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991.
992.
强度调制型光纤传感器信号补偿技术的现状与应用 总被引:8,自引:2,他引:6
简要地介绍了强度调制光纤传感器的特点,着重分析和比较目前国内外五种有代表性的强度调制型光纤传感器信号补偿方法及其应用状况. 相似文献
993.
994.
995.
996.
波浪力计算中的一个新边界元方法 总被引:8,自引:4,他引:4
滕斌 《水动力学研究与进展(A辑)》1994,(2):215-223
本文就波浪与结构物作用问题,提出了一个新的高阶边界元方法。较之Eatock Toylor和Chau的方法,本文在体内附助积分方程中应用了满足刚性水面条件和弱刚性底面条件的简单格林函数。计算速度相应地有所提高;漂浮结构的积分方程更为简洁;计算结果与Eatock Taylor和Chau的方法具有几乎相同的精度和收敛速度。 相似文献
997.
An analytical method is presented for calculating the resonant frequency andQ-factor of a superconducting dielectric disk resonator operating in millimeter-wave regime with whispering-gallery mode. Resonant frequency shift due to the optical generation of quasi-particles in superconducting film is investigated as a function of photon flux. An optically tunable resonant frequency of about 500 MHz is estimated, and good agreement is found between numerical results and experimental ones. 相似文献
998.
A. N. Danilewsky S. Lauer J. Meinhardt K. W. Benz B. Kaufmann R. Hofmann A. Dornen 《Journal of Electronic Materials》1996,25(7):1082-1087
GaSb bulk single crystals with low acceptor concentration were grown from a bismuth solution by the traveling heater method.
The result is isoelectronic doping by Bi which gives a variation of the opto-electronic properties as a function of grown
length as well as a pronounced microscopic segregation. Photoluminescence spectra at 4K show a decrease of the natural acceptor
during growth, which is confirmed by Hall measurements. The electrical properties of this isoelectronic doped GaSb are hole
concentrations and mobilities of NA − ND = 1.7 × 1016 cm−3 and μ = 870 cm2Vs at room temperature and NA-ND = 1 × 1016 cm−3 and μ = 4900 cm2/Vs at 77K, respectively. The lowest p-type carrier concentration measured at 300K is NA − ND = 3.3 × 1015 cm−3 相似文献
999.
FD—TD在分析FSS中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
本文讨论了用FD TD分析FSS的有关问题,提出了一种适合于在任意入射角情况下分析FSS的有效吸收边界条件,分别以单层、双层FSS为例进行了计算.数值结果和矢量模式法、谱域法的结果非常一致. 相似文献
1000.
非线性地基上桩结构物空间分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了桩结构物-非线性地基空间相互作用分析的迭代法和非线性有限元法。其中,桩基分析用p-y曲线法。结合实际结构物进行了大量的计算及比较分析,成果是令人满意的,可以付诸应用。 相似文献