首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   18篇
  免费   0篇
工业技术   18篇
  2008年   1篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  2002年   1篇
  2001年   4篇
  2000年   5篇
  1999年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   1篇
  1983年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有18条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
惠志林  高云  李明  崔舜  余成洲 《稀有金属》2003,27(6):734-737
介绍了一种复合金属多孔体的制备及其方法,首先以泡沫塑料为芯膜,经过导电化处理使其具有导电性,其次进行电沉积金属铁,再进行电沉积金属镍,经过热处理后可制备出复合金属多孔体。该复合金属多孔体用铁取代金属镍,其抗拉性能优于单质泡沫镍,同时可以降低制造成本,主要用于载体如电池电极。  相似文献   
2.
电解液量对MH/Ni电池性能的影响   总被引:2,自引:2,他引:2  
通过对添加不同电解液量MH/Ni电池的密封性、放电容量、电压平台和循环寿命的检测 ,研究了电解液量对电池电化学性能的影响。结果表明 ,对于AA型MH/Ni电池 ,当添加的电解液量 >3 0g或 <2 6g时 ,会导致电池内阻增大和放电容量、放电电压平台的降低 ,同时电解液过多会导致电池漏液。较为合适的电解液量是 2 7~ 2 9g,这时电池内压较低 ,循环寿命较高 ,同时电池的放电容量和放电电压平台得以最大程度的发挥  相似文献   
3.
降低MH/Ni电池内压的途径   总被引:1,自引:0,他引:1  
赖为华  余成洲 《电池》2000,30(4):181-183
针对国内外研究者如何降低MH/Ni电池内压所采取的工艺措施 ,从贮氢合金制备、贮氢合金及MH电极表面处理到正负极添加剂等方面进行了概述。  相似文献   
4.
贮氢合金粉体包覆铜工艺   总被引:7,自引:0,他引:7  
为改善稀土—镍基贮氢合金粉的抗氧化和耐粉化性,本文介绍了一种简单的化学镀铜法,该法工艺简单,成本低廉,可达到抗氧化和抗粉化的目的,并且能增强传热和导电性能,降低内阻、内压,使得由此包覆粉制出的电池的放电容量更高,放电电压更平稳。  相似文献   
5.
6.
氢镍电池的现状与发展方向   总被引:17,自引:1,他引:16  
余成洲  赖为华 《电池》2001,31(2):58-61
分别对小型MH/Ni电池、电动车和电动工具用MH /Ni动力电池的发展现状、开发动向及发展趋势进行了概述 ,小型MH/Ni电池将朝着低成本化、高容量化、轻型化、新品种化等方向发展 ,MH/Ni动力电池主要朝高比能型和高功率型两大方向发展。强调了发展MH/Ni电池产业的重大意义并列出了氢镍电池领域的主要技术发展趋势  相似文献   
7.
按照北京有色金属研究总院研究成功的钙热还原生产钐-钴永磁粉末的新工艺,在上海跃龙化工厂建成了我国第一条钐-钴永磁粉末生产线。这种新工艺与原合金法工艺相比,产品收率提高10%,主要原材  相似文献   
8.
聚氨酯泡沫上化学镀镍研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
实验给出了聚氨酯泡沫的粗化和化学镀镍工艺参数;研究了对化学镀镍沉积速度影响的因素,发现温度、还原剂和金属镍盐浓度是主要影响因素,随着温度的升高及还原剂与镍盐浓度的增大,镀速增加。化学镀镍后经电镀、热解和热处理制得泡沫镍。  相似文献   
9.
高性能廉价MH/Ni电池关键材料的探索   总被引:1,自引:1,他引:0  
余成洲  郭宏  张深根  蒋文泉  惠志林  崔舜 《电池》2002,32(Z1):105-107
提出了降低MH/Ni电池负极、正极及泡沫镍等关键原材料的生产成本,保持其优良性能的一系列创新性的思想,即采用快冷厚带新工艺生产低Co、高比容贮氢合金;以廉价微粒添加物作骨架,利用特殊"镶嵌"技术制备复合型球形α、β混合相组成非化学计量比Ni(OH)2以及利用镍复合特种泡沫金属的工艺制备廉价复合带状泡沫镍,可降低50%的镍用量.  相似文献   
10.
序言第四届希土永磁国际会议于1979年5月22日到24日在日本箱根举行。希土永磁会议是在1974年由希土永磁的权威、美国道顿(Dayton)大学教授K.Strnat创办的。以往的三届会议都是在美国召开的,本届会议是由日本未踏加工技术协会主办,日本金属学会,日本电气学会,日本应用物理学会,日本应用磁学学会协赞召开的。尽管会议的专  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号