗氮合成的硼硕氮薄膜具有sp^2和sp^3型复合的键合  相似文献   
9.
等离子体源增强磁控溅射沉积Al2O3薄膜研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜.X射线光电子谱和X射线衍射分析表明,在600℃沉积温度下,Si(100)基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ-Al2O3薄膜.薄膜的折射率为1.7,与稳定的α-Al2O3体材料相当.  相似文献   
10.
采用电子回旋共振微波等离子体源增强磁控溅射沉积氧化铝薄膜。X射线光电子谱和X射线衍射分析表明,在600℃沉积温度下,Si(100)基片上获得了亚稳的具有化学计量配比成分、面心立方结构的γ-Al2O3薄膜。薄膜的折射率为1.7,与稳定的α-Al2O3体材料相当。  相似文献   
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