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本文在介绍传统FFT原理和流程的基础上,根据具体应用要求,结合基-4算法的长处,对传统基-8FFT的结构做了改进,并用ASIC实现了一个12位64点复数FFT的计算。布线后门级模型的仿真验证了改进后的结构不但计算正确,而且效率有显著的提高。论文最后简单总结了改进后12位64点复数FFT专用电路目前已经达到的性能指标。 相似文献
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GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线,X射线衍射以及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响,提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 相似文献
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