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半导体照明是重要的新兴产业,日亚、Axitron、Osram、Philps、Cree等国际主要光源生产公司在传统照明及半导体照明领域中已经占据了一定的领先优势。我国的光源及照明生产企业也在奋起直追,发展非常迅猛,在人才需求方面也更为急切和严格。本文提出围绕新兴产业的人才需求,以国际工程师认证要求为培养目标,建立光源与照明等特色学科的专业课程和工程教育培养体系。各校需要根据当地产业集群发展和本校实际情况来因地制宜地开展工程教育教学和实践,以产学研结合的模式实现人才的综合培养。最终完善专业工程教育评价机制,力促半导体照明专业的工程教育系统地开展,培养符合国际水准的工程师。 相似文献
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针对LED驱动器恒流精度低、控制线性度差、效率低和电磁兼容不达标等问题,通过分析LED的电气特性和微处理器智能控制开关电源等,以高线性度可调光LED开关恒流驱动器设计为研究对象,以TI公司的MSP430G2553微处理器为控制核心,选用AC-DC稳压变换器和DC-DC恒流变换器结合的两级驱动方案,设计并制作一款基于PID算法的高精度可调光LED开关恒流驱动器。该系统实现了宽输入电压范围为90~265V,输出功率在1~40W范围内可调。通过手机软件实现对LED灯具调光的控制,实现人机交互并解决电磁兼容问题。测试结果表明该系统最大驱动12串8并96W的LED阵列,恒流源模块效率达92%,系统效率因数达0.87,电流精度小于1%,负载调整率小于1%。 相似文献
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利用低压MOCVD技术制备PIN结构的InP基InGaAs外延材料。采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次Zn扩散、多层介质膜淀积、Au/Zn p型欧姆接触、Au/Ge/Ni n型欧姆接触等标准半导体平面工艺,设计制造正入射平面In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP雪崩光电二极管器件。该器件采用与InP衬底晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As材料做吸收层,InP材料做倍增层,同时引入InGaAsP梯度层。探测器件光敏面直径50μm,器件测试结果表明该器件光响应特性正常,击穿电压约43 V,在低于击穿电压3 V左右可以得到大约10 A/W的光响应度,在0 V到小于击穿电压1 V的偏压范围内,暗电流只有1 nA左右。光电二极管在8 GHz以下有平坦的增益,适用于5 Gbit/s光通信系统。 相似文献
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针对LED汽车头灯大功率工作要求,基于MAX16831芯片,通过搭建开关电源升压电路,设计出一种大功率LED恒流源驱动电路.电路具备将车载电源12V转换至最高80V的升压功能,可驱动多颗LED,还能输出700mA到1A的恒定电流.整个电路结构简单,仅需少量外部元器件,同时电路性能可靠,工作温度为-40~+125℃.能够适应汽车恶劣工作环境,满足了大功率LED照明的电压电流工作要求. 相似文献
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为了控制谐渡对电网的污染,电源中有必要增加PFC模块,采用有源PFC工作原理实现了一种升压型变换器模块,设计完成由交流电压90~265 V输入到稳定的400 V直流输出,所采用的核心控制芯片为L6561.实验结果表明:该变换器的输出电压稳定度高,功率因数达到0.94以上,能够减少整个电源系统的损耗. 相似文献
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设计了一种用于CMOS图像传感器(CIS)的column-level模数转换器(ADC)。它由一种新型斜坡发生器构成,具有分辨率可调的特点,而且以简单的结构实现了高精度和低功耗,占用较小的版图面积。基于0.35μm2P4M标准CMOS工艺,8bit ADC转换时间约50μs,最大线性误差小于±0.5LSB。在分辨率为640×480pixel的CIS中,每列共用1个比较器,提高了传感器的吞吐速率,帧频约40fps;3.3V电压下ADC总功耗不超过27mW,占用版图面积约0.5mm2。 相似文献