薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取

采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法.该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,测量恒流应力下MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频C-V曲线变化求解陷阱密度.从实验中可以直接提取表征陷阱的动态参数.在此基础上,可以对器件的累积失效率进行精确的评估.     

基于数据拟合的继保设备失效率调整因子模型

分析继保设备检修行为对其失效率的影响,有助于继保设备检修计划制定和实现电网长期稳定可靠运行.基于某地区继电保护设备故障数据,采用Matlab工具箱对分段数据进行失效率函数拟合,然后利用遗传算法对失效率调整因子进行计算,建立基于数据拟合的失效率调整因子模型,并使用多地区的设备故障数据对该模型和德尔菲法的模型进行评估.研究...     

浅谈构件可靠度基于MATLAB的蒙特卡罗法

可靠性理论已发展成为一门集综合性与边缘性为一体的学科,它涉及到基础科学、技术科学和管理科学等领域．可靠性数学是可靠性的基础理论之一,已发展成为涉及应用概率、应用数理统计和运筹学的一个边缘分支学科．从单部件的可靠度分析入手,深入研究了结构功能函数和可靠度指标的一般表达式,并给出了可靠度指标的计算公式,分析了改进的蒙特卡罗法．     

电荷放大器可靠性分析

介绍了电荷放大器在存储测试系统中的作用,详细说明了电荷放大器工作原理,推导出电荷量与输出电压之间的关系。通过故障树的方法对电荷放大器的可靠性进行分析,得出电荷放大器的MTBF和可靠性曲线,定量计算出电阻、电容、焊点和芯片在一个完整的存储测试电路中的失效率,定性的分析出不同部分对整体系统失效率的影响度。     

综合E—Bayes估计船舶寿命的研究

为了研究船舶寿命和使用时的可靠度,提出了一种基于试验的可靠度估计方法.针对船舶寿命服从指数分布,根据船舶寿命试验数据,给出了在无失效数据情形下和引进失效信息后船舶失效率的E-Bayes估计,并在此基础上给出了船舶失效率的综合E-Bayes估计.通过对Ⅰ型和Ⅱ型船舶寿命无失效数据进行计算,得到了船舶寿命在无失效数据情形下和引进失效信息后船舶失效率的E-Bayes估计及综合E-Bayes估计.最后得到了Ⅰ型和Ⅱ型船舶寿命可靠度的综合E-Bayes估计.结果表明,综合E-Bayes估计适合船舶寿命可靠性的研究.     

单粒子效应辐射模拟实验研究进展

应用质子直线加速器进行了静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子效应模拟实验研究.采用金箔散射法降低质子束流,研制了弱流质子束测量系统,测量散射后的质子束流,实验测得SRAM质子单粒子翻转截面为10-14 cm2/bit量级.利用重离子加速器和锎源进行了SRAM的单粒子效应实验.研究其单粒子翻转截面与重离子线性能量传输(LET)值的关系,得到了单粒子翻转阈值和饱和截面.实验表明252Cf源单粒子翻转截面与串列加速器的重离子单粒子翻转截面一致,说明对于SRAM,可以用252Cf源替代重离子加速器测量单粒子翻转饱和截面.与中国原子能研究院、东北微电子研究所合作开展了国内首次重离子微束单粒子效应实验.建立了大规模集成电路重离子微束单粒子效应实验方法,找到了国产SRAM的单粒子翻转敏感区.应用14MeV强流中子发生器进行了SRAM单粒子效应实验,测得了64K位至4M位SRAM器件14MeV中子单粒子翻转截面.用α源进行SRAM单粒子效应辐照实验,模拟封装材料中的232Th和238U杂质发射出的α粒子导致的单粒子翻转.测量α粒子射入SRAM导致的单粒子翻转错误数,计算单粒子翻转截面和失效率,比较三种器件的抗单粒子翻转能力,为器件的选型提供依据.并开展了路由器的α粒子辐照实验,复演了路由器在自然环境中的出错情况,为路由器的设计改进提供了依据.     

AS-i安全监控器简介

基本概念 OSSD：分配给输出电路的安全AS—i部件和功能部件，能够释放产生危险动作的机械部件。 外部装置监控电路（电流接触器监控）：允许电流接触器的开关功能连接到被监控的AS—i安全监控器的外部装置监控电路。     

热应力对半导体分立器件失效率的影响

本文通过对大量现场和试验可靠性数据的统计分析，论证了采用阿伦尼斯模型描述热应力对半导体分立器件失效率影响的适用性。     

MIL—R—39016E失效率等级鉴定抽样方案的理论根据

用数理统计的方法导出MIL－R－39016E中表Ⅲ和表Ⅳ数据的计算公式。E版（1994）与D版（1986）比较，失效率等级鉴定抽样方案的操作程序有变化。     

电子元器件的应用可靠性（1）

从电子元器件的选择、控制和使用等诸多方面讨论电子元器件的应用可靠性，包括质量等级、失效率等级、选择原则与质量控制；微电子器件的应用可靠性(过应力损伤、降额使用、二次筛选)；阻容元件的使用可靠性(电阻器、电位器、电容器)及其他元件的选择和应用(继电器、微波元件、连接器)。