探针馈电圆柱共形微带天线阻抗特性的FDTD法分析

将圆柱坐标系下非分裂式理想匹配层吸收边界条件(UPML)引入到圆柱共形微带天线的全波分析中，并给出了其中的场量迭代方程，明显地减小了计算空间，简化了编程；提出了圆柱坐标系下考虑有限尺寸探针半径的新算法，使得计算结果更加精确；应用GPOF方法预估了时域晚时响应，使计算时间减少了70％～90％。本文给出的模型能够对任意多层圆柱共形结构的微带天线进行计算，因此对此类天线的CAD设计具有实际意义。     

湘中海相浅层湘冷1井酸压工艺研究及应用

湘冷1井具有气层埋藏浅（400m-500m）、纵向上裂隙发育的特点，属低孔、低渗的含泥质灰岩致密储层。大量室内实验和研究采用“前置液酸压＋闭合酸化”工艺技术，并优选了相应降阻酸和闭合酸配方。通过酸压实现了该井工业油气流的突破，取得了明显的增产效果，为新区海相浅层气的开发探索出了一套成熟的改造增产措施。     

油藏中分散非连续残余油膜的驱替机理分析

水驱后的残余油膜将贴于孔隙壁面，为壁面边界层流体，处于三相界面的包围和共同作用下。目前的调研结果显示，油膜的组成及力学特性沿孔壁方向上是变化的。在化学驱过程中油膜不仅受到驱油剂的驱替作用。还受驱油剂／油界面张力、油／固体界面张力及驱油剂／固体界面张力的阻碍作用。由于油膜组成、力学特性及相间作用的复杂性．以往对油膜驱替机理的研究都是从微观实验的角度对现象作观察和定性解释。本文根据水驱后残余油膜在油藏孔隙中存在的特点，提出了油膜驱替的简化模型。基于油膜驱替的微观实验，采用数值方法从定量的角度分别计算了不同黏弹性驱油剂在不同的驱油剂／原油界面张力作用下对残余油膜的驱替效率。考察了驱油剂的流变性、驱油剂／油界面张力、驱替速度等因素对驱替不同厚度油膜的影响规律。进一步探讨了驱油剂／原油界面特性和流变性在驱替残余油中的综合作用。研究结果表明，驱油剂对油膜的驱替始于驱油剂／油界面，要同时克服驱油剂／油界面约束力和油膜的屈服应力。降低界面张力、增强驱油剂的黏弹性、增加驱替速度，有利于提高驱替残余油膜的驱替效率。适当增加驱油刑的黏弹性可以放宽驱替薄油膜时对超低界面张力的要求。图13参9。     

横泉水库大坝土料碾压试验

在取得土料场土料物理力学性质参数的情况下，遵循碾压试验基本原理、方法及参数组合，进行了现场碾压试验，通过试验成果的分析，得出了大坝碾压试验结论，为大坝土方填筑提供了技术依据。     

低渗低温低压水敏性储气层压裂改造技术研究与应用

低渗低温低压水敏性储气层因压裂液快速破胶困难、黏土膨胀水敏伤害严重和压后压裂液返排动力不足等因素，使得压裂增产面临诸多难题。针对上述难题进行了技术攻关，形成了弱交联、低温活化剂与超量破胶剂的低温储层快速破胶技术、有机盐与无机盐双元体系复合防膨技术以及高比例液氮全程助排的排液技术。该压裂增产改造技术使牛101井头屯河组首次获得工业油气流，扩展了三塘湖盆地勘探空间。     

试油井选层压裂新工艺及现场试验

设计新型可洗井封隔器，保障油井有反洗井通道，有效防止封隔器以上砂埋所引发的管柱砂卡事故，并对新型封隔器、控制开关、密封接头、同心大通径压力计托筒等井下工具组合优化。解决了多层油井任意选层压裂、求产、测井温一体化的难题。     

储层应力敏感性影响因素研究

全面分析储层应力敏感性产生的机理认为，外部因素的改变会引起储层产生应力敏感性．而储层岩石物性等内部因素对应力敏感性的强弱起决定性作用。室内岩心应力敏感性评价时．仪器与设备的精度、加载与卸载方式、实验用流体类型以及各种人为因素等都会对评价结果产生影响，其中岩心密封套在高压、高温条件下的密闭性会对实验结果产生较大影响。所以储层应力敏感性不应该从孔隙度和渗透率的高低进行简单评价，中、高渗储层和低渗储层在生产过程也都可能表现出较强的应力敏感性现象。     

大体积抗渗混凝土工程施工技术

简述了浇筑混凝土的施工准备工作，从滑动层的增设、配合比的配制、混凝土的浇筑及养护、后浇带的处理等方面介绍了大体积抗渗混凝土工程的施工质量控制措施，以保证混凝土的各项指标达到规范及设计要求。     

定向断裂爆破技术在特软岩层巷道中的应用

介绍了大雁矿区特软岩层巷道成型新技术,包括定向断裂爆破技术的机理、爆破参数,以及大雁矿区特软岩层条件下实施定向断裂爆破的技术关键和注意事项。应用该技术不仅提高了巷道成型质量、节约了材料,而且保护了围岩稳定,对软岩巷道维护有重要作用。     

一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.