薄膜磁头磁轭制备工艺研究

本文重点讨论了用不同的工艺方法来制备薄膜磁头中的关键元件-磁轭。采用多次光刻的方法克服湿法工艺中磁性膜NiFe层的侧向钻蚀问题，从而实现对磁轭几何尺寸的精确控制，并对几种工艺方法的优缺点作了比较详细的分析。     

基于HOP的可调光编码／解码器的研究

提出了一种基于全息光处理器的可调光编码/解码器的实现方案。全息光处理器可以在空间进行编/解码，每个通信网络单元可以采用任意速率的数字或模拟的调制信号，它非常适合于多媒体的通信网络环境，通过对全息光处理器的折射率大小和位置的控制，当一个输入光脉冲经过光处理器中具有特定折射率的空间位置后，便可在处理器的输出端口得到合适的输出信号。本文给出了这种基于全息光处理器的可调光编码/解码器的仿真实验，结果是可行的，与以前文献中提出的结构相比，减小了硬件实现的复杂性，降低了成本和功耗，便于集成。     

乳胶厚度对卤化银反射全息图衍射特性的影响

实验研究了自制的超细颗粒卤化银乳剂SDUF－1分别在AAC显影、改进的R－10漂白处理及改进的GP－8溶解物理显影处理条件下，其乳胶厚度对反射全息图衍射特性的影响。实验结果表明，在这两种不同处理条件下衍射效率与胶厚的关系有相当大的差别，合适的乳胶厚度分别为12μm和6μm左右。     

等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

涂胶设备背面冲洗功能的开发与研制

本文根据涂胶设备在加工制品过程中所遇到的制品背面沾污问题，提出改进措施，并根据设备的具体情况，增加了涂胶设备的背面冲洗功能。使制品在涂胶过程中，及时地对制品背面进行冲洗，从而保证了制品背面的洁净度，对提高产品质量和提高产品的成品率有非常重要的意义，同时对开发一些技术要求较高的新品也有深远的影响。     

用离子束混合及快速热处理方法形成钽的硅化物

本文描述用离子束透过钽金属膜进行混合和快速热处理方法来形成钽的硅化物.用溅射方法在P型硅衬底上淀积一层金属钽,然后用砷离子束透过钽金属模进行混合,采用快速热处理后形成了平整的硅化钽薄层.使用厚度为500埃的钽金属膜,得到钽的硅化物薄层电阻为5.5Ω/□.研究了砷离子能量、剂量及钽膜厚度对钽的硅化物薄层电阻的影响.用透射电镜和台阶仪对所形成的硅化钽进行了分析和厚度测量.