Fabrication of a poly-Si thin-film transistor with storage capacitor

The fabrication process of a low-temperature poly-Si thin-film transistor (TFT) with a storage capacitor was studied. The atmospheric-pressure chemical-vapour deposited SiO₂ protected the buried indium tin oxide (ITO) from reduction by a pure H₂ plasma treatment that was essential for the effective improvement of the poly-Si TFT characteristics. Thus, a storage capacitor with an ITO (picture electrode)-SiO₂-ITO (buried common electrode) structure was successfully fabricated. The poly-Si TFT with a channel width/length W/L ratio of 5 drove a 3 pF storage capacitor in 2 μs, and it showed superior driverability for LCD use. The TFT also had good hold characteristics under illumination for the realization of grey-scale representation.     

基于T0944的新型平板显示接口卡的设计

介绍了平板显示控制芯片TO944的特点、功能、原理，并给出了基于T0944芯片的新型平板显示接口卡的软硬件实现方案，该方案具有电路简单、高可靠性、高性价比、高显示质量等优点，可用于各种不同类型与不同尺寸的平板显示器的显示。     

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。     

点状屏彩色显示管校正透镜优化设计

本文在条状屏彩色显象管校正透镜设计的基础上，提出了蹼状屏彩色显示管校正透镜的优化设计方法并给出了设计实例，通过计算机模拟电子束轨迹和光线追迹，分析了校正透镜面型修正程序的精度。     

高分辨率显示屏特性分析用光学透镜设计

描述了高分率显示屏特性分析用的光学透镜的特点和设计要求。分析了调焦镜头和镜头位置调节两种结构的优缺点，推导了屏厚变化（即物距变化）对测量精度影响的表达式。给出了设计实例。实验测量结果与理论分析基本上一致。     

高扭曲向列液晶显示器件的特性研究

本文研究了高扭曲向列液晶显示器件（ＨＴＮＬＣＤ）（扭曲角９０～１８０°），此器件与扭曲向列液晶显示器件（ＴＮＬＣＤ）相比较，能够增加液晶显示器件扫描行数并改善视角特性，其制造技术与ＴＮ器件相似，具有很大的应用价值。     

显像（示）管阴极像黑洞状缺陷形成的原因及消除对策

本文通过有关理论依据和试验数据，着重阐述了在显像（示）管测试中，阴极像中心黑洞状缺陷产生的原因以及消除这种缺陷的处理方法。通过这种处理方法处理过的显像（示）管，其整体质量水平（尤其是真空度）将会得到明显的提高。     

有机发光器件平板显示及彩色象元实现方案

有机发光器件（OLED）具有固体平板化的优点，用OLED制做平板显示器不仅重量轻和功耗低，而且能实现低成本的彩色大屏幕显示。本文从有机发光器件的原理出发，阐述了有机发光器件平板显示器的三色象元的一些实现方案和目前的发展状况，并对它们的基本结构及技术特点进行了比较。     

有机发光显示的几项新技术

有机发光显示(OLED)作为下一代显示器倍受关注。本文简要介绍OLED显示器的几项新技术和制作方法，以及其研究现状和今后的发展趋势。     

室外LED显示及其在交通领域的应用

介绍了室外LED显示技术及其在道路交通信息显示领域中的应用,指出目前国内室外LED显示屏普遍存在的主要问题.结合应用于高速公路收费站的LED显示屏的设计,给出解决或者克服这些问题的方法.介绍了室外LED显示的现状,预测了其发展趋势.