首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   56篇
  免费   23篇
  国内免费   10篇
数理化   89篇
  2024年   3篇
  2023年   2篇
  2022年   3篇
  2021年   5篇
  2020年   4篇
  2019年   7篇
  2018年   5篇
  2017年   1篇
  2015年   2篇
  2014年   4篇
  2013年   1篇
  2012年   3篇
  2011年   1篇
  2010年   8篇
  2009年   5篇
  2008年   4篇
  2007年   4篇
  2006年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   1篇
  2003年   2篇
  2002年   3篇
  1999年   1篇
  1994年   8篇
  1992年   4篇
  1991年   1篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
  1987年   1篇
  1982年   1篇
  1976年   1篇
排序方式: 共有89条查询结果,搜索用时 375 毫秒
81.
FAIR超导二极磁体实验失超保护系统设计与分析   总被引:3,自引:1,他引:2  
阐述了超导磁体线圈实验过程中采用的平衡桥路电压失超检测及保护方案,对超导磁体电压失超检测电路进行了分析,提出了平衡桥路失超电压检测法选取原则。  相似文献   
82.
标识纳米材料的喇曼新谱线的观察与研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
刘方新  吴佑实 《光学学报》1992,12(10):46-949
报道纳米材料ZrO_2和SnO_2在各种微晶粒度下的喇曼谱峰,进行了对比观察和分析标识.  相似文献   
83.
刘方新  李宗民 《物理》1992,21(10):591-594
本文讲述了超声顺磁共振的基本原理,介绍了两种观测方法:超声吸收饱和法及超声吸收附加法;比较了超声顺磁共振法和电子顺磁共振法的差异及优缺点;扼要地介绍了超声顺磁共振法在金属、半导体和一些晶体的原子热运动、原子排布和对称性及结构缺陷等方面研究中的应用.  相似文献   
84.
固壁加热的分子动力学模拟研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文应用分子动力学模拟方法,讨论了NVE系综中不同初始晶格类型对模拟系统平衡温度和截断半径对模拟系统平衡总能的影响.建立了一种新的固壁加热模型,模拟研究了由铂组成固壁对流体氩快速加热过程.在本文的模拟条件下,由于固壁与液体之间的快速加热作用,固壁与液体之间产生的蒸汽推动液体向上移动,可以明显地观察到Leidenfrost现象的产生.  相似文献   
85.
通过求解椭圆积分,计算了EAST极向场系统的磁场分布,从而计算出极向场线圈在等离子体放电过程中的热负荷。并根据磁体运行的热工水力条件估算出极向场线圈在等离子体放电过程中的最高温升。  相似文献   
86.
人脸识别问题的特点包括样本的特征维数高和每个类别所包含的样本较少。设计有效的特征提取方法是解决人脸识别问题的关键要素之一。提出了在采用降采样获得特征的同时利用新的降采样方法多次对原图片进行降采样,生成多幅训练样本,进而缓解人脸识别中的小样本问题。实验结果证明所提出的方法能有效地提高分类器的精度。  相似文献   
87.
提出了一种自适应多普勒畸变校正方法,以声源移动速度v、初始时刻麦克风与声源横向距离x两个运动学参数为优化变量,以最大化重采样信号的频域统计指标为优化目标,通过参数寻优进行v和x的估计,通过幅值还原和时域插值拟合进行畸变校正。仿真分析结果表明,频谱峭度、频谱偏度、频谱脉冲因子和频谱峰值因子4种统计指标均能准确识别运动学参数,且频谱峭度的抗噪能力最好,临界信噪比达到-3.1 dB。实验分析结果表明,列车故障轴承多普勒畸变声音信号校正后,包络谱故障频率成分及其倍频成分清晰准确,说明多普勒畸变得到有效校正。该方法可基于信号本身实现多普勒畸变信号时频结构的全面校正。  相似文献   
88.
介绍了Pacman装置的设计原理,用Pacman装置测量了OST公司通过内锡法工艺制备的Nb3Sn超导股线在12T,4.2K条件下单轴方向的临界电流与应变的关系,应变的范围在-0.8%~+0.6%。用偏量比例模型模拟了临界电流与轴向应变之间的规律,分析了随应变的改变n值的变化,得出了Nb3Sn超导股线对应变的敏感程度。  相似文献   
89.
氮化镓材料由于优良的电学特性以及耐辐照性能,其与不同含量AlxGa1–xN材料组成的电子器件,有望应用于未来空间电子系统中.然而目前关于氮化镓位移损伤机理研究多关注于氮化镓材料,对于AlxGa1–xN材料位移损伤研究较少.本文通过两体碰撞近似理论模拟了10 keV—300 MeV质子在不同Al元素含量的AlxGa1–xN材料中的位移损伤机理.结果表明质子在AlxGa1–xN材料中产生的非电离能损随质子能量增大而下降,当质子能量低于40 MeV时,非电离能损随着Al含量的增大而变大,当质子能量升高时该趋势相反;分析由质子导致的初级撞出原子以及非电离能量沉积,发现不同AlxGa1–xN材料初级撞出原子能谱虽然相似,然而Al元素含量越高,由弹性碰撞产生的自身初级撞出原子比例越高;对于质子在不同深度造成的非电离能量沉积,弹性碰撞导致的能量沉积在径迹末端最大,而非弹性碰撞导致的能...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号