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1.
GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的常压MOVPE设备和全部国产MO源,采用低温生长缓冲层技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上获得了高质量的GaN外延层。未掺杂的GaN外延层的室温电子迁移率已达114cm2/V.s,载流于浓度为2×1018。77K光致发光谱近带边发射峰波长为365nm,其线宽为4DmeV。X射线双晶衍射回摆曲线的线宽为360arcsec。用Zn掺杂生长了绝缘的i-GaN层。在此基础上研制了m-i-n型GaN的LED,并在室温正向偏压下发出波长为455nm的蓝光。 相似文献
2.
3.
为解决某型探宅火箭由于无控制系统造成的毪行弹道偏差及落点散布较大的问题,提出由MIMU/GPS组合导航设备、液体姿控发动机、飞控计算机等组成的低成本简控系统方案;组合导航算法采用速度位置间接匹配、反馈校正的Kalman滤波组合法;组合导航设备选用TMS32C67完成导航算法实时解算及信息融合,CPLD完成MIMU及温度传感器的数据采集,MCS51单片机完成GPS板的串口通信;数学仿真结果表明:在475s飞行时间内,火箭姿态控制精度不大于1°,飞行轨迹与理想弹道基本重合,相比原无控火箭有很大改善. 相似文献
4.
5.
N型GaN的持续光电导 总被引:3,自引:2,他引:3
本文报道了金属有机物化学气相外延(MOVPE)生长的未人为掺杂和掺Sin-GaN的持续光电导(PersistentPhotoconductivity——PPC).在不同温度下观察了光电导的产生和衰变行为.实验结果表明,未人为掺杂和掺Sin-GaN的持续光电导和黄光发射可能起源于深能级缺陷,这些缺陷可以是VGa空位、NGa反位或者VGa-SiGa络合物.和未人为掺杂样品A相比,样品B中因Si的并入导致GaN中的深能级缺陷增加,提高了GaN中黄光发射,使持续光电导衰变减慢,但实验未发现黄光的加强和光电导衰变特 相似文献
6.
7.
为研究导叶时序对多级液力透平性能的影响,以两级径流式液力透平为研究对象,建立以首级导叶周向位置为基准,依次将次级导叶周向旋转10°的5种时序方案。基于RNG k-ε湍流模型对不同导叶时序位置引起的内流瞬态特性进行了研究。结果表明:导叶时序对液力透平外特性曲线有一定影响,但对各过流部件压力脉动影响更为显著;各监测点处压力脉动主频幅值随着导叶交错角度的增大呈现出不同的规律,当交错角度为40°时液力透平内压力脉动降幅最大,首、次级叶轮出口和次级导叶过渡段主频幅值相比0°方案分别降低了11%,51%和16%;导叶时序对首、次级导叶出口压力脉动几乎无影响。 相似文献
8.
王晓晖 《艺术与设计.数码设计》2019,(6)
<正>(2019年6月9日,吉尔吉斯斯坦比什凯克)尊敬的萝扎·奥通巴耶娃女士,尊敬的阿扎马特·扎曼库洛夫部长,尊敬的扎纳特·别依申诺夫部长,尊敬的拉米拉·阿克巴吉舍娃主席,尊敬的杜德文大使:下午好!在习近平主席赴吉尔吉斯斯坦进行国事访问、参加上合组织比什凯克峰会前夕,我很高兴来到比什凯克,出席经济日报社和吉尔吉斯斯坦文化、信息和旅游部在阿桑巴易文化艺术中心共同举办的设计中国·丝路花语展览开幕式。我谨代表中共中央宣传 相似文献
9.
10.
近年来,BIM技术在建筑工程中的应用得到了日新月异的发展,但实际工程中的应用还存在未能完全落地的现象.地下室部分是BIM应用能够实施落地的重要部位,结合BIM技术的特点和优势,对BIM在地下室施工中的能实施落地的全周期应用展开阐述.希望能够为BIM的广泛落地应用提供有益参考. 相似文献