用MAFIA计算外观品质因数Q

应用电磁场计算软件MAFIA,采用反射相位法计算了速调管波导加载谐振腔的谐振频率和外观品质因数Q ext,其计算结果比较理想,误差在10%以内.     

2012 IEEE EMC国际学术研讨会——屏蔽

Shielding Effectiveness Estimation of Physically Small Electrically Large Enclosures through Dimensional Scaling摘要：通过对电气可扩展性的研究,提出了带有三种电尺寸孔缝的屏蔽体实例,并讨论了这三种孔缝的关系。利用Q值对三种受试屏蔽壳体之间的关系进行了检验。关键词：混响室;屏蔽效能测试;品质因数;     

《军医进修学院学报》2010年第7期重点专题简介

通过建立固态装配谐振器(SMR)模型,考虑硅衬底的声学损耗,从压电理论出发,仿真分析了不同布喇格层数对SMR的谐振性能的影响.仿真结果表明,由于布喇格层对声波的有效反射,减少了声能在衬底的损耗和衬底造成的杂散谐振,使SMR的品质因数得到很大提高;用Si3N4和SiO2作为布喇格层材料,要得到较好的品质因数,布喇格层对数至少要3对;另外,布喇格层厚度稍有偏差,也能使谐振频率处有较高的反射率,获得较好的品质因数.     

多注速调管TM410 模同轴输出腔的研究

研究了多注速调管TM₄₁₀ 模同轴输出腔中出现的外观品质因数高,模式频率间隔小以及工作模式场分布的均匀性差等问题,提出了一种设置短路杆和金属环的输出腔结构,从而改善了TM₄₁₀ 模输出腔上述三个方面的性能。通过分析发现,适当设置短路杆和重入环不仅可以使外观品质因数降低,还可以改善工作模式的场分布;设置重入环还可以增大工作模式和邻近模式的频率间隔。利用CST-MWS 软件,对X 波段具有短路杆和金属环的多注速调管TM₄₁₀模同轴输出腔进行了模拟计算,其工作模式（TM₄₁₀模）的外观品质因数降低了42.7%（从540.4 降至309.6）,TM₄₁₀ 模与邻近模式的频率间隔均达到了1.3 GHz 以上,工作模式的场分布也变得均匀。     

电容式RF MEMS谐振器

介绍了应用于通信领域的电容式RF MEMS谐振器及其在通信系统小型化中的优势。对电容式微机械谐振器进行了综合分析,包括基本工作过程分析、基本参数的理论分析及等效电路的分析。介绍了目前几种常用结构的谐振器,包括梳状谐振器、梁式谐振器及盘式谐振器的工作过程和谐振频率的发展空间。重点分析了谐振器的电容间隙及锚这两个重要的结构参数对谐振器性能的影响。最后,对电容式微机械谐振器存在的问题作了总结,对其发展趋势做出展望。     

塔康系统输出参数的精确测量方法研究

针对塔康系统输出参数的传统测量方法测量误差大、抗干扰能力弱的问题,根据塔康信号的特征分别提出了基于正弦曲线拟合测角和基于相关接收测距的塔康系统输出参数精确测量方法,计算了传统方法与精确测量方法的测量误差,定义了被测信号的品质因数,通过它可确定测量值的可信度。通过仿真,比较了不同信噪比情况下传统测量方法和精确测量方法的性能,研究了当被测信号发生畸变时,品质因数的变化情况。仿真结果表明精确测量方法明显提高了塔康系统的测量精度和抗干扰能力,品质因数较好地反映了信号的畸变情况。     

MgO含量对微波高Q介电材料电性能与微观结构的影响

借助典型的固相反应烧结机制,研究了MgO含量对微波高品质因数瓷介材料微观结构与介电性能参数影响的规律。结果表明:高温烧结的镁钛系瓷介质中,随着MgO含量增加,Mg2TiO4晶相的含量逐渐降低、瓷体晶粒由尖晶石型演变为氯化钠型结构,对应的微波介电常数出现缓慢降低,在10.10~13.37范围连续可调。当x=16时,在1 525℃/2 h烧成,可获得性能优良的(2+x)MgO-TiO2陶瓷,其ρ=3.49 g·cm–3,εr=10.37,Q·f=118 747 GHz(f=10.47 GHz),τf=–53.35×10–6℃–1。     

面向声压传感的硅基槽式谐振腔设计及研究

针对硅基波导腔在折射率传感领域的应用,提出了一种使用低杨氏模量的聚合物SU8作为上包层的硅基槽式微环谐振腔结构。基于耦合模理论优化了硅基槽式微环谐振腔的传输特性和特征参量,并分析了声压传感机理;采用MEMS工艺进行了器件的加工制备,并利用高温氮退火的方式对波导表面进行了光滑化处理;搭建了测试平台,对制备得到的谐振腔进行测试。测试结果表明：品质因数(Q值)可达2.76×10⁴,声压灵敏度可达2.19×10³ mV/kPa。相较于传统的全通型硅基波导微环谐振腔,文中设计的使用SU8封装的硅基槽式微环腔对光场的局域能力更强,在声压传感领域有着更好的应用潜力。     

一种电阻加载的L型谐振器及其在微带均衡器中的应用研究

文章提出了一种薄膜电阻加载的L型谐振器,设计了一种小尺寸的微带均衡器子结构电路,并对薄膜电阻的加载位置进行了研究。分析表明这种电阻加载的L型谐振器不仅能够进行中心频率调节、曲线衰减幅度调节,而且能够对谐振回路的品质因数进行调节,适合在微带均衡器中应用。为微带均衡器的设计提供了一种新的设计途径。     

微带均衡器加载电阻设计研究

论述了电阻加载的L型微带谐振器及其在微带均衡器中的应用,分析了加载电阻对微带均衡器的影响,研究了微带均衡器加载电阻设计方法。通过对加载电阻的位置和阻值的研究,得到将薄膜电阻加载到微带谐振器上构造均衡器,可以使其不仅频率可调,而且可以衰减可调、品质因数可调。文章给出了利用这种结构设计的带宽微带均衡器,并得到实验验证。