5Gb/s0.18μm CMOS半速率时钟与数据恢复电路设计

基于具体的系统需求,采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种半速率bang-bang型时钟与数据恢复(CDR)电路。该CDR电路主要由改进型半速率鉴相器、带粗控端的环形压控振荡器(VCO)以及信道选择器等模块构成。其中,改进型半速率鉴相器通过增加四个锁存器,不但能获得较好的鉴相性能,还能使分接输出的两路数据自动实现相位对齐。带粗控端的环形VCO能够解决高振荡频率范围需求与低调谐增益需求之间的矛盾。信道选择器则能解决信道交叉出错问题。仿真结果表明,电路工作正常,在1.8V电压下,电路功耗为140mW,恢复出的时钟和数据抖动峰峰值分别为3.7ps和5ps。     

基于锁相环的频率合成电路设计

介绍了锁相环及其频率合成的基本原理,在此基础上,给出了集成锁相环电路CD4046的使用方法,并用该器件设计了频率合成电路。基本实验表明,此电路可以产生频率范围和间隔可变的高稳定度的精确离散信号,具有很大的实用价值。     

工作范围宽且快速锁定的锁相环路

本文描述工作范围宽（１Ｈｚ￣１ＭＨｚ）、快速锁定且不需任何调整的锁相环路（ＰＬＬ）。该ＰＬＬ电路输出电压正比于输入信号频率的对数，利用这个特性可构成对数频率计等仪器。     

高密度可编程逻辑器件在高速锁相环中的应用

引言 本文介绍一种鉴相器(PD)的结构,它与压控振荡器(VCO)一起便构成频率合成器。除VCO及阻容件(时间常数)外的所有逻辑全部在ispLSI2032器件内实现。这些逻辑包括鉴相器及两个4bit可预置减计数器。 之所以指定用ispLSI2032器件,是因为它的性能好、尺寸小,ispLSI2032器件是当今已经上市的最高速度的高密度可编程逻辑器件,其集成密度为1000PLD门,系统速度可达150MHz。用它能更为方便快速地实现各种非标准化的特殊逻辑设计,而且在设计完成后随时随地可以进行修改和升级。 锁相环(PLL)电路在许多应用场合中被广泛采用,从通信到音频和视频设备。该电路用来确保某一时钟及其相位的稳定而且与某一参考信号相同步。     

新型锁相频率合成器的设计

文中提出了一种新型锁相频率合成器的设计实现方法.这种锁相频率合成器的各个部件都进行了优化设计,其中鉴相器采用了加入反相器链取出输入信号边沿的结构很好的消除了鉴相死区;电荷泵采用了差分电路结构消除了跳跃现象;压控振荡器采用了电流模驱动延迟环结构得到了优良的性能;尤其是分频器的设计采用了内、外两分频器的结构,通过改变两个分频器的倍频数N和M的值,可以合成多种时钟频率.     

短波发射机调谐系统的技术发展

本文主要介绍了短波发射机调谐系统的设计思路、组成和工作原理进行了分析和以及自动调谐系统的技术发展趋势。     

基于等效鉴相频率的新型相位噪声测量系统

提出了一种基于等效鉴相频率的新型相位噪声测量系统。利用频率信号间相位差周期性变化的规律,无需频率归一化便可完成相互间的线性相位比对。通过参差鉴相器获取相位差信息,经低通滤波及相关信号处理后得到参考源的压控信号,进而实现相位锁定并在锁定后提取被测信号的相位噪声信息送入频谱分析仪,从而实现了相位噪声的高精度测量。该系统可以用一个参考源完成任意频率信号的相位噪声测量,而且参考源的相位噪声低、频率稳定度高、压控范围宽。实验结果和分析表明了该系统设计的合理性和先进性,与传统相噪测量系统相比,具有测量精度高、电路结构简单和成本低的优点,具有广泛的应用和推广价值。     

改进的数字Costas环设计与实现

为解决传统Costas环在多路载波提取中占用资源量大以及在数字下变频中消耗现场可编程门阵列资源过多的问题,提出一种采用逻辑控制模块代替直接数字合成器模块的方法,设计并实现数字Costas环路.该方法适用于阵列雷达信号等多路载波信号处理,能够实现环路载波的快速提取,节约25％的硬件资源.     

脉冲取样锁相环的设计与实现

为实现脉冲取样锁相环,描述了工作原理,分析了相位噪声模型,提出了设计中的问题,并给出了设计实例.设计中采用高频集成取样鉴相器以及具有优异噪声性能、高频谱纯度和高稳定度的介质振荡器(DRO),通过高级设计系统(ADS)仿真,实现了较高的相位噪声指标,相位噪声测试结果与理论值非常接近．与数字锁相环相比,脉冲取样锁相环具有优...     

基于半速率锁相环的5Gb/s CMOS单片时钟恢复电路

利用TSMC的O．18μm CMOS工艺,设计实现了单片集成的5 Gb/s锁相环型时钟恢复电路。该电路采用由半速率鉴相器、四相位环形电流控制振荡器、电荷泵以及环路滤波器组成的半速率锁相环结构。测试表明：在输入速率为5 Gb/s、长度为211-1伪随机序列的情况下,恢复出时钟的均方根抖动为4．7 ps。在偏离中心频率6MHz频率处的单边带相位噪声为-112．3 dBe/Hz。芯片面积仅为0．6mm×O．6 mm,采用1.8 V电源供电,功耗低于90 mW。