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排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
基于先验知识的自适应多叉树防碰撞算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
为提高无线射频识别(RFID)系统快速识别大量标签的能力,提出一种基于先验知识的自适应多叉树防碰撞算法。利用标签访问的规律性和标签分布的随机性,在不同的搜索深度,根据已有的先验知识和碰撞比特信息估计待识别的标签数量,从而动态地自适应选择搜索叉树。通过有效减少碰撞和空闲时隙数,大幅提高读写器搜索和识别标签的能力。理论分析与仿真实验结果表明,该算法能克服传统自适应多叉树防碰撞算法的缺点,合理选择初始搜索叉树,尤其在待识别标签数量较多的场合,可有效提高RFID系统的吞吐率。  相似文献   
82.
高杨  周斌  何移  李君儒  何婉婧 《测控技术》2014,33(6):135-138
传统呼啦圈为实体产品,体积大,不易随身携带,使用不当有可能损害身体健康。设计了一种基于微加速度计的新型虚拟呼啦圈,能够将腰部的扭动转化为同步的LED点阵屏转动,采用带有微加速度计的信号检测模块对腰部扭动的加速度数据进行采集和预处理,处理后的数据通过射频通信方式发送给显示模块,显示模块显示相关的运动参数以及与腰部扭动同步的LED点阵屏转动,以实现一种虚拟转呼啦圈的效果。该虚拟呼啦圈具有体积小、无损健康等特点,能达到与传统呼啦圈类似的运动目的。  相似文献   
83.
机载雷达射频隐身技术对提高飞行器生存能力具有重要意义。 本文研究了机载相控阵雷达基于射频隐身的搜索控制参量优化设计。通过分析截获概率原理 ,给出了目标特征和雷达系统性能对驻留时间和波位间隔等搜索控制参量的影响关系,构建 了目标探测性能与隐身性能约束下的优化模型。仿真获得了满足隐身要求下相控阵雷达的最 优搜索控制参数。  相似文献   
84.
用CFD-ACE+和CFD-TOPO分别对容性耦合等离子体反应腔室放电和等离子硅刻蚀过程进行仿真,讨论不同射频电压和腔室条件对等离子体特性的影响.结果表明:随着射频电压的升高,离子的通量增大;在低射频电压时,离子通量随腔室压强的升高而减小,而在高射频电压时趋势则相反.用Kriging模型对影响刻蚀形貌的参数(腔室压强和射频电压)进行优化,结果表明该优化方法可以为工艺条件相近的刻蚀机设备的设计提供参考.  相似文献   
85.
近场通信技术(N F C)是一种是短距离非接触式的基于射频识别方案(R F I D)的无线通信技术。它是由飞利浦、索尼和诺基亚共同研发的工作于13.56 M H z的短距离通讯技术。NFC具有主动和被动两种工作模式,所使用的频率与目前流行的非接触智能卡相同,工作原理基本相似,与智能式的非接触式标签卡使用一样的通信原理。  相似文献   
86.
在大功率中波广播发射机中,广泛应用一种新型的大电流射频接触器,通过对刀口部分不同的短路方式,进行不同的开关组合,安全便捷的完成在高频环境中赋予的切换任务。  相似文献   
87.
正1无线射频抄表研究背景HT-FR268型无线抄表通讯终端,是种短距离无线数据传输产品,它体积小,功耗低,稳定性及可靠性极高,和无线掌上电脑配套,能方便为用户提供双向的数据信号传输、检测和控制。适合电度表、煤气表、水表、智能仪器仪表、自动控制等领域的数据控制和数据抄录。该抄表器通过无线方式与  相似文献   
88.
孙丽 《信息与电脑》2014,(1):124-124
3月19日和20日,运输、存取、认证、支付及安全方面的近距离通讯(NFC)和射频识别(RFID)等非接触式技术的生产商,将参展在香港会议展览中心举办的第五届亚洲智能卡及安全连接展览会。该展会还包括为期两天的研讨会。国际与本地的演讲者将讨论智能技术在亚洲以及全球所面临的机遇和挑战。  相似文献   
89.
在RFID定位算法中,利用接收信号强度统计模型进行直接定位的精确度不高,而利用实际参考标签定位存在信号易碰撞、外出部署不便等问题,因此提出一种基于虚拟标签的RFID定位算法VIREH以克服以上缺点.该算法利用历史数据构建虚拟参考标签,然后利用虚拟参考标签代替实际参考标签进行定位.依据VIREH算法,开发基于Android移动设备的RFID定位系统,在系统中使用VIREH算法进行定位,对定位误差进行了统计以测试算法性能.测试结果表明,VIREH算法的定位精度较直接定位有显著提高,较使用实际参考标签没有明显降低,有助于提高RFID定位精度.  相似文献   
90.
制备条件对反应溅射制备的a—SIC:H膜结构和特性的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过红外透射谱,可见-紫外透射反射谱和电导率的测量,研究制备条件(射频功率P和CH4流量比rc)对反应溅射法制备的a-Sic:H膜的结构和特性的影响。结果发现,当P=320W,rc=3.41%时,膜的质量较好:带尾较窄,膜中C成四配位,SiC键数目较多,Eopt〉2eV。对实验结果作了初步讨论。  相似文献   
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