多频飞行时间相机实时深度补偿算法研究

针对多频飞行时间相机在曝光时间内物体运动以及相位融合中产生的偏差,提出一种基于光流以及空间核密度估计的实时补偿算法。首先获取原始的多频相位图像,计算出不同频率之间的相对光流,获得每种频率下的补偿相位;在此基础上针对不同频率的相位做出可信度假设并利用空间核密度估计对其进行排名,获得最终的相位融合图并生成对应的深度图。实验部分,使用Kinect V2相机获取的原始多频相位图对算法进行验证,同时利用GPU进行并行加速;结果表明该算法可以实时对物体平行于光轴运动的相位融合偏差进行补偿,有效地提高了深度图像的精度和稳定性。     

SiC超结MOSFET的短路特性研究

SiC超结MOSFET设计基于N/P柱的电荷补偿效应,在保证耐压的同时具有较低的导通损耗和更快的开关速度,因此对SiC超结MOSFET可靠性的分析研究有助于深入理解器件工作机理,为更好地应用提供必要的理论支撑。基于TCAD Sentaurus模拟软件,对1 200 V电压等级的传统SiC MOSFET结构和SiC超结MOSFET结构进行建模。首先对比了2种器件的基本电学参数,然后重点分析了短路特性差异,在相同短路条件下对器件内部的物理机理进行了分析。结果表明SiC超结MOSFET可以有效地提高器件的击穿电压和导通电阻,同时表现出更好的短路可靠性。进一步分析了不同的偏置电压下SiC超结MOSFET的短路特性,结果表明,随着外部施加偏置电压增加,器件的短路耐受时间减小,同时短路饱和电流也会相应增大。     

影响1100铝带材织构及制耳的关键因素

介绍了“1+4”热连轧生产1100铝圆片料的主要流程以及目前主要存在的问题。通过调整化学成分、均匀化工艺、终轧温度及加工量,对生产过程中的组织结构和制耳情况演变进行了研究,找到了1100铝圆片产品制耳率偏大的原因,最终制定了符合客户使用要求的生产工艺。实验结果表明：在1100合金中,增加热轧均匀化温度和提高热轧终轧温度,坯料组织可达到完全再结晶状态,为后续的成品退火提供了更加细小的形核中心,有利于制耳率的降低。同时适当增加Fe含量、降低Si含量及增大加工率均有利于制耳率的降低。     

汽车内饰材料雾化测试中重量法和反射法结果相关性研究

为验证雾化测试的两种方法是否存在相关性,根据ISO6452-2007标准测试一批汽车内饰材料,将重量法和反射法的测试结果按材质分类统计,使用Spearman’s Rank Correlation Coefficient(斯皮尔曼等级相关系数)检验对测试结果分析后得出结论:发泡、毛毡、塑料、真皮材质的重量法和反射法结果存在较强的负相关关系;橡胶和皮革材质的两种测试方法相关性不显著。     

5052铝合金阳极氧化料基材边部“发白”分析及对策

5052-H32阳极氧化料边部发白是氧化料基材生产中一个比较难彻底解决的问题。针对5052-H32铝合金基材边部发白部分,采用粗糙度仪检测表面粗糙度,采用金相显微镜观察缺陷微观形貌并选用扫描电镜进行形貌分析和能谱化学成分分析。分析发白色差部分产生的原因,并结合实际生产情况以及实验进行验证。通过对卷材存放条件、轧制油品、清洗过程以及退火工艺等方面的改进,使双边部发白色差缺陷卷出现的概率大幅降低,效果显著,基本解决了发白色差对氧化料生产过程的影响。     

槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究

利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件,研究分析了三种不同结构的槽栅型1 200 V SiC MOSFET单粒子响应特性,器件包括传统单沟槽MOSFET、双沟槽MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构。仿真结果表明,双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件。通过分析可知,双沟槽MOSFET结构的优越性在于有较深的源极深槽结构,有助于快速收集单粒子碰撞过程产生的载流子,从而缓解大量载流子聚集带来的内部电热集中,相比其它两种结构能有效抑制引起单粒子烧毁的反馈机制。