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91.
二硫化钼(MoS2)是过渡金属硫化物中最典型的二维纳米材料之一,由于其特殊的层状结构及优异的化学性能,被广泛应用于超级电容器领域.本文以二水合钼酸钠(Na2MoO4?2H2O)为钼源,硫脲(NH2CSNH2)为硫源,成功合成了MoS2纳米花和MoS2纳米球,利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD... 相似文献
92.
ZnSe纳米棒的一步水热法制备及其表征 总被引:3,自引:0,他引:3
采用一步水热法,由氢氧化钠、单质硒粉与乙酸锌反应,在EDTA存在的条件下,成功制备了立方相ZnSe纳米棒.对所得样品分别通过X射线衍射和透射电子显微镜进行了物相鉴定与形貌观察.在190 ℃,1.2 MPa条件下得到的纳米棒直径约为40~70 nm,长度为360~460 nm.温度超过200 ℃时,形成的为ZnSe纳米颗粒.讨论认为在纳米棒的形成过程中,EDTA起络合剂的作用,并形成了胶束状软模板.该方法为ZeSe及其它半导体纳米棒的合成提供了一种简单易行的方法. 相似文献
93.
94.
用Kinetic Monte Carlo方法研究了薄膜生长初期的表面形貌, 对激活能的计算采用了更加通用、准确的算法, 模型考虑了原子吸附、迁移、脱附、蒸发原子返回基底, 二体运动等多种机理, 根据模型编写了相应的软件, 利用计算机图形学的原理对薄膜的表面形态进行了三维立体成像, 并通过模拟发现, 在低温和高温时薄膜的早期成核和表面形貌完全不同, 薄膜后续的生长与早期成核有很大的关系. 微观机理主要受原子的热运动影响, 温度决定扩散能力, 入射率决定扩散时间. 相似文献
95.
纳米棒插接多级孔ZSM-11分子筛形貌影响因素研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用先低温后高温的两段晶化方法在含有四丁基溴化铵的单一模板体系中合成具有插接形貌的ZSM-11分子筛。分别从硅源、铝源、硅铝比、碱源和模板剂的种类对插接形貌形成的影响因素进行分析。结果表明:硅源、铝源以及碱源的种类主要是通过影响解聚-聚合的速率来影响体系的成核以及晶体生长的速率,从而对结晶动力学以及最终产品的晶粒尺寸产生影响,并不会对插接形貌产生大的影响;与固体硅源(硅胶小球)相比,使用液体硅源(硅溶胶和水玻璃)能够在较短时间内得到尺寸较小的分子筛产品;与无机铝源相比,采用异丙醇铝较易在短时间内获得小晶粒产品;与Li+和Na+相比,含有K+的体系中产品分子筛尺寸较大;模板剂的种类直接影响到最终结晶产物的形貌特征,四丁基铵离子的存在是这种插接形貌形成的必要条件。随着合成体系含铝量的减小,插接形貌变得不再明显,铝的存在是这种插接形貌形成的必不可少的影响因素之一。 相似文献
96.
天冬氨酸对碳酸钙形貌和晶型的控制 总被引:3,自引:2,他引:3
用DL-天冬氨酸作为碳酸钙结晶的有效调控剂,对所得到的产物进行扫描电子显微镜(SEM),红外吸收光谱(FT-IR),X-射线粉末衍射仪(XRD),热重分析表征,结果显示,当DL-天冬氨酸的浓度为0.005 mol.L-1时,所得碳酸钙是方解石型,但当浓度增大到0.05或0.2 mol.L-1时,得到的却是方解石和球霰石的混合体系。这一结果表明,DL-天冬氨酸在碳酸钙的晶体生长过程中起着十分重要的影响。 相似文献
97.
以TiCl4为原料,采用胶溶法制备出了具有金红石结构的纳米针状TiO2粉体,该针形晶体长约180nm,直径约30nm,讨论了反应时间、反应温度对TiO2粒子形貌的影响,并采用TEM和XRD等方法对晶体进行了表征。 相似文献
98.
通过控制包裹剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的浓度对纳米粒子的形貌进行调控。使用紫外-可见分光光度计和透射电镜等方法对合成的Ag纳米粒子进行表征。结果表明:CTAB的浓度对产物的形貌关系密切,通过调节CTAB的浓度可生成球棒混合、纳米棱镜和棱镜与纳米棒的混合形貌。 相似文献
99.
用扫描电子显微镜和交流阻抗技术对热分解法制备的纳米铂催化电极的形貌及催化活性进行了分析,得到了高清晰的电镜照片.制备条件不同,铂催化剂的形貌及其催化活性不同.当热分解温度为390℃,载铂量为6μg/cm^2时,制备的铂催化剂在电极表面呈粒径为8nm左右的纳米粒子状态,电极的催化活性最高,而且表现出较好的化学稳定性. 相似文献
100.
固定接触界面法向静弹性刚度的改进弹簧分形模型 总被引:3,自引:0,他引:3
根据赫兹接触理论推导两个微凸体之间互相作用的法向接触静弹性刚度.使用改进分形几何理论给出结合部的总法向接触静弹性条件刚度、总条件载荷的解析解.根据文献[10]的机床结合部法向变形量一压应力的经验幂律关系形式,推导界面静弹性刚度、总载荷的表达式.工程粗糙表面的算例表明,总法向刚度载荷曲线与文献[10]的实验结论基本一致.改进分形几何理论为深入研究分形和提取结合部参数提供了坚实的基础. 相似文献