云木香总生物碱提取工艺的优化

探讨云木香总生物碱最佳提取纯化工艺的影响因素,确定其最佳提取方案,为进一步分离提纯以及生产开发奠定基础.采用正交设计安排试验,以总生物碱含量作为评价指标,考察乙醇浓度、固液比、超声时间、提取次数对其影响.最佳工艺条件为14倍量的70％乙醇超声提取两次,每次75min,该结果在验证实验中得到验证.在研究得出的最佳提取工艺条件下提取云木香总生物碱简便、稳定、可行.     

MA量级小型螺线管爆磁压缩发生器

通过等效电路方法计算了MA量级小型螺线管爆磁压缩发生器(HEMCG)各参数,得到发生器的损耗主要来自非欧姆损耗。设计的HEMCG整体外径约140 mm,长度小于550 mm,初始电感128.7μH。实验表明,在初始电流3.6 kA条件下,在100 nH负载上输出前沿75.2μs、峰值1.87 MA的电流脉冲,电流放大约519.4倍,能量放大约209.5倍,炸药化学能到电磁能的转换效率为6%。两发HEMCG分别经原边电感约440 nH、副边电感约4μH、耦合系数约0.85的电缆变压器调制,在4μH负载上得到了上升时间约80μs、峰值72 kA的脉冲电流,变压器能量传输效率约为26.8%。     

RP-HPLC荧光检测法测定血浆中的烟酰胺

建立了一种高效液相色谱-荧光检测法用于检测血浆中的烟酰胺浓度。血浆中的烟酰胺首先被转化为N1-甲基烟酰胺,再与苯乙酮在一定条件下反应生成荧光衍生物进行检测。该方法灵敏度高,检出限为10ng/mL,回收率为92.75%—105.13%,相对标准偏差(RSD)为3.76%—4.43%。方法准确、灵敏、快速,达到了实验的要求,适用于血浆中低浓度烟酰胺的检测。     

利用PC2D优化高方阻均匀发射极电池的栅线电极

利用新型二维PC2D软件研究高方阻均匀发射极太阳能电池的栅线电极对电池性能的影响,通过对细栅线的宽度和排布方式的优化,增大填充因子,找到常规电池的效率极限。结果表明,在不采用复杂电池结构的情况下,以现有大规模生产工艺条件为基础,细栅线优化后（正面细栅线109根,线宽为40 μm）,在常规电池中能实现19.09%以上的效率。     

航行体回收垂直入水空泡流场及水动力特性研究

航行体以尾部向下姿态入水过程的研究对无动力运载体以及导弹回收等问题的解决具有重要意义.本文采用VOF (volume of fluid)多相流模型,并结合动网格技术,对航行体尾部向下姿态高速垂直入水过程展开研究.数值计算结果与实验[12]吻合度较好,验证了本文所采用数值方法的准确性与可行性.以航行体为研究对象,分析了航行体垂直入水过程中流体动力、入水空泡及流场结构的演变特性,进而讨论了入水速度对流体动力特性和入水空泡的影响规律.研究结果表明:在航行体入水过程中主要受到压差阻力的影响,在入水冲击阶段,航行体所受阻力系数在撞击自由液面时达到最大,随着入水时间的推移,总阻力系数缓慢降低,最终趋于稳定,空泡发生溃灭时产生微小波动.在入水空泡发展的过程中,在惯性力与内外压差的共同作用下,空泡壁面会同时存在扩张与收缩两种阶段.航行体垂直入水过程中阻力系数峰值随着入水速度的增大而增大,且随着速度的增大,空泡最大直径以及空泡收缩速率增大.空泡面闭合无量纲时间以及深闭合时入水空泡夹断深度与入水深度的比值随弗劳德数变化基本不变.     

基于爆磁压缩发生器的紧凑脉冲功率源（英文）

为了满足某脱离电网的应用需求,研究了一种基于爆磁压缩发生器的紧凑脉冲功率源。该脉冲功率源设计目标是对等效电容为65pF的电容负载快速充电至数百kV。考虑到爆磁压缩发生器与负载之间的阻抗匹配,该脉冲功率源采用了一种主要由电爆炸断路开关、脉冲变压器和中间储能电容器组成的脉冲调制模块。详细介绍了该脉冲功率源的具体设计和实验研究,并对实验结果进行了分析,在此基础上讨论了下一步可能的改进优化。研究结果表明,利用该脉冲源对电容负载充电电压达到了-352kV,电压上升时间约10ns。     

原位获取新鲜Ag及其SERS活性研究

以立方的AgCl纳米结构作为前躯体, 利用共聚焦拉曼光谱仪的光源原位辐射获取新鲜Ag, 并同步用于对巯基吡啶(4-Mpy )分子的SERS检测。结果表明: 随着辐射时间的增加, 4-Mpy 分子的SERS信号强度增加并趋于最大值。结合信号强度和AgCl表面形貌及其化学组分的演变, 给出了一种可能的机理解释。     

5英寸锑化铟晶片加工及表征

锑化铟(InSb)材料因其特殊的性质被广泛用于红外光电探测等领域。随着更大面阵中波红外焦平面探测器的发展以及对低成本InSb红外探测器的需求,所需的晶片材料尺寸也日益增加。本文通过采用新结构石墨托以及高精度低损伤单线切割实现了5英寸InSb晶体定向断段;采用低损伤边缘倒角技术同时优化研磨参数改善了5英寸InSb晶片研磨;通过优化贴片工序提高了5英寸InSb晶片抛光后的平整度;通过优化抛光液pH值以及配比提高了5英寸InSb晶片表面质量。同时,使用X射线晶体定向仪、原子力显微镜等测试仪器对5英寸InSb晶片的晶向及偏差、抛光表面宏观质量、几何参数、表面粗糙度、晶格质量进行了测试表征。测试结果表明,采用优化后的加工工艺制备出了高质量的5英寸InSb晶片,能够满足InSb红外探测器制备需求。     

FPGA配置片反熔丝PROMs加速器地面单粒子效应特性研究

针对0.13 μm CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）体硅外延工艺下FPGA（Field Programmable Gate Arrays）配置片反熔丝PROM（Programmable-Read-Only-Memory）进行了单粒子效应（Single Event Effects SEEs）的加速器地面模拟试验研究。以PROM的存储容量、数据类型和工艺差异性为研究变量,考核与验证其在不同种类和能量粒子入射的系列性加速器地面SEEs模拟试验。研究结果表明,相对于8 Mbits PROM而言,空片16 Mbits PROM抗辐射性能最优,且从翻转饱和截面上说,16 Mbits的PROM具备更高的可靠性,优于国外同系列的芯片类型,试验用PROM芯片的单粒子锁定阈值>99.0 MeV·cm2/mg。另一方面,研究0.13 μm CMOS普通与深阱工艺技术下PROM芯片单粒子翻转效应异同性的实验数据表明,在高LET（Linear Energy Transfer）处的两者抗辐射性能并无明显变化,但是低LET处（LET翻转阈值）的加固效果较为明显,即抗辐射技术能力主要体现在LET翻转阈值的提升而非翻转截面的减小。Single event effects (SEEs) have been characterized and investigated on one-time configured devices for field-programmable-gate-arrays (FPGA) of programmable-read-only-memory (PROM) in 0.13 μm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology.The variables of their memory size,written data and technology have been taken into consideration as the key parameters affecting the SEEs sensitivity when testing and verifying the reliability/radiation tolerance on self-made PROMs by heavy ions.The results show that,16 Mbits PROM within blanked data has been studied that it has better performance to radiation tolerance as compared with the 8 Mbits PROMs.Additionally,16 Mbits PROMs have the higher reliability,if based on the viewpoint of the saturated single event upset cross-section.To the single event latchup,16 Mbits PROMs were exposed to a total fluence of 107 ions/cm2 at the linear energy transfer (LET) of 99.0 MeV·cm2/mg and no obvious fluctuation of current has been observed.Additionally,as comparing the zone of high LET value,0.13 μm CMOS transistors with deep-well technology present a better radiation hardened approach than normal technology,especially in improving the threshold of LET at the zone of low LET value.     

YXO4(X=Nb,V)的结构与基质发光

采用高温固相法制备了一系列YNb_1-xO₄∶xV样品, 通过连续改变Nb和V的比例获得了具有不同结构的材料. 研究发现, V$O^{3-}_{4}$与Nb$O^{3-}_{4}$基团的发光分别位于约420和400 nm处, 但是YNbO₄中掺杂少量的V ⁵⁺和YVO₄中掺杂少量的Nb ⁵⁺对发光的影响明显不同. 通过连续改变V和Nb的比例, 其发光性质并不能连续从一种发光变为另一种发光, 而是在某一组成时达到最低. 对所制备材料的结构、 组成及发光变化进行了研究, 结果表明存在2种发光猝灭机理.