有机化合物电子光谱中的助色基及其作用机理探讨(Ⅰ)

本文就电子光谱中助色基的作用进行了讨论 ,认为不能一概地认为助色基能使与之相连的生色基最大吸收波长统统发生红移 ,而应具体问题具体分析 :对于n→π 来说 ,一方面助色基的p轨道和生色基的最低π 反键空轨道相互作用 ,使π 反键轨道能量上升 ,另一方面助色基的p轨道和生色基的n轨道正交 ,n轨道能量基本保持不变 ,因此n→π 跃迁能增加 ,吸收波长发生蓝移。对于π→π 跃迁来说 ,助色基的p轨道和生色基的最高π成键轨道相互作用生成的新的最高π成键轨道 ,能量虽然有所升高 ,但升高的程度与π 反键轨道升高的程度相比 ,在一些化合物中π轨道升高程度较大 ,因而π→π 跃迁能减小 ,吸收波长发生红移 ;在另一些化合物中π轨道升高程度较小 ,因而π→π 跃迁能增加 ,吸收波长发生蓝移。     

陈化温度和Fe/Zr配比对SO42-/Fe2O3-ZrO2固体超强酸结构与性能的影响

用低温陈化法制备了SO42 -/Fe2 O3 ZrO2 (简称SFZ)固体超强酸催化剂 ,用红外光谱 (IR)和X光衍射(XRD)对其结构进行了表征 ,并考察了它对合成癸二酸二正丁酯的催化性能 .IR谱显示 ,低温陈化的SFZ样品在10 70cm-1处吸收峰远强于常温陈化样品 .XRD分析则显示 ,在焙烧温度为 6 5 0℃、Fe/Zr为 2∶1时 ,低温陈化的样品出现了亚稳态的ZrO2 四方晶相 .该样品在催化酯化反应中使产率达 90 %以上 ,高于常温陈化样品的 30 % .研究结果表明 :在其他条件不变时 ,低温陈化所出现的亚稳态的ZrO2 四方晶相是表面酸性和催化活性增加的微观原因     

图的边韧性度

文[1]中,定义图G(V,E)的边韧性度定义为min{(|S|+T(G-S))/(ω(G-S)):S?E(G)},这里,T-(G-S)和ω(G-S)分别表示G-S中最大分支的顶点数和连通分支数.这是一个能衡量网络图稳定性较好的参数,因为它不仅考虑到了图G-S的分支数也考虑到了它的阶数.在以前的工作中,作者得到了边韧性度图的一个充要条件.利用这些结果证明了K-树是严格边韧性度图,并找到了边韧性度与较高阶的边坚韧度和边坚韧度之间的关系.     

GaAs／GaInNAsSb超晶格性能的影响

用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变．用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构．讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响．发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元，从而影响了该超晶格的发光性能．计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量．     

中心单Poisson代数

确定了特征0的代数闭域上与局部有限导子相关的中心单Poisson代数的结构. 这些Poisson代数的Lie代数结构一般来说不是有限阶化的.     

"超预期思路"在数学解题教学中的价值透视

数学教学应立足于学生的主体性发展 ,这一建设性方向的首要表征在于数学创新意识的培养 .而一种教育理念从理论宣言的层面转化为实际的课堂教学行为需要一个过程 .在这个过程中 ,一些不起眼的教学细节往往正是实现这种教育理念的绝好素材 ,但它却常常被有意无意地忽略 ,没有体现出其应有的价值 .对待学生数学解题活动中的“超预期思路” ,即属于这样一种情况 .为使其潜在的教学价值得到有效的张扬 ,本文旨在结合自己的教学感受作些探讨和分析 .1　“预期思路”与“超预期思路”就一般的解题教学而言 ,教师总是先由自己的解题活动达到对问题…     

光纤陀螺信号处理中SLD驱动电路设计

光纤陀螺用光源要求输出功率高、相干性低、稳定性好，超辐射发光二极管（SLD）是能满足这些要求的理想光源，目前国内光纤陀螺用的光源基本上主要选择超辐射发光二极管（SLD），从工程实际应用出发，介绍了超辐射发光二极管（SLD）驱动电路设计，以此来提高光纤陀螺性能。     

超分子有机薄膜

利用超分子有机薄膜技术能制成新的传感分子电子器件、光学器件和生物分子器件等，受到跨学科高技术研究领域的重视。本文描述了超分子有机薄膜的制备方法以及在各应用领域的研究状况。重点介绍了我们研究组在近20年工作中，利用LB膜技术，在光电器件、气体传感技术和光学非线性，特别是在生物传感技术方面的研究成果。按照生物体系提供的信息，模拟合成功能分子，建造有组织的分子组装体，以便用来研究依赖于分子排列的生物物理化学效应。     

激发对相干态的等阶Y压缩效应

用数值计算法研究了激发对相干态|ζ;m〉＝a^+mb^+m|ζ〉的等阶Y压缩效应.结果表明:对于态a^+mb^+m|ζ〉,光场存在着等阶K(＝2,3,4,5,…)次方Y压缩效应,但是随着场模上光子增加数m的增大,等阶K次方Y压缩效应减弱.     

半导体与超晶格的数学模型及其分析Ⅰ:模型

本文论及半导体与超晶格的数学模型方法的一些新近发展动态。介绍了半导体与超晶格的一些背景材料并给出了半导体宏观模型间的层次框架。超晶格中载流子传输的SHE扩散模型也被观察。