Fe替代Co对AB5型贮氢合金循环稳定性的影响

用铸造及快淬的方法制备了稀土基AB5型Mm（NiMnSiAl）4．3Co0.6-xFex（x=0，0．1，0．2，0．3，0．4，0．5，0．6）贮氢合金，用XRD。TEM及SEM观测了铸态及快淬态的微观结构，测试了合金在铸态及快淬态下的电化学循环稳定性。研究了Fe替代Co对铸态及快淬态贮氢合金微观结构及循环稳定性的影响。研究结果表明，Fe替代Co对铸态及快淬态合金的相结构没有明显影响，但对合金的循环稳定性产生显著影响。Fe替代Co能不同程度地改善铸态及快淬态合金的循环稳定性，但对快淬态合金循环寿命的改善更加显著，导致这一结果的主要原因是Fe替代Co使快淬态合金的微观组织显著细化。     

等离子熔积直接成形形状特性的基础研究

系统分析了熔积成形技术中影响成形形状特性的原因,研究了转移弧电流、扫描速度和起弧高度对成形精度的影响机理.实验表明,以上参数对等离子熔积直接成形形状特性的影响显著,对改善零件的成形精度起决定性的作用;通过优化成形工艺参数,焊道表面质量得到显著好转.     

快固化淀粉粘合剂的研究

介绍了快固化玉米淀粉粘合剂的制备工艺,对制备参数进行了优化,可使粘合剂的初粘速度和干燥速度显著提高。     

凹凸棒粘土用作高水速凝注浆悬浮剂

以凹凸棒粘土作为高水速凝固化充填材料的悬浮稳定剂，考察了不同制浆机械对凹凸棒粘土制浆率的影响。采用高剪切混合乳化机预制的1％凹凸棒粘土浆配制高水速凝固化充填材料甲、已料单浆可获得满意的悬浮稳定效果。其充填体结石抗压强度早期发展迅速，后期持续增长。采用此工艺，注浆料的材料成本仅增加2％。     

生物陶瓷人工骨制备的新方法

主要介绍了近年来发展起来的两种新技术 :快速原型制造技术和放电等离子烧结技术。概括了两种技术的原理、特点以及在人工骨制备中的应用 ,提出了用这两种技术制备人工骨的设想。     

添加物对ZrO2系快离子导体烧结性能的影响

本文介绍了１３２０℃下，ＣａＯ，Ｙ２Ｏ３等稳定剂，低融物组成及１－６价阳离子化合物对ＺｒＯ２烧结性能的影响并列举出材料的晶型及某些主要性能。     

基于似人特性的机器人拟人臂自主抓取动作规划

针对拟型服务机器人在家庭环境中的自主抓取任务,提出了一种强调运动姿态似人特性的机器人手臂动作的运动规划方法.该方法基于人体工程学中的快速上肢评估准则评价机器人运动姿态的似人特性,并在此基础上以机器人传速速率最优为目标规划机器人持物动作的姿态构型.最后以Motoman SDA10D拟人双臂机器人为例,具体介绍了该方法的应用和规划的结果,规划结果证明了该方法的可行性和有效性.     

Effects of Y2O3 and ZrO2 on the Densification of Si3N4-Zr(Y)O2 Composites

The effects of ZrO₂ and Y₂O₃ on the densification of hotpressed Si₃N₄-Zr(Y)O₂ composites have been studied. High density could not be obtained by the addition of pure or 3-mol%-Y₂O₃-doped ZrO₂ in this composite; however, nearly full density (>97%) could be obtained in Si₃N₄ using 6- and 8-mol%-Y₂O₃-doped ZrO₂. It is concluded that Y₂O₃ diffusing out from the added Zr(Y)O₂ promoted the densification and that ZrO₂ also had some role in the formation of an oxynitride glass.     

铁电晶体TGS的快速生长

报道了TGS晶体的溶液状态及其快速生长的实验结果。发现了pH为2.52的溶液是实现快速生长的最佳溶液,利用快速旋转叶片来加速溶液对流,对于截面积为40mm×40 mm的(010)面,其生长速度达到了5mm/d,对快速生长的TGS晶体的性能研究表明:其热电和介电性能也发生了一些变化。     

金属铝诱导法低温制备多晶硅薄膜

以氢气稀释的硅烷（SiH4）和硼烷（B2H6）为气源,利用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出p型a-Si薄膜.采用铝诱导晶化技术对不同厚度的铝膜对a-Si薄膜晶化的影响进行了研究.实验中发现,铝膜溅射为10 s的非晶硅薄膜样品在450℃下退火10 min后,p型a-Si结构仍为非晶态,铝膜溅射为20 s的非晶硅薄膜在450℃下退火20 min后,p型a-Si薄膜开始晶化为polySi薄膜,并且铝膜厚度越厚,则a-Si薄膜晶化程度越强.