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典型分解炉中硅烷分解沉积速率的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究在典型硅烷分解炉中硅烷分解沉积多晶硅的沉积速率。硅烷分解沉积多晶硅实验在硅棒表面温度790~900℃、炉内气压5×10^4Pa条件下,探讨硅棒温度、硅烷流速与沉积速率的关系。结果显示:沉积反应活化能53.4kJ/mol。并与真空条件下沉积硅的过程进行对比,提出在典型硅烷分解炉中提高多晶硅沉积速率的可能途径。 相似文献
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根据热力学相关理论,利用基本函数△rHT^0、△GT^0、Kp在Si3N4粉体制备过程中的变化特征,分析了典型Si3N4粉体合成工艺的反应进行趋势,生成相的化学组成、稳定性,合成工艺最大转化率以及发展动向,讨论了过程可控和获得高纯、优质Si3N4粉体的热力学条件,开发优质、低能耗、高产率以适应工业化批量生产的Si3N4粉体合成工艺,流态化CVD是一条重要途径。 相似文献
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文章采用硅烷偶联剂HG-560作为改性剂,丙酮为分散剂对氮化硅纳米粉体进行表面改性。利用悬浮液沉降实验与扫描电子显微镜观察表征氮化硅纳米粉体的分散效果。结果表明,当偶联剂用量为氮化硅粉体质量的1%时,该粉体在丙酮溶液中的沉降速率最小,分散效果较好。 相似文献
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采用固定床中4A分子筛吸附的方法,研究不同NH3浓度和吸附床温度条件对分子筛吸附效果的影响.通过吸附穿透曲线和吸附床中的吸附平衡质量测定分子筛的吸附容量,并利用Langmuir等温方程对吸附等温线进行拟合.结果表明:分子筛的吸附容量随吸附床温度升高而降低,随吸附质初始浓度升高而升高,吸附平衡符合Langmuir方程. 相似文献
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针对热CVD法制备的无定形超微Si3N4粉体表面富舍N—H键的特性,以RuCl3为钌源,采用醇热还原法对Si3N4粉体进行了钌包覆。并利用傅立叶红外光谱(FTIR)、紫外-可见光谱分析(UV—Vis)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)等检测手段对所得样品的结构和形貌进行了表征。研究结果表明,在Si3N4表面包覆了一层钌颗粒。并对钌包覆层的形成机理进行了讨论。 相似文献
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基于硅烷热分解的总体反应模型,利用Fluent软件模拟了钟罩式硅烷分解炉内同时发生的传热、传质和热化学反应过程.模拟结果定量地表述了传统硅烷分解炉内发生的各个过程,借此探讨了分解炉内的气压、硅棒温度和硅烷流量等工艺条件对硅烷热分解沉积硅转化率及能耗等技术指标的影响.指出硅棒温度为700~800℃,炉内压力升高至0.3 MPa时,有利于提高硅烷分解率,抑制硅粉的产生和降低能耗. 相似文献
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研究不同温度下硅烷分解所制备的非晶硅粉的晶化规律。对非晶硅粉采用不同的温度进行退火处理使其晶化,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见吸收谱(UV)进行分析。结果表明:当退火温度高于750℃,硅粉开始晶化;温度低于750℃时,硅粉较难结晶。通过Scherrer公式计算,结合SEM和UV验证表明:750℃时,非晶硅粉晶化并不完全,退火后颗粒大小约为200nm。紫外可见光谱分析得到退火后光学带隙为1.5eV左右。 相似文献
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采用水溶液沉淀法成功地制备了具有六角状结构的SmF3Eu3 纳米晶体. 分别采用了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和光致发光光谱仪(PL)等手段对产物的晶体结构、形貌、光致发光性能进行了表征.结果表明产物为纯相六方晶系的SmF3晶体,且具有由规则六方状结构、尺寸分布较均匀等特点.最后对掺杂5mol%Eu3 离子的SmF3晶体的发光光谱作了初步的分析,发现其在波长为325 nm的激发源激发下,发出强烈的红光且单色性较好. 相似文献
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以CTAB/醇/水为反应体系制备碳酸锰。SEM照片显示:该体系得到的碳酸锰为分散性良好、尺寸均匀、直径约1μm的球体。XRD、EDS和FTIR表征结果表明,在这种特殊体系中。制备出了表面活性荆与超微米级碳酸锰的复合体系。吸油值测定结果袁明:经正丁醇与CTAB体积比为1:4体系得到的碳酸锰粉袁面亲油性能得到明显政善。 相似文献