首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15356篇
  免费   3744篇
  国内免费   4274篇
数理化   23374篇
  2024年   120篇
  2023年   492篇
  2022年   513篇
  2021年   555篇
  2020年   372篇
  2019年   532篇
  2018年   364篇
  2017年   468篇
  2016年   437篇
  2015年   533篇
  2014年   957篇
  2013年   896篇
  2012年   953篇
  2011年   1110篇
  2010年   986篇
  2009年   1025篇
  2008年   1196篇
  2007年   1089篇
  2006年   1100篇
  2005年   965篇
  2004年   935篇
  2003年   879篇
  2002年   871篇
  2001年   758篇
  2000年   648篇
  1999年   592篇
  1998年   474篇
  1997年   505篇
  1996年   479篇
  1995年   469篇
  1994年   400篇
  1993年   368篇
  1992年   298篇
  1991年   367篇
  1990年   288篇
  1989年   276篇
  1988年   36篇
  1987年   16篇
  1986年   13篇
  1985年   12篇
  1984年   4篇
  1983年   7篇
  1982年   11篇
  1980年   2篇
  1959年   1篇
  1951年   1篇
  1936年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
81.
Helium-charged nanocrystalline titanium films have been deposited by HeAr magnetron co-sputtering. The effects of substrate temperature on the helium content and microstructure of the nanocrystalline titanium films have been studied. The results indicate that helium atoms with a high concentration are evenly incorporated in the deposited titanium films. When the substrate temperature increases from 60℃ to 350℃ while the other deposition'parameters are fixed, the helium content decreases gradually from 38.6 at.% to 9.2at.%, which proves that nanocrystalline Ti films have a great helium storage capacity. The 20 angle of the Bragg peak of (002) crystal planes of the He-charged Ti film shifts to a lower angle and that of (100) crystal plane is unchanged as compared with that of the pure Ti film, which indicates that the lattice parameter c increases and a keeps at the primitive value. The grain refining and helium damage result in the diffraction peak broadening.  相似文献   
82.
Tl2Ba2CaCu2Ox(Tl-2212) thin films were prepared by the two-step technique.A precursor film was first prepared by the pulsed laser deposition method,and then experienced the incorporation of thalliation in a one-step or two-step annealing process.The experimental results show that the two-step annealing process produces dense and smooth films,and that the one-step annealing process produces a high critical temperature film of 101K,but the transition width is wide.Precursor films with homogeneous Ba2Ca1.3Cu2.1Ox composition are essential for producing high-quality Tl-2212 films.  相似文献   
83.
The rotational band built on the i13/2 proton [660,1/2] Nilsson state in ^173Re is proven to be identical to that in ^171Ta.The close similarity of the two bands in ^171Ta and ^173Re suggests that the ^173Re nucleus with the odd proton based on the i13/2 [660,1/2] Nilsson state may be triaxially superdeformed.  相似文献   
84.
准Λ型四能级系统中的超窄谱线的研究   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
在一般Λ型三能级模型的基础上提出准Λ型四能级系统,并对准Λ型四能级模型的共振荧光谱作了详尽的研究.从上能级向两边下能级辐射的自发辐射谱中产生了三个超窄谱线,且在很大参数范围内光谱具有这一特性.三个超窄谱线的产生是和两个相干驱动场的Rabi频率密切相关,在较大的Rabi频率作用下谱线会变得更窄,而当只有一个驱动场作用时是不会产生谱线变窄效应的.能级间的碰撞弛豫和非相干激发严重地破坏了谱线变窄.这种超窄谱线效应是多通道量子干涉的结果 关键词: 准Λ型四能级系统 超窄谱线 多通道量子干涉  相似文献   
85.
提出一种利用 GHZ态实现多原子缠结态的量子隐形传态方案 .当作为量子通道的 GHZ态含有一个单模高 Q腔时 ,大大地简化了量子稳形传态中的联合测量过程  相似文献   
86.
张远征 《数学年刊A辑》2006,27(3):365-374
本文利用广义极大原理证明了de Sitter空间中介于两个平行的、同侧的n维伪球面之间的完备常平均曲率类空超曲面一定是伪球面.对于常高阶平均曲率的完备超曲面,当截曲率有下界时,也有相应的唯一性结果.  相似文献   
87.
翁羽翔 《物理》2002,31(11):754-754
“中国科学院超快现象和太赫兹辐射学术研讨会”于 2 0 0 2年 7月 2 2日至 2 5日在北京中国科学院物理研究所举行 .本次会议由中国科学院主办 ,中国科学院物理研究所承办 ,中国科学院上海微系统与信息技术研究所、美国伦斯勒理工学院共同协办 .会议的三位主席分别是物理所张杰研究员、美国伦斯勒理工学院的张希成教授和上海微系统与信息技术研究所的封松林研究员 .物理所的翁羽翔研究员担任会议秘书长 .这次大会是我国在超快现象和太赫兹辐射领域组织的第一次专业学术会议 ,是对国内在超快现象和太赫兹辐射领域研究水平的一次较全面的检阅 .…  相似文献   
88.
刘小青  谢芳森 《光子学报》2002,31(10):1178-1183
导出了类Kerr介质中双模SU(1,1)相干态场与Λ型三能级原子相互作用系统的态函数,研究了Kerr效应对Λ型三能级原子布居概率、双模SU(1,1)相干态场的互关联函数、Cauchy-Schwartz不等式及二阶相干度的影响.结果表明:Kerr效应使原子与光场的耦合减弱,原子布居的崩塌与复苏的周期缩短;在初始光场较弱和较强两种情况下,类Kerr介质对双模SU(1,1)相干态场两模间的相关性、相关程度以及光子的聚束与反聚束效应产生的作用有明显的区别.  相似文献   
89.
90.
ICP-AES测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn   总被引:7,自引:2,他引:5  
用ICP-AES法同时测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn等重金属元素,具有基体效应小、测量范围宽等优点。检出限为0.2-4.0μg/L,回收率为91.5%-103.9%,相对标准偏差为0.29%-1.5%,测定密码样与实际样品,结果令人满意。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号