基于虚拟样机的轴承故障模拟技术研究

根据Hertz接触理论对球轴承内部进行力学分析,同时根据弹性流体润滑理论考虑了轴承的润滑特性,基于ADMAS建立了内圈故障尺寸为0.007英寸,0.014英寸和0.021英寸时的故障轴承模型,仿真得到了内圈故障的振动数据,将分析得到的故障特征频率与理论计算值以及西储大学实验值进行比较,结果表明：不同故障尺寸仿真得到的特征频率与计算值和实验值均相近,最大相对误差为3.46%。从而验证了采用虚拟样机技术建立轴承典型故障数据库的可行性。     

一种改进的支持向量机序列最小优化算法

提出一种改进的序列最小优化算法,它在选取工作集时选取优化步长最大的违反KKT条件的样本和其配对样本,并且对求解过程进行简化,从而使训练过程速度更快。实验表明,该算法是有效、可行的。     

燃料组件导向管冷壁效应对CHF影响试验研究

燃料组件临界热流密度（CHF）性能是压水堆堆芯热工水力设计和安全分析的基础,对反应堆的安全运行至关重要。本文采用非均匀加热典型栅元和导向管栅元两组CHF试验数据开发了具有针对性的CHF关系式并对比研究了导向管冷壁对CHF的影响,获得了导向管冷壁效应因子。研究结果表明,针对轴向功率非均匀加热,在边界条件一致的情况下导向管的存在不会降低棒束的平均功率,但会导致烧毁点的位置发生变化并使得CHF降低,导向管冷壁效应因子约为8%。     

掘进机降尘系统的设计

针对掘进工作面粉尘污染严重且难治理的问题,在分析传统降尘措施及方案不足的基础上,提出可实时跟踪掘进机工作面位置的旋转喷雾降尘系统,并对其关键部件及关键参数进行选型设计。将其应用于实际生产中并取得了良好的降尘效果,可将其在实际掘进工作面中推广应用。     

溶蚀作用下混凝土层面劈裂抗拉强度试验研究

采用浓度为0.5 mol/L的硝酸溶液对含浇筑层面的混凝土试件进行加速溶蚀试验,研究了层面劈裂抗拉强度、溶蚀深度和钙离子累计相对溶蚀量等3种评价指标的时变规律,以及层间间歇时间和凿毛处理对抗溶蚀性的影响,据此建立了层面劈裂抗拉强度的两种预测模型.结果表明:层面劈裂抗拉强度随溶蚀时间平方根和钙离子累计相对溶蚀量的增大而线性减小,间歇时间和凿毛处理对所拟合曲线的斜率影响较小;层面溶蚀程度随间歇时间的延长而增大,间歇24 h时层面溶蚀深度增加15％;间歇时间越长,凿毛处理对抗溶蚀性的提升效果越弱,以6 h之内为最优;间歇时间12 h以内,层面劈裂抗拉强度下降速度较快,12 h时降幅为14.6％,由此将导致浇筑层面的耐溶蚀年限缩减61％.     

岩土体弹性参数表面测试方法

提出了一种可在岩土体表面直接测量弹性参数的方法,并且研制了其配套装置;叙述了该方法的具体实施步骤和装置零部件的连接关系,并对该方法的理论依据做了简要的推导;最后利用商用数值模拟软件PLAXIS 3D Tunnel验证了该方法的实用性和理论的正确性.结果表明:岩土体弹性参数表面测试方法和装置可直接利用隧道掌子面或基坑侧壁进行弹性参数测试,从而避免从地面打孔的繁琐工序.     

3D打印植生混凝土pH值的影响因素研究

采用3D打印工艺,使用普通硅酸盐水泥（OPC）、硫铝酸盐水泥（SAC）、磷酸盐水泥（MPC）制备了3类24组不同配合比的植生混凝土试件,研究了水泥种类、水灰比、砂灰比、缓凝剂掺量等对植生混凝土pH值的影响规律。结果表明：水泥种类对植生混凝土pH值的影响最明显,掺OPC的植生混凝土的碱性最高,SAC次之,MPC最低;植生混凝土的pH值均随水灰比的增加而提高;砂灰比增加会降低植生混凝土的碱性;缓凝剂也会影响植生混凝土的pH值,其中,葡萄糖酸钠和酒石酸可以分别降低掺OPC或SAC的植生混凝土的pH值,而硼砂可以先降低后提高掺MPC的植生混凝土的pH值。     

3D打印混凝土骨料铺洒漏斗的防堵塞设计

在使用骨料床3D打印混凝土过程中,为防止骨料铺洒漏斗堵塞,文章采用离散元计算程序EDEM研究了骨料在漏斗中的运动和堵塞规律。计算考虑了圆台(CTC)、正棱台(FSP)、斜棱台(FOP)3种不同形状的漏斗,并以骨料尺寸、骨料数目和漏斗高度为计算变量,得到81组不同的计算结果。结果显示,在相同漏斗特征尺寸下,斜棱台和正棱台漏斗容积相同,但比圆台漏斗容积大。在铺洒骨料时,圆台漏斗堵塞概率最大,正棱台漏斗次之,斜棱台漏斗最小。相比骨料数目和漏斗高度,骨料尺寸对漏斗的堵塞影响较大。针对上述结果,文章设计了防堵塞的斜棱台漏斗,该漏斗在侧壁上增加了往复运动的扰动球,设计成本较低,且能有效防止铺洒骨料的漏斗出现堵塞现象。     

硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管

硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管已经成为高速、低功耗纳米级器件的重要发展方向。首先,从气相-液相-固相生长和选择区域生长的角度,阐明了在硅衬底上无位错生长高晶体质量Ⅲ-Ⅴ族纳米线的机制。在此基础上,介绍了垂直结构和水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的制备方法。研究表明,垂直结构纳米线容易实现高密度生长,而水平结构纳米线有利于逻辑栅的制作。通过比较垂直生长、水平生长、衬底转移和自上而下纳米加工技术制备Ⅲ-Ⅴ族纳米线的工艺优缺点,为水平结构Ⅲ-Ⅴ族纳米线在硅衬底上的大面积异构集成及其器件的制作提供了新的解决方案。