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采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40~40 mV),碳纳米管伏安特性与孤立碳纳米管的接近为零不同,而是接近为线性,这是耦合导致碳纳米管能级移动的结果。 相似文献
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建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽啥密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带闻隙约为0.48 eV;从其伏安特性可以看出,在正负偏压下开启电压为+2.0V和-1.6V. 相似文献
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将配电网中的开关和T接点看作节点、将馈线段当作边,采用邻接表描述节点和边的连接关系,用从属关系反映配电变压器与边的连接关系。提出一个14列的拓扑编辑表记录编辑操作,每行反映一次编辑操作。详细描述了节点添加、节点删除、节点类型变更、边的添加和删除等基本编辑操作的处理方法,论述了拓扑变更后边与配电变压器从属关系调整方法,论述了根据拓扑编辑表进行配电网络拓扑的快速增量建模的方法,结合实例对提出的方法进行了分析和说明,结果表明提出的方法是可行的。 相似文献
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含空位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质 总被引:1,自引:1,他引:0
Based on first-principle calculations,the electronic structures and optical properties of a single-walled (7,0) SiC nanotube(SiCNT) with a carbon vacancy defect or a silicon vacancy defect are investigated.In the three silicon atoms around the carbon vacancy,two atoms form a stable bond and the other is a dangling bond.A similar structure is found in the nanotube with a silicon vacancy.A carbon vacancy results in a defect level near the top of the valence band,while a silicon vacancy leads to the formation of three defect levels in the band gap of the nanotube.Transitions between defect levels and energy levels near the bottom of the conduction band have a close relationship with the formation of the novel dielectric peaks in the lower energy range of the dielectric function. 相似文献
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高压钠(HPS)灯高频工作时极易产生声谐振现象,轻则电弧弯曲、抖动、旋转、光线闪烁;重则电弧熄灭或者灯管损毁,严重影响灯光的照明效果;同时,灯的电气参数也会发生不同程度的改变。针对这一现象,采集声谐振时的电弧曲线,研究电弧弯曲幅度、抖动频率、电气参数变化与声谐振程度的关系,提出声谐振混沌抑制技术,通过给扫频控制电路输入端叠加低频正弦波、三角波、方波信号进行扰动调制,分散驱动电压频谱,从而降低声谐振时的能量阈值,抑制声谐振现象。文中给出不同类型、不同扰动参数下电压频谱扩散实验效果,结果表明只要扰动信号参数选择合适,频谱便能很好地分散,不同时期的声谐振现象便可被抑制。 相似文献
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采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函,电子波函数采用平面波基矢展开,并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用,对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究.对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算,结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底,随着掺杂浓度的增加,导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动,导带底移动速度要大于价带顶,导致禁带宽度减小. 相似文献