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以SiC晶须作为增强体,通过酚醛树脂高温碳化裂解获得碳包覆的SiC晶须,与纳米碳化硅粉体、炭黑混合均匀形成复合陶瓷乙醇浆料.经过干燥、造粒、成型和排胶后获得SiCw-C-SiC素坯,利用反应熔渗法制备高体积分数的SiC晶须增强SiC陶瓷基复合材料.研究了碳黑含量对复合材料力学性能与显微结构的影响.通过扫描电镜照片显示,碳包覆的SiC晶须经高温反应熔渗后仍保持表面的竹节状形貌,且晶须与碳化硅基体间形成适中的界面结合强度,材料断口处有明显的晶须拔出;当炭黑含量为15wt%时,抗弯强度和断裂韧性达到最高值分别为315 MPa和4.85 MPa·m1/2,比未加晶须的SiC陶瓷抗弯强度提高了25%,断裂韧性提高了15%;当炭黑含量为20wt%时,复合材料中残留部分未反应的炭黑,制约其力学性能的提高. 相似文献
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一、引言CuCr触头具有优良的开断能力、较好的耐压水平、良好的抗侵蚀和抗熔爆性能,已被广泛地应用于真空断路器中。然而,与Ag-WC、CuWC以及近年来国外开发的CoAgSe相比,其截流值相对较高。随着真空开关向高耐压、大容量、小型化和低过电压的不断发展,以及CuCr触头在真空接触器、真空负荷开关上应用的逐步推广,要求进一步降低CuCr触头的截流值。国外近些年来在降低CuCr触头材料的截流值方面进行了大量的研究,其主要的途径有三条:(1)在CuCr中添加金属碳化物。如日本明电舍公司研究了CuCrMo(CrC2)等,其主要电开断性能… 相似文献
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电弧作用后CuCrTe(W)触头熔化层组织及耐压性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了CuCrTe和CuCrWTe真空触头经长时间电弧作用后的表面熔化层显微组织及成分的变化。金相和扫描电镜分析表明:CuCrTe触头表面局部存在溅射坑点,熔化层厚度为0~70μm左右,Cr沉淀析出相的粒度为1~5μm左右;CuCrWTe触头表面平整,熔化层厚度约为10μm左右,CrW沉淀析出相粒度小于1μm。能谱成分分析表明:触头熔化层中Cu成分含量显著低于其原始成分含量。耐压试验表明:电弧作用和在CuCrTe材料中添加一定量的W,均可显著提高其耐压性能。 相似文献
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不同粉末冶金工艺制造的CuCr触头的微观组织差异及对电性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
评述了熔渗法和混粉烧结法两种粉末冶金工艺制备的CuCr触头的微观结构差异及对电开断性能的影响。与熔渗法相比,烧结法制备的CuCr触头具有更好的抗熔焊性能,更低的截流值和更好的吸放气性能,但因其机械强度较低故耐压可能不如熔渗法触头。对两种工艺提出了改进的建议。 相似文献
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简要介绍具有较大发展前景的的可擦写光盘用相变记录材料,包括研究方法和制备工艺,重点介绍了Ge-Sb-Te系非晶态《=》晶态相变记录材料的国内研究现状。 相似文献
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