基于谱分析的数值内插快速算法

给出一个基于频谱分析的数据插值快速算法 ,应用该算法实现了对一维的硅烷射频辉光放电等离子体中质谱信号的数据和对二维的托卡马克小截面磁面网格数据的快速内插。     

Structural and electrical properties of SrTiO3 thin films as insulator of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor （MFIS） structures

SrTiO₃ (STO) thin films were deposited on p-Si(100) substrates at various substrate temperatures from 300℃ to 700℃ by radio frequency (RF) magnetron sputtering technique. Their structure and electrical properties were investigated. It was found that the transition from amorphous phase to polycrystalline phase occurred at the substrate temperatures 300--400℃. Their crystallinity became better when the substrate temperatures further increased. The dielectric and leakage current measurements were carried out by using the Si/STO/Pt metal--insulator--semiconductor (MIS) structures at room temperature. It was found that the fixed charge density decreased and both the interface trap density and the dielectric constant increased when the substrate temperatures were increased. The leakage current mechanisms for STO MIS structures with STO films prepared at 700℃ followed the space charge limited current (SCLC) under the low applied electric field and the Poole--Frenkel emission under the high one. In addition, the resistivity for films prepared at 700℃ was higher than 10¹¹\Omega \cdot cm under the voltage lower than 10V (corresponding to the electric field of 1.54\times 10³kV\cdotcm^-1). It suggested that the STO films prepared at 700℃ were suitable for acting as the insulator of metal--ferroelectric--insulator--semiconductor (MFIS) structures.     

重离子反应中核子前平衡发射的同位旋效应

考虑了同位旋相关的对称能、库仑能及核子—核子碰撞截面，对反应４０Ａｒ＋４０Ａｒ（Ｅ＝２５ＭｅＶ／ｕ，ｂ＝０）进行了量子分子动力学模拟，讨论了同位旋效应对核子发射的影响．观察到前平衡发射的中子和质子的比率大于反应系统的中质比，发现对称能有利于中子的发射而阻碍质子的发射，而同位旋相关的核子—核子碰撞截面对中子和质子的发射都有利，但似乎更有利于质子的发射。     

金属Ni的电子结构及物理性质

本文依据单原子状态法确定金属Ni的电子结构[Ar](3d_n)^2.69(3d_m)^0.66(3d_c)^5.24(4s_c)^0.25(4s_f)^1.16,计算了势能曲线、晶格常数、结合能、原子磁矩、各种弹性模量、线热膨胀系数和比热随温度的变化。     

金属Cu的电子结构和物理性质

本文介绍一种以单原子状态代替单电子状态和以多原子相互作用的势能函数代替Schrodinger方程的方法,以便对金属和合金的结构和性质进行系统的分析。纯金属的原子状态可由若干遵守Pauli不相容原理的基本原子态组成,通过自洽方法确定金属Cu的电子结构是(3d_n)^4.89(3d_c)^4.77(4s_f)^1.34.与这种电子结构相应的多种性质理论值,如晶格常数、结合能、体弹性模量和热膨胀系数随温度的变化都与实验值符合很好。     

维生素B12模型分子侧链钴-氮键稳定性研究

维生素B12(VB12)模型分子[单腈六甲基-N-(3-咪唑基)丙酰胺钴啉酯高氯酸盐4b-4f],在甲醇溶液中用酸性缓冲溶液处理生成5b-5f.通过测定不同pH的缓冲溶液中的UV-Vis谱,计算了Co-N键的平衡常数,侧链氮原子与中心钴离子配位键的强弱次序为4d＞4f＞4c＞4e＞4b.     

关于HADAMARD不等式的注记

本文主要研究一类Ｆ－矩阵的性质，这类矩阵包含对称半正定矩阵，完全非负矩阵，τ矩阵和Ｍ－矩阵为其子类。我们不仅对Ｆ－矩阵改进了Ｈｄａｍａｒｄ不等式，而且证明对此类矩阵Ｈａｄａｍａｒｄ不等式成立等式的充要条件是它的每条对角线，除主对角线外，都含有零元。     

从特殊情形入手 破解线段最值问题

图形运动问题是中考数学命题的热点和重点题型.对考生而言,由于这类题综合性强,类型多样,包含知识点多,考查学生计算、推理、猜想、探究归纳等诸方面的数学能力,是易失分的难点.其中,动点下线段长度最值问题作为压轴题,常出现在选择、填空、综合解答题中,是典型中考题.     

树的变形与代数连通度

本文利用瓶颈矩阵的Perron值和代数连通度的二次型形式,系统地研究了当迁移或改变分支(边、点)和变动一些边的权重时无向赋权树的代数连通度的变化规律,认为代数连通度可用来描述树的边及其权重的某种中心趋势性.引入广义树和广义特征点概念,将II型树转换成具有相同代数连通度的I型树,使得树的代数连通度的讨论只须限于I型树的研究即可.