CMOS微处理器的功耗特性及其功耗控制原理和应用

CMOS微处理器的功耗特性,几种常用的CMOS微处理器的功耗控制原理和应用方法。     

密拼叠合板接缝处直剪性能研究及工程应用北大核心CSCD

通过11块密拼叠合板试件的单向拟静力试验,对接缝处的平面内直剪承载力进行了研究;同时使用分层壳单元,对密拼叠合板水平荷载作用下的平面内直剪承载力、竖向荷载作用下的导荷方式等进行了数值分析。结果表明:密拼叠合板平面内直剪承载力随后浇层厚度、接缝处连接钢筋配筋率的增大而增大;竖向荷载作用下,密拼叠合板在弹性阶段,竖向导荷可等同于现浇板,但承载力计算时跨中和支座弯矩需进行调整;长期荷载作用下其挠度可取现浇板挠度值乘以不小于1.1的增大系数。最后,将研究成果应用于密拼叠合板的设计实践中。     

全景相机与PTZ相机联动监控系统及位置关联模型

为实现大范围监视和指定区域精细观测与分析,提出一种全景相机与PTZ相机组合的联合监控系统.通过分析两相机安装的各种位置关系,建立起了统一位置关联模型.利用所建立的位置关联模型可方便地对监视场景的目标位置从全景图像到PTZ相机图像转换,为实现场景目标的联合监控奠定基础.实验结果表明,利用该模型所计算的水平、俯仰坐标相对于其实际测量值的平均误差均小于云台相机的实际控制误差,满足系统的联动控制要求.     

PDM技术在仪表企业的应用

本文介绍了吴忠仪表PDM的应用情况,重点介绍了产品配置的实现方法和特品的管理方法。经过实际应用,我们建立了以PDM为基础的单一产品数据源,实现了对设计资源的有效管理,提高了对客户需求的响应速度,使我们的管理现代化水平得到了提高。一、应用目标吴忠仪表股份有限公司（以下简称吴仪）自1996年起开始实施CAD应用示范工程,经过几年的努力,已经提前完成了“甩掉绘图板”的目标。目前,利用CAD设计的产品零部件图有3万多张,产品设计出图覆盖率达100％,CAD设计普及率达98％以上。CAD系统的应用在提高设计效率的同时也带来了…     

基于阻尼最小二乘法的单相接地故障定位方案

鉴于利用多时间断面信息能够有效改善单端故障定位精度,提出了一种基于不同采样点信息的单相接地故障定位方案。首先,将电流分配系数视为虚数,建立故障后保护安装处测量电压、电流的实部和虚部方程;然后,根据连续2个采样点信息构造以故障距离为未知数的超定方程组;最后,利用阻尼最小二乘法(Levenberg-Marquara)求解得到故障点。基于PSCAD/EMTDC的仿真结果表明,本方案不受故障相别、故障位置、过渡电阻、线路负荷和系统阻抗等因素的影响,能够较准确地计算故障距离。与将电流分配系数当作实数处理的现有故障定位方案相比,精度更高,性能更优。     

智能配网单相接地故障自愈技术研究及应用

介绍了单相接地故障自愈技术发展现状,提出基于零模电流相关的小电流接地故障定位方法,比较故障线路各相邻FTU间的暂态零序电流相似系数,实现了故障区段自动判断。厦门地区现场运行数据和模拟试验表明,该方法适用中性点不接地或经消弧线圈接地系统,能克服故障时刻和过渡电阻的影响,具有较高的实用价值。     

基于单神经元PI调节的电机软启动器设计

研制了一种基于TMS320F240数字信号处理器(DSP)的智能型电机软启动器,介绍了系统的硬件和软件设计.为增强系统的鲁棒性和自适应性,引入了单神经元PI调节方法,实验证明系统具有优良的性能.     

基于通信地址的智能变电站变压器保护新配置方法研究

目前,智能变电站虚端子配置通常采用人工手配方式,智能化水平有待提高。为此,提出智能变电站变压器保护新配置的解决方法。针对智能变电站变压器保护配置实现方式,探讨了智能变电站智能设备之间通信配置和报文发布订阅自动识别原理,指出了智能变电站变压器保护新配置趋势及原因。根据220 kV变压器间隔信息流,深入分析变压器保护新配置实现方法,通信链路参数设置方法,发布数据集条目数量和描述规范化定义,以及后期扩建变压器中压侧时变压器保护相关参数修改及验证问题。通过变压器中压侧间隔模型解析,证明基于通信地址的智能变电站变压器保护新配置方法的可行性。     

GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。     

LPG汽车加气站的防火设计

提出了LPG加气站防火设计时应依据的规范标准,并就加气站的防火间距、工艺防火设计、消防设施的设计进行了探讨。