医用射频设备增速回升超声设备前景乐观

2007年,在我国经济快速发展,人民健康意识显著提高、医疗保险政策逐步向好等利好的推动下,中国医疗电子市场持续增长,其规模达到247.3亿元,同比增长17.3%.细分市场中,电子仪器及设备、射频仪器、超声仪器、激光仪器及设备、生化分析仪这五大产品也呈现不同的发展态势.其中,医用电子产品份额仍然稳居首位、医用射频设备增速回升、医用超声波设备前景乐观.     

光存储中的纠错与调制编码

二.4 CD系统的CIRC码CD所采用的交叉交错里德-索罗门码(CIRC)是把对于随机错误具有很强纠正能力的里德-索罗门码与把突发性错误变换成随机性错误的交错手段结合在一起的纠错码,它是针对CD的错误分布设计的,具有非常强的纠错能力。     

排气歧管熔模铸造充型和凝固过程数值模拟与优化

采用ProCAST铸造模拟软件对汽车排气歧管充型和凝固过程进行数值模拟。对原有生产工艺模拟表明,在冒口与底盘法兰的接触面处存在缩孔缺陷,工艺出品率较低,约为38.8%。模拟结果与实际生产情况吻合。优化工艺为:增大冒口尺寸,以增加冒口补缩距离;减小直浇道部位尺寸,将排气管移至直浇道顶部。模拟结果表明,优化工艺生产的排气歧管缩松缩孔明显减小,且缩孔全部集中于冒口部位,原底盘法兰处缺陷消失。同时,工艺出品率显著提高,由原来的38.8%提高到49.1%。     

TRIP带钢轧后冷却过程温度场的有限元模拟

应用有限元模拟仿真计算，对相变诱发塑性(TRIP)带钢在连轧机精轧后由850～890℃快冷至700℃，经几秒钟短暂空冷再第2次快速水冷至卷取温度400℃的冷却过程的温度进行了分析计算。分析结果得出，3mmTRIP带钢厚度方向的温差较小，而8mmTRIP带钢厚度方向温差明显增大。因此TRIP带钢在2次快速冷却后和卷取前应有适当的空冷时间以降低TRIP带钢卷取时表面和厚度方向中心处的温度差。     

全球页岩油资源分布与开发现状

我国页岩油资源丰富,但勘探开发起步晚,针对全球主要国家页岩油资源分布与开发现状进行系统研究,对我国开发页岩油具有重要的借鉴意义。本文针对全球主要页岩油生产国如美国、加拿大、俄罗斯等开展系统研究,总结各个国家的资源分布和勘探开发现状,研究了各国页岩油成功开发的技术手段和鼓励政策,并与我国进行对比,进而提出我国页岩油开发建议。     

智能变电站二次回路在线监测研究

随着智能变电站的推广建设,一些传统的检修手段已不再适用。以智能变电站二次回路为对象,研究利用智能站丰富的状态信息和通信数据进行二次回路在线监测的方法。提出二次回路在线监测的技术方案和系统架构,分别从二次回路的状态监测、在线校验和故障诊断3个方面进行探讨。研究成果已在国家电网公司新一代智能变电站示范工程中得到应用,取得了良好的效果。     

桥式固态限流器的研究

介绍了带旁路电感的新型桥式固态限流器的拓扑,并对控制策略进行了改进,使得发生不对称故障时仅断开故障相桥臂,而非故障相可继续运行一段时间;研究了固态限流器在单机无穷大系统中对发电机功角稳定的影响。通过仿真,验证了改进的控制策略的正确性以及固态限流器对三相短路情况下功角失稳的抑制作用。     

基于高通量测序技术分析霉变核桃仁真菌多样性

目的:研究核桃仁在适宜霉变条件(温度25 ℃、相对湿度85%)下的真菌侵染过程,揭示其霉变过程中真菌群落的结构与真菌群落样性变化。方法:采用Illumina Miseq高通量测序方法分析核桃仁霉变过程中的真菌群落组成和多样性。结果:子囊菌门是核桃样品霉变的主要真菌门类,相对丰度在27.41%~99.98%范围,其次是担子菌门,相对丰度在0.01%~32.56%范围。在真菌属水平上,霉变过程中的主要优势种群为镰孢菌属、链格孢属、赤霉属与曲霉属。1周内核桃仁的霉变过程可大致分为Ⅰ期(0~2 d)、Ⅱ期(3~4 d)、Ⅲ期(5~7 d)3个时期,Ⅱ期与Ⅰ期相比镰孢菌属出现明显的富集,Ⅲ期与Ⅱ期相比镰孢菌属、链格孢属与曲霉属出现明显的富集,Ⅲ期与Ⅰ期相比镰孢菌属、链格孢属与曲霉属出现明显的富集。结论:核桃仁霉变过程中真菌微生物群落的变化分为3个时期,真菌多样性呈下降趋势,镰孢菌属、链格孢属与曲霉菌属是其霉变的优势真菌种群。     

双层架构的P2P Botnet研究

Botnet(僵尸网络)是由bot(僵尸主机)组成的可通信、可被攻击者控制的网络,而P2P botnet是一种利用P2P技术构建控制信道的僵尸网络.对比于以往具有明显追踪特征的P2P botnet而言,一种基于双层架构的P2P botnet在控制感染主机方面采用了更加隐蔽和灵活的方式,使追踪难度增大.通过模拟实验对基于这种通信控制模型的僵尸网络进行了功能和性能方面的研究,并提出了相应的防御与追踪方案.     

GaAs PHEMT超宽带六位数控延时器芯片

研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理,基于GaAs PHEMT工艺,设计了一款超宽带数控延时器芯片,该芯片具有超宽带、大延时量和小尺寸等优点,主要用于有源相控阵雷达中。微波在片测试系统对该6位延时器芯片实际测试结果显示,在3~17 GHz范围内,延时调节范围为10~630 ps,64态延时均方根(RMS)误差小于8 ps,全态插入损耗小于22 dB,插损波动小于±1 dB,全频带输入输出电压驻波比(VSWR)小于1.7,整个芯片尺寸仅为4.0 mm×2.6 mm×0.07 mm。实测结果与理论仿真结果吻合良好。