SiC MOSFET短路失效与退化机理研究综述及展望

SiC MOSFET可以大幅提升变流器的效率和功率密度,在高频、高温、高压等领域有较好的应用前景。但是,由于其短路耐受时间短、特性退化现象严重以及失效机理模糊等因素,致使SiC MOSFET的普及应用受到了限制。因此,探究SiC MOSFET短路失效与特性退化的机理,可以为SiC MOSFET器件的应用及其保护电路的设计提供指导,具有重要的研究价值。该文首先归纳SiC MOSFET的短路故障类型,并针对其中一种典型的短路故障进行详细的特性分析。在此基础上,论述SiC MOSFET单次短路故障后存在的两种典型失效模式,综述其在两种失效模式下的失效机理以及影响因素。其次,对SiC MOSFET经历重复短路应力后器件特性退化机理的研究现状进行系统的总结。最后指出当前SiC MOSFET短路失效与特性退化的研究难点,展望SiC MOSFET短路特性研究的发展趋势。     

潮白河水质监测与水质改善措施的初步研究

为了解引温济潮工程来水进入潮白河河道后的水环境现状及其变化趋势,2008年4月至7月,对引温济潮工程受水区--城北减河和潮白河(向阳闸-河南村橡胶坝)的水质进行了监测.水质监测结果表明:由于引温济潮工程运行未稳定,受水区水质较差,建议采取生物调控、植物塘循环、人工滤井循环、辐射井循环、推流曝气等治理方案改善水质,防止富营养化.     

核电厂逆止阀螺栓防松措施力学特性分析

针对核电厂给水泵出口逆止阀螺栓容易松动问题,根据现场条件限制和改造安全要求,提出核电厂逆止阀螺栓增加限位块的防松改进方案。通过建立阀体结构流体三维模型,运用有限元软件对阀门结构所受流体冲击力及温度载荷进行仿真计算,进一步分析阀门结构和防松件的强度,分析防松方案的可行性。结果表明,增加限位块这一防松措施,易于实施,防松效果直接,且不改变阀门及螺栓原有结构力学特性,可行性高,可为核电厂螺栓加固防松措施和评估方法研究提供参考。     

顺义新城温榆河水资源利用工程受水区浅层地下水水质现状评价

工程受水区各含水层的地下水水质总体较好。在重点监测的34个指标中,只有铁、锰、铝、氨氮、挥发酚、高锰酸钾指数、总硬度、亚硝酸盐氮、氟化物和砷10项指标超标,其中铁、锰、铝、氨氮、挥发酚、高锰酸钾指数、总硬度等7项指标为感官性状及一般化学指标,只有氟化物、砷和亚硝酸盐氮为毒理性指标。10项超标的水质指标在平面、垂向上分别呈现出一定的分布规律。     

顺义新城温榆河水资源利用工程自动化控制系统的构建

温榆河水资源利用工程自动化控制系统在正常情况下,可根据远方调度指令,实现对机电设备的远程监控;在设备数据遭到局部破坏不能传输数据时,可通过监控终端,实现机电设备集中控制;在整个系统完全瘫痪时,也可以现场直接控制机电设备,保证不间断供水。构成一个分层次多手段的控制系统,既可实现对污水处理各机组及相关电气设备的自动化控制,又能保证在各种情况下对供水系统的控制万无一失。