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2.
采用溶剂热法制备了硅基介孔分子筛材料,较系统地考察了晶化温度、晶化时间及焙烧温度等因素对其结构的影响,并利用N2吸附手段进行了表征.结果表明,晶化温度和晶化时间能明显影响硅基介孔材料的结构,而过高的焙烧温度易导致介孔结构的塌陷. 相似文献
3.
4.
乙烯齐聚催化剂研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
乙烯齐聚是合成直链低碳α-烯烃最先进的方法,直链低碳α-烯烃可用于生产低密度聚乙烯和高密度聚乙烯等多种精细化学品。本文综述了乙烯齐聚催化体系的研究进展,重点介绍了镍、锆、钛催化剂的组成以及反应时间、反应温度、溶剂、助催化剂等因素对乙烯齐聚活性和选择性的影响,并讨论了典型镍的催化机理。 相似文献
5.
6.
本文在介绍传统FFT原理和流程的基础上,根据具体应用要求,结合基-4算法的长处,对传统基-8FFT的结构做了改进,并用ASIC实现了一个12位64点复数FFT的计算。布线后门级模型的仿真验证了改进后的结构不但计算正确,而且效率有显著的提高。论文最后简单总结了改进后12位64点复数FFT专用电路目前已经达到的性能指标。 相似文献
7.
GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
8.
在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性. 相似文献
9.
电子设备的广泛使用带来的设备干扰及浪涌冲击等问题使人们开始关注SrTiO3基压敏电阻器件材料的开发.本文介绍了SrTiO3基压敏电阻的一般制造配方和工艺流程.和ZnO基压敏电阻相比,此材料在低压领域具有更优良的电气性能,如较大的电容量(C=10~150nF);在高于电压临界值又具有较低压敏电压;非线性系数在5~43之间可调;耐浪涌能量大;并且具有自复位特性.这些特性使得它具有高频噪声吸收、前沿快速上升型脉冲噪声吸收和浪涌吸收等功能.针对武器系统的高性能要求,本文提出了SrTiO3基压敏电阻在直流电机消噪、电源输入端、吸收电感性负载开关浪涌、旁路电容器、通信线路防护、防止电涌冲击等方面的应用. 相似文献
10.
达克罗(Dacromet)技术是由片状锌粉、铝粉、含铬的金属盐及粘结剂组成的涂液涂覆于零件表面,经烧结而形成的一种全新结构和性能的防护层。达克罗工艺无公害,外观呈银灰色,有良好的装饰效果;同时,不受工件形状限制,有较高的渗透性,与基底附着力强,具有优异的耐候性和耐腐蚀性。达克罗涂层的高抗腐蚀性和高耐热性使得其在重防腐领域得到广泛的应用,涂层无氢脆现象,特别适合于高强度零件和弹簧。但达克罗涂层本身也存在一些缺点,如固化温度偏高、硬度较低、耐划伤性和耐磨性差等。本实验将纳米SiO2加入到达克罗涂层中,利用纳米微粒的特性,提高了涂层的耐磨性和耐腐蚀性,同时还保持了涂层原有的优点。 相似文献