内十二角法兰螺栓头部断裂仿真研究

针对内十二角法兰螺栓成形过程中,杆部长度为69和70 mm时,螺栓头与杆部之间拐角位置的损伤程度进行了研究,指出Freudenthal断裂准则能较好的表现其损伤程度。在此基础上,预测了螺栓拧紧时的断裂位置和扭矩。金属流线仿真结果显示,杆部材料向下流动,使拐角位置的金属流线呈现凹陷弯曲的形态,并贴近拐角表面。对此,提出了沿着金属流线空洞被拉长的理论假设,发现空洞被拉长时,应力集中程度增大,更加容易断裂。拧紧断裂和金属流线实验结果与仿真结果基本一致,表明内十二角法兰螺栓成形过程中,杆部材料向下流动,使拐角位置的损伤程度增加,同时,金属流线凹陷弯曲和贴近表面的形态特征也促进了其断裂过程。     

秦山核电二期工程反应堆压力容器及其寿命预计

介绍了秦山核电二期工程反应堆压力容器(RPV)的设计思想和背景;说明了RPV产品的基本特征;按照NRC-RG1.99(Rev2)规定给出了快中子(E＞1Mev)辐照损伤计算结果;并对RPV的使用寿命进行了计算,结果表明,在堆芯核设计和燃料管理不作任何优化时,其预计寿命依然能够达到60年.     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

复合材料手动扫描超声特征成像检测

研究了复合材料手动扫描超声特征成像检测，通过对超声检测信号的全波列采集与处理，实现了A，B，C扫描成像；相位特征成像；当量特征成像；超声层析技术和超声频谱分析技术。该系统已经在复合材料的检测上得到了良好的应用。     

聚乙烯辐照接枝体系中添加金属盐对接技率的影响

采用辐照接枝的方法，在高密度聚乙烯(HDPE)上接枝丙烯酸(AA)和对苯乙烯磺酸钠(SSS)，从而削备出了一种含羧酸基团和磺酸基团的阳离子交换膜。详细研究了接枝体系中引入添加剂醋酸钠或氯化钠对接枝率的变化规律．实验表明，在预辐照接枝和共辐照接枝中，当AA接技PE或AA与SSS共同接枝PE时，强碱弱酸盐醋酸钠通过pH效应同离子效应对接枝率呈现复杂的影响，而中性盐氯化钠经离子对效应显著提高接枝率。     

高分子表面活性剂对超声辐照下苯乙烯乳液聚合的影响

在超声辐照引发苯乙烯乳液聚合中加入一种新型的以羧甲基纤维素为基础的高分子表面活性剂(CMC—A9)，讨论了高分子表面活性剂对反应动力学的影响。实验表明，超声辐照下初级自由基并非由通常认为的高分子表面活性剂产生，而是十二烷基硫酸钠在超声辐照下断裂，产生自由基。通过对反应动力学的研究，发现超声辐照下乳液聚合机理不同于常规乳液聚合，聚合反应过程只有两个阶段，即加速期和减速期，不存在恒速期。加入CMC—A9高分子表面活性剂，可以在较短的时间内和较低的超声功率下达到较高的单体转化率。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。