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本文采用恒电流电化学沉积工艺制备Bi-Te二元薄膜。随着沉积时间的变化,在同一个电极上依次出现了单相的Bi2Te3和Bi4Te3薄膜。其中,Bi2Te3薄膜是由规则的长度为100 nm左右,平均宽度为10 nm的纳米棒组成。其具有非常大的比表面积,非常有利于其作为热电材料的应用。而Bi4Te3薄膜是由纳米颗粒团聚而成的不规则多面体组成的。本文的研究证明通过改变沉积参数,有可能在Bi-Te二元系统的沉积过程中对生成物的相组成和形貌进行调控。 相似文献
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本文通过基于共沉淀工艺的双粉法制备了Bi1.76Pb0.34Sr1.93Ca2.0Cu3.06O8+d (Bi-2223)前驱体粉末。在这一过程中,首先单独制备了Bi1.76Pb0.34Sr1.93CaCu2.06O8+d (Bi-2212)和CaCuO2(实际相组成为Ca2CuO3和CuO)粉末,并分别进行了烧结。通过调节共沉淀工艺过程中的pH值,获得了颗粒尺寸不同的CaCuO2粉末,然后将Bi-2212与其按照相组成相组成为1:1进行混合,并装入Ag包套中,通过一系列的旋锻、拉拔和轧制工艺,获得设计尺寸的Bi-2223带材。比表面积测试表明随着pH值从3.0增加到5.0和6.5,获得CaCuO2粉末的平均颗粒尺寸从1.1减小到0.75和0.60 mm。通过扫描电镜对不同尺寸CaCuO2颗粒制备的Bi-2223生带、第一次热处理和后处理之后带材的相组成和分布进行了表征。结果表明,适当尺寸的CaCuO2颗粒可以避免团聚现象的出现,因此有利于高载流性能带材的获得。最终通过进一步调节带材的尺寸,1#带材的性能最高,达到了12200 Acm-2。 相似文献
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Bi-2212超导体是唯一可制备成各向同性圆线且具有高载流性能的高温超导材料,但要实现真正的应用,必须进一步提高线材的载流性能。对比了传统结构线材和芯部增强结构线材的加工特性,研究了传统结构线材的断芯机制。研究结果表明:拉拔过程中线材中心的拉伸应力大于边缘区域的拉应力,再加上Bi-2212陶瓷粉末的塑度较差,导致脆弱的Bi-2212线材在中心首先出现断芯,随着加工的继续,这种断芯现象向周围扩展,甚至最终中心芯丝完全断裂;而中心增强的Bi-2212线材则可以有效避免中心芯丝的断裂,提高了线材的加工的均匀性,大大降低了线材的断芯率,芯丝的断芯率由以前的15%减低到5%以下,同时也大大提高了线材的载流性能。通过控制线材热处理过程中的晶须可进一步提高线材的载流性能。 相似文献
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对肠道病毒71型的诊断方法及疫苗研究进行了综述.EV71的诊断有病毒分离培养、中和抗体滴度检测、核酸检测和免疫学检测;EV71的疫苗研究主要为国内流行的C4型毒株,经过动物模型评价研发减毒活疫苗、病毒样颗粒疫苗和针对VP1位点的重组疫苗.采用两种或两种以上诊断方法联合使用为EV71的快速诊断提供一种有效方法;而建立合适的动物模型,筛选免疫原性和交叉保护水平高的毒种,以及不同类型疫苗免疫原性比较是疫苗研究的方向. 相似文献
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高校理工科大学生的科技风险意识达到什么程度,他们如何正视及规避科技风险,现今的教学体系在这一方面存在哪些问题等方面的调查研究相对较少。本文阐述了科技风险的概念、特征和分类,并针对北京理工类大学生科技风险意识的调查做了现状分析,提出大学生科技风险意识的重要性,并对发现的问题提出对策建议。 相似文献
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作为一种材料基因特性的内禀属性,构型熵是材料基因组中一个新兴的指征因子.设计具有高构型熵的多组元热电材料,可以通过严重的晶格畸变显著降低晶格热导率,并通过提高晶体对称性改善塞贝克系数.然而,高构型熵也造成了载流子迁移率的恶化,从而限制了zT值的改善.本文通过在众所周知的(GeTe)1-x(AgSbTe2)x,即TAGS合金中用Bi取代一半的Sb,设计了(GeTe)1-x(AgSb0.5Bi0.5Te2)x,又称TABGS合金,以证明熵工程的有效性.鉴于TAGS合金的载流子平均自由程较低,已接近Mott-Ioffe-Regel极限,进一步的Bi置换和构型熵增加不会再损害载流子迁移率.此外,通过高构型熵抑制菱方-立方相变和降低的载流子浓度有助于大幅提高Seebeck系数.而且, AgSb0.5Bi0.5Te2合金化诱导的多尺度微观结构和减小的声速有效地... 相似文献
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张胜楠 《稀有金属材料与工程》2017,46(3):585-590
采用共沉淀工艺制备了不同Cu含量的Bi-2212前驱体粉末,并通过分步烧结工艺对前驱体粉末中Cu含量不同所引起的相演变过程的变化进行了系统的分析。结合浸涂法和粉末装管法制备了Bi-2212厚膜及单芯线材。研究结果表明,Cu含量的变化对厚膜和带材在烧结过程中的相演变过程同样具有极大的影响。随着Cu含量的增加,体系的相演化过程发生了改变。最终材料中Bi-2201相的含量逐渐减少,而AEC相的含量逐渐增加。考虑到Bi-2201和AEC对载流过程的影响各不相同,通过系统的优化,获得了最佳Cu含量为x=2.2。在这一成分处,厚膜和单芯带材临界电流密度同时达到最大值。 相似文献