三段式Halbach阵列永磁电机解析建模与研究

针对传统子域模型在分析电机电磁性能时无法考虑软磁材料磁导率的缺陷,提出了一种考虑软磁材料磁导率为具体值的三段式Halbach阵列永磁电机多层解析模型。根据内部激励源和媒介的不同,将永磁电机全域划分成Halbach阵列永磁体层、气隙层、定子齿尖层和电枢绕组层4类磁场求解层。利用柯西乘积和复数形式的傅里叶级数来描述磁场求解层中媒介磁导率分布情况。基于麦克斯韦方程组建立了每个磁场求解层的拉普拉斯方程或泊松方程,结合边界条件求解出每个磁场求解层的磁矢位。利用多层解析模型计算了电机的气隙磁密、空载反电动势和输出转矩等电磁特性,并与有限元模型计算结果进行了对比。计算结果表明：多层解析模型和有限元模型计算得到的气隙磁密波形吻合得很好,两者的空载反电动势峰值和输出转矩平均值的相对误差均小于1%,证明了多层解析模型的正确性。最后利用多层解析模型研究了槽开口宽度、磁极宽度和充磁夹角对电机输出转矩的影响规律,给出了输出转矩最优的设计方案。仿真结果表明：优化后的输出转矩脉动削减了75.7%,证明所提出的多层解析模型不仅计算准确而且计算速度快,在电机的初始设计和电磁性能影响规律的探究上具有明显的优势。     

龙门山中北段重磁场特征与深部构造的关系

利用平均重力场与深部地壳测深资料估算了龙门山及邻区莫霍面的深度变化,表明龙门山地区正处于莫霍面由东南向西北的陡降带上。均衡重力异常计算结果显示该区为正异常。对航磁异常的向上延拓反映出茂汶杂岩体是“无根”的。此外还应用角度平均径向能谱法反演了该区深部磁性基岩的顶面与底面深度。结果表明,龙门山地区上地壳是由若干块体拼合而成的,川西拗陷带内的磁性界面呈现出向龙门山地腹下插的格局。     

层状岩体垒积序列差异性SCW-R/S分形模型

依据已有的一些力学分析结果、模型模拟结果和地质体中构造变形破坏的特征,指出层状岩体垒积序列差异性是控制地质体在法向上构造变形破坏的内因.并建立了定量描述它的SCW-R/S分形模型,使得不同地质体的差异性具有定量可比性;同时初步推测了它与构造变形间的表观关系.     

BP神经网络用于函数逼近的最佳隐层结构

研究采用反向传播算法的人工神经网络用于函数逼近时的支结构。方法,以典型的ｎ输入、单输出的多层ＢＰ网为例,在几种不同的网络隐层结构下对典的连续函数进行逼近训练。,分析各网络输出的全局误差。     

解色散方程的二层隐式差分格式

解色散方程的二层隐式差分格式李小平（数学系）不少科技问题涉及波的输运,色散是输运过程中重要的物理现象．文［１］指出,在构造其差分格式时,在一定程度上可将描述孤波的ｋｄｖ方程ｕｔ＋ｕｕｘ＋ｕｘｘｘ＝０看成是拟线性双曲型方程ｕｔ＋ｂｕｕｘ＝０与色散方程ｕ...     

氧化物和盐类在分子筛内外表面及孔穴中的自发分散及？…

氧化物和盐类可在分子筛内外表面及孔穴中自发形成原子水平的分散,原因是分散后体系的熵可大大增加,同时在表面生成的新键,其强度和未分散时化合物内部的键强度不相上下,结果导致体系的总自由能下降。熔点较低的化合物的分散可通过它们与分子筛混合在适当温度下加热来实现;熔点较高的化合物的分散,则需要通过用其溶液浸渍分子筛后烘干和热分解来实现。     

声—光型界面自皮与界面各向异性

在考虑了外磁场、界面各向异性后,详细研究了铁磁和反铁磁层间耦合下自以链系统中的声－光型界面自旋波及其存在的充要条件,在适当的界面各向异性条件下,系统中可以存在０、１或２个声－光型界面自旋波,并发现其能量随铁磁层间耦合强度的增大而升高,随反铁磁是耦合强度的增大而降低。     

路用矿料表面电荷性质的测试

本文以物理化学理论为指导,实验为基础,较详细地介绍了矿料遇水后,表面电荷的起因、表面电荷的性质和ζ电势的测定,从而说明沥青与矿料间的相互作用机理     

具有空间对照结构渐近解的构造(Ⅰ)

对具有快慢变量非线性方程组的边值问题(μ是小参数) (du)/(dx)=g(x,u,v,w) μ(dv)/(dx)=F(x,u,w) μ(dw)/(dx)=G(x,u,v) u(0,μ)=v(0,μ)=v(1,μ)=0 本文讨论了产生空间对照结构时的渐近解构造,“啪”型内部层解位置的确定及给出了渐近解的误差估计。     

CPML截断2.5维问题中圆柱波导开放边界的应用

为了解决高功率微波(HPM)源模拟中圆柱波导开放边界的截断问题，研究了柱坐标系下卷积完全匹配层(CPML)吸收边界，给出了CPML中电磁场的差分方程和轴边界条件，并进行了数值验证．在不同频率和模式的激励源作用下，模拟了2．5维问题中CPML截断圆柱波导开放边界的性能，相对误差最大值都小于-90dB在2．5维电磁PIC软件中引入CPML方法，模拟计算了相对论返波管．结果表明，CPML在截断波导开放边界方面的性能远好于Mur型吸收边界条件。